HUF76113SK8
数据表
1999年10月
文件编号4448.2
6.5A ， 30V ， 0.030 Ohm的N通道，逻辑
等级UltraFET功率MOSFET
这N沟道功率MOSFET是
使用创新的制造
UltraFET 工艺。这种先进
工艺技术达到
每个硅面积尽可能低的导通电阻，从而产生
出色的表现。这种装置能够
在雪崩模式和经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
EF网络连接效率是很重要的，如开关稳压器，开关
转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低压母线
开关，并在便携式和电池 - 电源管理
经营的产品。
以前发育类型TA76113 。
特点
逻辑电平栅极驱动器
6.5A ， 30V
超低导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.030
温度补偿PSPICE模型
温度补偿SABER模型
热阻抗SPICE模型
热阻抗SABER模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
HUF76113SK8
包
MS-012AA
BRAND
76113SK8
符号
NC(1)
DRAIN(8)
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴，例如， HUF76113SK8T的变种。
SOURCE(2)
DRAIN(7)
SOURCE(3)
DRAIN(6)
GATE(4)
DRAIN(5)
包装
JEDEC MS- 012AA
BRANDING DASH
5
1
2
3
4
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
UltraFET 是Intersil公司的商标。 PSPICE 是是MicroSim公司的商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HUF76113SK8
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
HUF76113SK8
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（T
A
= 25
o
C，V
GS
= 10V ） （图2 ） （注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
A
= 100
o
C，V
GS
= 5V） （注3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
A
= 100
o
C，V
GS
= 4.5V ）（注3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
ASB
功率耗散（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
30
30
±16
6.5
2.0
2.0
图4
图6
2.5
20
-55到150
300
260
W
毫瓦/
o
C
o
C
o
C
o
C
单位
V
V
V
A
A
A
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
2. 50
o
使用FR-4板C / W的测定0.76中
2
足迹在10秒。
3. 177
o
使用FR- 4电路板C / W测量与0.0115
2
占地面积为1000秒。
电气连接特定的阳离子
参数
OFF状态规格
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图12）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ，T
A
= 150
o
C
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
GS
=
±16V
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图11）
I
D
= 6.5A ，V
GS
= 10V （图9，图10）
I
D
= 2.0A ，V
GS
= 5V （图9）
I
D
= 2.0A ，V
GS
= 4.5V （图9）
1
-
-
-
-
0.025
0.031
0.033
3
0.030
0.038
0.041
V
热规格
热阻结到环境
R
θJA
焊盘面积=在0.76
2
（注2 ）
焊盘面积= 0.054中
2
（参见TB337 ）
焊盘面积=在0.0115
2
（参见TB337 ）
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 4.5V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 15V ，我
D
2.0A ，R
L
= 7.5,
V
GS
=
4.5V ，R
GS
= 15
（图15）
-
-
-
-
-
-
-
16
50
28
34
-
100
-
-
-
-
91
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
-
-
50
143
177
o
C / W
o
C / W
o
C / W
2
HUF76113SK8
典型性能曲线
（续）
10
热阻抗
Z
θ
JA
归一化
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θ
JA
= 50
o
C / W
0.1
P
DM
t
1
0.01
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JA
个R
θ
JA
+ T
A
10
-2
10
-1
10
0
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
1
10
2
10
3
单脉冲
0.001
10
-5
10
-4
10
-3
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
T
C
= 25
o
C
I
DM
峰值电流（ A）
100
V
GS
= 10V
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
V
GS
= 5V
I
=
I
25
150 - T
A
125
10
跨
可能限流
在这个区域
R
θ
JA
= 50
o
C / W
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
10
2
10
3
图4.峰值电流容量
500
T
J
=最大额定
T
A
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
10
起始物为
J
= 25
o
C
10
1ms
起始物为
J
= 150
o
C
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
1
10ms
V
决策支持系统（MAX）
= 30V
100
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
4
HUF76113SK8
数据表
2003年1月
6.5A ， 30V ， 0.030 Ohm的N通道，逻辑
等级UltraFET功率MOSFET
这N沟道功率MOSFET是
使用创新的制造
UltraFET 工艺。这种先进
工艺技术达到
每个硅面积尽可能低的导通电阻，从而产生
出色的表现。这种装置能够
在雪崩模式和经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
EF网络连接效率是很重要的，如开关稳压器，开关
转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低压母线
开关，并在便携式和电池 - 电源管理
经营的产品。
以前发育类型TA76113 。
特点
逻辑电平栅极驱动器
6.5A ， 30V
超低导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.030
温度补偿PSPICE
模型
温度补偿SABER 模型
热阻抗SPICE模型
热阻抗SABER模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
HUF76113SK8
包
MS-012AA
BRAND
76113SK8
符号
NC(1)
DRAIN(8)
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴，例如， HUF76113SK8T的变种。
SOURCE(2)
DRAIN(7)
SOURCE(3)
DRAIN(6)
GATE(4)
DRAIN(5)
包装
JEDEC MS- 012AA
BRANDING DASH
5
1
2
3
4
2003仙童半导体公司
HUF76113SK8牧师B1
HUF76113SK8
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
HUF76113SK8
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（T
A
= 25
o
C，V
GS
= 10V ） （图2 ） （注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
A
= 100
o
C，V
GS
= 5V） （注3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
A
= 100
o
C，V
GS
= 4.5V ）（注3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
ASB
功率耗散（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息的案件从10秒0.063in （ 1.6毫米） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
30
30
±20
6.5
2.0
2.0
图4
图6
2.5
20
-55到150
300
260
W
毫瓦/
o
C
o
C
o
C
o
C
单位
V
V
V
A
A
A
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
2. 50
o
使用FR-4板C / W的测定0.76中
2
足迹在10秒。
3. 177
o
使用FR- 4电路板C / W测量与0.0115
2
占地面积为1000秒。
电气规格
参数
OFF状态规格
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图12）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ，T
A
= 150
o
C
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
GS
=
±20V
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图11）
I
D
= 6.5A ，V
GS
= 10V （图9，图10）
I
D
= 2.0A ，V
GS
= 5V （图9）
I
D
= 2.0A ，V
GS
= 4.5V （图9）
1
-
-
-
-
0.025
0.031
0.033
3
0.030
0.038
0.041
V
热规格
热阻结到环境
R
θJA
焊盘面积=在0.76
2
（注2 ）
焊盘面积= 0.054中
2
（参见TB337 ）
焊盘面积=在0.0115
2
（参见TB337 ）
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 4.5V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 15V ，我
D
2.0A ，R
L
= 7.5,
V
GS
=
4.5V ，R
GS
= 15
（图15）
-
-
-
-
-
-
-
16
50
28
34
-
100
-
-
-
-
91
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
-
-
50
143
177
o
C / W
o
C / W
o
C / W
2003仙童半导体公司
HUF76113SK8牧师B1
HUF76113SK8
典型性能曲线
（续）
10
热阻抗
Z
θ
JA
归一化
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θ
JA
= 50
o
C / W
0.1
P
DM
t
1
0.01
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JA
个R
θ
JA
+ T
A
10
-2
10
-1
10
0
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
1
10
2
10
3
单脉冲
0.001
10
-5
10
-4
10
-3
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
T
C
= 25
o
C
I
DM
峰值电流（ A）
100
V
GS
= 10V
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
V
GS
= 5V
I
=
I
25
150 - T
A
125
10
跨
可能限流
在这个区域
R
θ
JA
= 50
o
C / W
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
10
2
10
3
图4.峰值电流容量
500
T
J
=最大额定
T
A
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
10
起始物为
J
= 25
o
C
10
1ms
起始物为
J
= 150
o
C
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
1
10ms
V
决策支持系统（MAX）
= 30V
100
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
1
0.01
1
10
0.1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
2003仙童半导体公司
HUF76113SK8牧师B1
QQ：2881677436 复制
