HUF75229P3
数据表
1998年6月
文件编号4536.1
44A ， 50V ， 0.022 Ohm的N通道UltraFET
功率MOSFET
这N沟道功率MOSFET是
使用创新的制造
UltraFET 工艺。这种先进
工艺技术达到
每个硅面积尽可能低的导通电阻，从而产生
出色的表现。这种装置能够
在雪崩模式和经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
EF网络连接效率是很重要的，如开关稳压器，
开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低
电压总线开关和电源管理在便携式
和电池供电产品。
特点
44A ， 50V
低导通电阻，
r
DS （ ON）
= 0.022
温度补偿
PSPICE模型
热阻抗
SPICE模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
HUF75229P3
包
TO-220AB
BRAND
75229P
G
注：订货时请使用整个零件编号。
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏
（法兰）
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
UltraFET是Intersil Corporation的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HUF75229P3
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
50
50
±20
44
图5
图6中，14个，15个
90
0.6
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续的（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图11）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图10）
V
DS
= 45V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±20V
I
D
= 44A ，V
GS
= 10V （图9）
V
DD
= 30V ，我
D
44A,
R
L
= 0.68, V
GS
=
10V,
R
GS
= 9.1
（图18,19 ）
民
50
2
-
-
-
0.017
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 30V,
I
D
44A,
R
L
= 0.68
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图13 ，16， 17）的
-
-
-
-
-
-
（图3）
TO-220
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.020
-
12
58
33
33
-
60
35
2.0
1060
405
95
-
-
最大
-
4
1
250
±100
0.022
105
-
-
-
-
100
75
43
2.5
-
-
-
1.66
62
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= 44A
I
SD
= 44A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 44A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
1.25
72
120
单位
V
ns
nC
2
HUF75229P3
典型性能曲线
300
I
AS
，雪崩电流（ A）
（续）
100
I
D
，漏电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
80
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
V
GS
= 8V
V
GS
= 7V
100
V
GS
= 6V
60
起始物为
J
= 25
o
C
40
V
GS
= 5V
20
脉冲宽度= 250μs的
T
C
= 25
o
C
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源极电压（ V）
5
起始物为
J
= 150
o
C
10
0.001
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
能力
100
2.5
归一漏极至源极
抗性
脉冲测试
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
-55
o
C
175
o
C
60
脉冲宽度= 250μs的，V
GS
= 10V ，我
D
= 44A
图7.饱和特性
I
D
，漏电流（ A）
80
2.0
1.5
40
1.0
20
25
o
C
0
V
DD
= 15V
7.5
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
GS
，门源电压（ V）
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.2
I
D
= 250A
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.9
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.8
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
4
HUF75229P3
典型性能曲线
1500
V
GS
，门源电压（ V）
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
1200
C，电容（pF ）
C
国际空间站
900
（续）
10
V
DD
= 30V
8
6
600
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 44A
I
D
= 27A
I
D
= 11A
0
5
10
25
15
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
30
35
300
2
0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.门充电波形恒
栅电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
V
DS
R
L
V
DD
V
DS
V
GS
= 20V
V
GS
+
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
V
DD
V
GS
V
GS
= 2V
0
Q
G（ TH ）
I
G（ REF ）
0
V
GS
= 10V
-
DUT
I
G（ REF ）
图16.栅极电荷测试电路
图17.栅极充电波形
5
HUF75229P3
数据表
2001年12月
44A ， 50V ， 0.022 Ohm的N通道UltraFET
功率MOSFET
这N沟道功率MOSFET是
使用创新的制造
UltraFET 工艺。这种先进
工艺技术达到
每个硅面积尽可能低的导通电阻，从而产生
出色的表现。这种装置能够
在雪崩模式和经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
效率是很重要的，如开关稳压器，
开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低
电压总线开关和电源管理在便携式
和电池供电产品。
特点
44A ， 50V
低导通电阻，
r
DS （ ON）
= 0.022
温度补偿
于PSpice型号
热阻抗
SPICE模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
HUF75229P3
包
TO-220AB
BRAND
75229P
G
注：订货时请使用整个零件编号。
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏
（法兰）
产品的可靠性信息， http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html被发现
对于恶劣的环境，看到我们的汽车HUFA系列。
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系认证，组装和测试。
2001仙童半导体公司
HUF75229P3版本B
HUF75229P3
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
单位
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续的（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
50
50
±20
44
图5
图6中，14个，15个
90
0.6
-55至175
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
V
V
V
A
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气规格
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图11）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图10）
V
DS
= 45V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±20V
I
D
= 44A ，V
GS
= 10V （图9）
V
DD
= 30V ，我
D
44A,
R
L
= 0.68, V
GS
=
10V,
R
GS
= 9.1
（图18,19 ）
民
50
2
-
-
-
0.017
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 30V,
I
D
44A,
R
L
= 0.68
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图13 ，16， 17）的
-
-
-
-
-
-
（图3）
TO-220
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.020
-
12
58
33
33
-
60
35
2.0
1060
405
95
-
-
最大
-
4
1
250
±100
0.022
105
-
-
-
-
100
75
43
2.5
-
-
-
1.66
62
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= 44A
I
SD
= 44A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 44A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
1.25
72
120
单位
V
ns
nC
2001仙童半导体公司
HUF75229P3版本B
HUF75229P3
典型性能曲线
300
I
AS
，雪崩电流（ A）
（续）
100
I
D
，漏电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
80
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
V
GS
= 8V
V
GS
= 7V
100
V
GS
= 6V
60
起始物为
J
= 25
o
C
40
V
GS
= 5V
20
脉冲宽度= 250μs的
T
C
= 25
o
C
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源极电压（ V）
5
起始物为
J
= 150
o
C
10
0.001
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
0
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
能力
图7.饱和特性
100
2.5
归一漏极至源极
抗性
脉冲测试
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
-55
o
C
175
o
C
脉冲宽度= 250μs的，V
GS
= 10V ，我
D
= 44A
I
D
，漏电流（ A）
80
2.0
60
1.5
40
1.0
20
25
o
C
0
V
DD
= 15V
7.5
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
GS
，门源电压（ V）
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.2
I
D
= 250A
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.9
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.8
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
2001仙童半导体公司
HUF75229P3版本B
HUF75229P3
典型性能曲线
1500
V
GS
，门源电压（ V）
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
1200
C，电容（pF ）
C
国际空间站
900
（续）
10
V
DD
= 30V
8
6
600
C
OSS
300
C
RSS
0
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 44A
I
D
= 27A
I
D
= 11A
0
5
10
15
20
25
Q
g
，栅极电荷（ NC）
30
35
2
0
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.门充电波形恒
栅电流
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