HUF76129D3 ， HUF76129D3S
数据表
1999年9月
网络文件编号
4394.5
20A ， 30V ， 0.016 Ohm的N通道，逻辑
等级UltraFET功率MOSFET
这些N沟道功率MOSFET
所使用的制
创新UltraFET 工艺。
这种先进的工艺技术
达到尽可能低的导通电阻每硅片面积，
保证了出色的性能。这种装置能够
在雪崩模式和中经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
EF网络连接效率是很重要的，如开关稳压器，
开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低
电压总线开关和电源管理在便携式
和电池供电产品。
以前发育类型TA76129 。
特点
逻辑电平栅极驱动器
20A ， 30V
超低导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.016
温度补偿PSPICE
模型
温度补偿SABER
模式
热阻抗SPICE模型
热阻抗SABER模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
HUF76129D3
HUF76129D3S
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
76129D
76129D
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。添加后缀吨至
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，例如， HUF76129D3ST 。
G
S
包装
JEDEC TO- 251AA
JEDEC TO- 252AA
漏
（法兰）
来源
漏
门
门
来源
漏
（法兰）
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
UltraFET 是Intersil公司的商标。 PSPICE
是是MicroSim公司的注册商标。
SABER
是比喻Inc.的版权http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HUF76129D3 ， HUF76129D3S
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
单位
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 5V） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 4.5V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
30
30
±16
20
20
20
图4
图6，图17，18
105
.83
-55到150
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
V
V
V
A
A
A
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
TA = 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
电气连接特定的阳离子
参数
OFF状态规格
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图12）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
GS
=
±16V
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图11）
I
D
= 20A ，V
GS
= 10V （图9 ，10）
I
D
= 20A ，V
GS
= 5V （图9）
I
D
= 20A ，V
GS
= 4.5V （图9）
1
-
-
-
-
0.014
0.0175
0.0195
3
0.016
0.021
0.023
V
热规格
热阻结到外壳
热阻结到环境
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 4.5V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 15V ，我
D
20A ，R
L
= 0.75,
V
GS
=
4.5V ，R
GS
= 10
（图15 ， 21 ， 22 ）
-
-
-
-
-
-
-
20
165
30
54
-
275
-
-
-
-
125
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R
θJC
R
θJA
（图3）
的TO- 251 ，TO- 252
-
-
-
-
1.20
100
o
C / W
o
C / W
2
HUF76129D3 ， HUF76129D3S
典型性能曲线
2
1
热阻抗
Z
θ
JC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-2
10
-3
10
-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
+ T
C
10
0
10
1
（续）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
2000
T
C
= 25
o
C
I
DM
峰值电流（ A）
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
V
GS
= 10V
I
100
=
I
25
150 - T
C
125
V
GS
= 5V
跨
可能限流
在这个区域
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
1000
I
D
，漏电流（ A）
100s
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
1ms
10
10ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
1
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
BV
DSS MAX
= 30V
100
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
4
QQ：2880707522 复制
