汕头华汕电子器件有限公司。
HTU4A60S
ＮＯＮ ＩＮＳＵＬＡＴＥＤ ＴＹＰＥ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ ＧＡＴＥ ＴＲＩＡＣ （ＴＯ－２５１ ＰＡＣＫＡＧＥ）
█特点
*重复峰值断态电压： 600V
* R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
=4A)
*高换向dv / dt的
*敏感门触发4模式
General
描述
该设备是敏感的门双向可控硅适合直接耦合
TTL， HTL ， CMOS和应用，如各种逻辑功能，
低功率AC开关应用，如风扇转速，小光
控制器和家电设备。
█
绝对最大额定值
（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
温度
……………………………………………………………… －40~125℃
T
j
■工作
结温
…………………………………………………… －40~125℃
P
GM
高峰
门功耗
……………………………………………………………1.5W
P
G
（
AV
）
- 面积达
门功耗
……………………………………………………
0.1W
V
DRM
--Repetitive
峰值断态电压
……………………………………………………
600V
I
T
RMS
）
（
--R.M.S
通态电流
（Ta=95℃）
…………………………………………………
4.0A
V
GM
高峰
栅极电压
………………………………………………………………………
7.0V
I
GM
高峰
栅电流
………………………………………………………………………
1.0A
I
TSM
■浪涌
通态电流（一个周期， 50 / 60赫兹，峰值，非重复性）
………………
30/33A
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█
电气特性
（T
a
=25℃）
HTU4A60S
符号
I
DRM
项
重复峰值断态电流
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
单位
mA
条件
V
D
=V
DRM
，单相，
半波，
T
J
=125℃
I
T
= 6A，研究所。测量
V
TM
I+
GT1
I-
GT1
I-
GT3
I+
GT3
V+
GT1
V-
GT1
V-
GT3
V+
GT3
V
GD
（ dv / dt的）C
峰值通态电压
门极触发电流（ Ⅰ ）
门极触发电流（ Ⅰ ）
门极触发电流（ Ⅰ ）
门极触发电流（ Ⅰ ）
门极触发电压（ Ⅰ ）
门极触发电压（ Ⅰ ）
门极触发电压（ Ⅰ ）
门极触发电压（ Ⅰ ）
非触发栅极电压
崛起的断态临界速率
电压整流
保持电流
热阻
0.2
5
1.7
5.0
5.0
5.0
10.0
1.4
1.4
1.4
1.8
V
毫安V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V / μs的
V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ，R
L
= 10欧姆
T
J
=125℃,V
D
=1/2V
DRM
T
J
=125℃,V
D
=2/3V
DRM
（ di / dt的）C = -0.5A / MS
I
H
RTH （J -C ）
10
3
mA
℃/W
结到外壳
QQ：2881677436 复制
