HUF76105DK8
TM
数据表
2000年6月
文件编号4380.6
5A ， 30V ， 0.050欧姆，双N沟道，
逻辑电平UltraFET功率MOSFET
这N沟道功率MOSFET是
使用创新的制造
UltraFET 工艺。这种先进
工艺技术达到
每个硅面积尽可能低的导通电阻，从而产生
出色的表现。这种装置能够
在雪崩模式和经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
EF网络连接效率是很重要的，如开关稳压器，开关
转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低压母线
开关，并在便携式电池电源管理
经营的产品。
以前发育类型TA76105 。
特点
逻辑电平栅极驱动器
5A ， 30V
超低导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.050
温度补偿PSPICE
模型
温度补偿SABER
模型
热阻抗SPICE模型
热阻抗SABER模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
HUF76105DK8
包
MS-012AA
BRAND
76105DK8
符号
D1(8)
D1(7)
S1(1)
G1(2)
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴，例如， HUF76105DK8T的变种。
D2(6)
D2(5)
S2(3)
G2(4)
包装
JEDEC MS- 012AA
BRANDING DASH
5
1
2
3
4
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
UltraFET是Intersil Corporation的注册商标。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。 SABER 是类比公司的商标。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权
Intersil公司2000
HUF76105DK8
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
HUF76105DK8
30
30
±16
5
1.4
1.3
图4
图6，图17，18
2.5
0.02
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
A
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（T
A
= 25
o
C，V
GS
= 10V ） （图2 ） （注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
A
= 100
o
C，V
GS
= 5V） （注3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
A
= 100
o
C，V
GS
= 4.5V ）（注3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功率耗散（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
2. 50
o
使用FR-4板以1秒的C / W的测定。
3. 228
o
使用FR-4板C / W的测定0.006在
2
铜在1000秒。
电气连接特定的阳离子
参数
OFF状态规格
T
A
= 25
o
C
,
除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图12）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
GS
=
±16V
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图11）
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V （图9，图10）
I
D
= 1.4A ，V
GS
= 5V （图9）
I
D
= 1.3A ，V
GS
= 4.5V （图9）
1
-
-
-
-
0.040
0.055
0.060
3
0.050
0.072
0.078
V
热规格
热阻结到环境
R
θJA
焊盘面积=在0.76
2
（注2 ）
焊盘面积= 0.027中
2
（参见TB377 ）
焊盘面积= 0.006
2
（参见TB377 ）
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 4.5V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 15V ，我
D
1.3A,
R
L
= 11.5, V
GS
=
4.5V,
R
GS
= 27
（图15）
-
-
-
-
-
-
-
12
28
31
21
-
60
-
-
-
-
80
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
-
-
50
191
228
o
C / W
o
C / W
o
C / W
2
HUF76105DK8
典型性能曲线
2
1
热阻抗
Z
θ
JA
归一化
（续）
0.1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
R
θ
JA
= 228
o
C / W
0.01
单脉冲
0.001
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JA
个R
θ
JA
+ T
A
10
1
10
2
10
3
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
R
θ
JA
= 228
o
C / W
T
A
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I
I
DM
峰值电流（ A）
100
=
I
25
150 - T
A
125
V
GS
= 5V
10
V
GS
= 10V
跨
可能限流
在这个区域
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
10
2
10
3
图4.峰值电流容量
200
100
I
D
，漏电流（ A）
I
AS
，雪崩电流（ A）
T
J
=最大额定
T
A
= 25
o
C
100s
20
起始物为
J
= 25
o
C
10
10
1ms
起始物为
J
= 150
o
C
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
0.1
1
10ms
V
决策支持系统（MAX）
= 30V
100
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
1
0.01
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
4
HUF76105DK8
数据表
2003年1月
5A ， 30V ， 0.050欧姆，双N沟道，
逻辑电平UltraFET功率MOSFET
这N沟道功率MOSFET是
使用创新的制造
UltraFET 工艺。这种先进
工艺技术达到
每个硅面积尽可能低的导通电阻，从而产生
出色的表现。这种装置能够
在雪崩模式和经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
EF网络连接效率是很重要的，如开关稳压器，开关
转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低压母线
开关，并在便携式电池电源管理
经营的产品。
以前发育类型TA76105 。
特点
逻辑电平栅极驱动器
5A ， 30V
超低导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.050
温度补偿PSPICE
模型
温度补偿SABER
模型
热阻抗SPICE模型
热阻抗SABER模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
HUF76105DK8
包
MS-012AA
BRAND
76105DK8
符号
D1(8)
D1(7)
S1(1)
G1(2)
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴，例如， HUF76105DK8T的变种。
D2(6)
D2(5)
S2(3)
G2(4)
包装
JEDEC MS- 012AA
BRANDING DASH
5
1
2
3
4
2003仙童半导体公司
HUF76105DK8牧师B1
HUF76105DK8
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
HUF76105DK8
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（T
A
= 25
o
C，V
GS
= 10V ） （图2 ） （注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
A
= 100
o
C，V
GS
= 5V） （注3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
A
= 100
o
C，V
GS
= 4.5V ）（注3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功率耗散（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
30
30
±20
5
1.4
1.3
图4
图6，图17，18
2.5
0.02
-55到150
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
单位
V
V
V
A
A
A
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
2. 50
o
使用FR-4板以1秒的C / W的测定。
3. 228
o
使用FR-4板C / W的测定0.006在
2
铜在1000秒。
电气规格
参数
OFF状态规格
T
A
= 25
o
C
,
除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图12）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
GS
=
±20V
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图11）
I
D
= 5A ，V
GS
= 10V （图9，图10）
I
D
= 1.4A ，V
GS
= 5V （图9）
I
D
= 1.3A ，V
GS
= 4.5V （图9）
1
-
-
-
-
0.040
0.055
0.060
3
0.050
0.072
0.078
V
热规格
热阻结到环境
R
θJA
焊盘面积=在0.76
2
（注2 ）
焊盘面积= 0.027中
2
（参见TB377 ）
焊盘面积= 0.006
2
（参见TB377 ）
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 4.5V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 15V ，我
D
1.3A,
R
L
= 11.5, V
GS
=
4.5V,
R
GS
= 27
（图15）
-
-
-
-
-
-
-
12
28
31
21
-
60
-
-
-
-
80
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
-
-
50
191
228
o
C / W
o
C / W
o
C / W
2003仙童半导体公司
HUF76105DK8牧师B1
HUF76105DK8
典型性能曲线
2
1
热阻抗
Z
θ
JA
归一化
（续）
0.1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
R
θ
JA
= 228
o
C / W
0.01
单脉冲
0.001
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JA
个R
θ
JA
+ T
A
10
1
10
2
10
3
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
R
θ
JA
= 228
o
C / W
T
A
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I
I
DM
峰值电流（ A）
100
=
I
25
150 - T
A
125
V
GS
= 5V
10
V
GS
= 10V
跨
可能限流
在这个区域
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
10
2
10
3
图4.峰值电流容量
200
100
I
D
，漏电流（ A）
I
AS
，雪崩电流（ A）
T
J
=最大额定
T
A
= 25
o
C
100s
20
起始物为
J
= 25
o
C
10
10
1ms
起始物为
J
= 150
o
C
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
0.1
1
10ms
V
决策支持系统（MAX）
= 30V
100
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
1
0.01
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
2003仙童半导体公司
HUF76105DK8牧师B1
QQ：2880707522 复制
