【HTT1129E硅NPN外延双晶体管ADE - 208-1541A （ Z）Rev.12003年1月】,IC型号HTT1129E,HTT1129E PDF资料,HTT1129E经销商,ic,电子元器件-51电子网

HTT1129E

硅NPN外延双晶体管

ADE - 208-1541A （ Z）

Rev.1

2003年1月

特点

包括2个晶体管的小型化SMD封装： EMFPAK - 6 （ 6信息： 1.2 ×0.8× 0.5mm）的

Q1:

当量

缓冲晶体管

2SC5849

Q2:

当量

OSC晶体管

2SC5872

概要

EMFPAK-6

管脚配置

6

5

4

B1 6

Q1

E2 5

Q2

B2 4

1

2

3

1

2

3

C1

E1

C2

1. Q1集电极

2.发射器Q1

3. Q2集电极

4.基Q2

5.发射Q2

6.基Q1

注意：

马克是“Z” 。

HTT1129E

绝对最大额定值

（ TA = 25

°C)

评级

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

Tj

TSTG

150

-55

+150

Q1

15

6

1.5

80

总计200 *

150

-50至+150

Q2

15

6

0.8

50

单位

V

mA

mW

°C

*在PCB上的价值。（FR-4 （13 ×13× 0.635毫米））。

集电极耗散功率曲线

件* （ mW）的

250

*在PCB上的价值。

200

（FR-4 （13 X13 X 0.635毫米））

2设备总

集电极耗散功率

150

100

50

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

Rev.1号文件， 2003年1月，第9页2

HTT1129E

Q1电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

民

15

90

2

7

典型值

120

0.50

4

11

1.7

最大

0.1

140

0.65

2.3

单位

V

A

pF

GHz的

dB

测试条件

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

V

CB

= 15 V，I

E

= 0

V

CE

= 6 V ，R

BE

=无限

V

EB

= 1.5 V，I

C

= 0

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安

V

CB

= 1 V ， F = 1兆赫

发射地

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 1

GHz的

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安，

F = 900兆赫，

Γ

S

=

Γ

L

= 50

集电极基极击穿V

（ BR ） CBO

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

反向传输电容C

re

增益带宽积

正向传输系数

噪声系数

f

T

|S

21

|

2

NF

Q2电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

民

16

90

8

13

典型值

120

0.25

10

16

1.0

最大

0.1

140

0.35

1.6

单位

V

A

pF

GHz的

dB

测试条件

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

V

CB

= 15 V，I

E

= 0

V

CE

= 6 V ，R

BE

=无限

V

EB

= 0.8 V，I

C

= 0

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安

V

CB

= 1 V ， F = 1兆赫

发射地

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 1

GHz的

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安，

F = 900兆赫

Γ

S

=

Γ

L

= 50

集电极基极击穿V

（ BR ） CBO

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

反向传输电容C

re

增益带宽积

正向传输系数

噪声系数

f

T

|S

21

|

2

NF

Rev.1号一月2003年，第9页3

HTT1129E

Q1主要特点

典型的输出特性

20

（MA ）

180

A

典型的正向传输特性

25

V

CE

= 1 V

集电极电流I

C

（MA ）

160

A

16

12

140

A

120

A

20

100

A

I

C

15

集电极电流

80

A

8

60

A

10

40

A

4

I

B

= 20

A

5

0

1

2

3

4

5

6

0

0.2

0.4

0.6

0.8

V

BE

(V)

1.0

集电极到发射极电压

V

CE

(V)

基地发射极电压

200

直流电流传输比H

FE

反向传输电容C

re

（PF ）

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

V

CE

= 1 V

反向传输电容主场迎战

集电极 - 基极电压

1.0

发射地

F = 1 MHz的

0.8

0.6

100

0.4

0.2

0

0.1

1.0

集电极电流

10

I

C

（MA ）

100

0

0.5

1.0

1.5

2.0

集电极基极电压V

CB

(V)

Rev.1号文件， 2003年1月，第9页4

HTT1129E

增益带宽积主场迎战

集电极电流

20

F = 1 GHz的

f

T

（千兆赫）

16

V

CE

= 3 V

12

V

CE

= 2 V

NF（ dB）的

4

5

V

CE

= 1 V

F = 900兆赫

噪声系数与集电极电流

增益带宽积

3

8

噪声系数

V

CE

= 1 V

2

5

10

20

50

100

2

4

1

0

1

0

1

2

5

10

20

50

100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

S

21

参数与集电极电流

20

F = 1 GHz的

|S

21

|

2

（ dB）的

16

V

CE

= 2 V

12

V

CE

= 1 V

S

21

参数

8

4

0

1

2

5

10

20

50

100

集电极电流I

C

（MA ）

Rev.1号一月2003年， 9 5页

HTT1129E

硅NPN外延双晶体管

REJ03G0840-0200

（上ADE- 208-1541A ）

Rev.2.00

Aug.10.2005

特点

包括2个晶体管的小型化SMD封装： EMFPAK - 6 （ 6信息： 1.2 ×0.8× 0.5mm）的

Q1 ：等效缓冲晶体管

2SC5849

2SC5872

Q2 ：等效OSC晶体管

概要

瑞萨封装代码： PXSF0006LA -A

（包名称： EMFPAK - 6 ）

管脚配置

6

5

4

B1 6

Q1

E2 5

Q2

B2 4

1. Q1集电极

2.发射器Q1

3. Q2集电极

4.基Q2

5.发射Q2

6.基Q1

1

2

3

C1

1

E1

2

C2

3

注意：

标记为“Z” 。

Rev.2.00 2005年8月10日第1页8

HTT1129E

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

符号

评级

Q1

15

6

1.5

80

总计200 *

150

-55

+150

150

-50至+150

Q2

15

6

0.8

50

单位

V

mA

mW

°C

集电极 - 基极电压

V

CBO

集电极到发射极电压

V

首席执行官

发射器基极电压

V

EBO

集电极电流

I

C

集电极耗散功率

P

C

结温

Tj

储存温度

TSTG

注： *在PCB上的价值。（FR-4 （13 ×13× 0.635毫米））。

集电极耗散功率曲线

集电极耗散功率电脑* （MW ）

250

*在PCB上的价值。

200

（FR-4 （13 X13 X 0.635毫米））

2设备总

150

100

50

0

50

100

150

200

环境温度Ta （C ）

Rev.2.00 2005年8月10日第2页8

HTT1129E

Q1电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

反向传输电容

增益带宽积

正向传输系数

噪声系数

符号

V

（ BR ） CBO

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

C

re

f

T

|S

21

|

2

NF

民

15

90

2

7

典型值

120

0.50

4

11

1.7

最大

0.1

140

0.65

2.3

单位

V

A

pF

GHz的

dB

测试条件

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

V

CB

= 15 V，I

E

= 0

V

CE

= 6 V ，R

BE

=无限

V

EB

= 1.5 V，I

C

= 0

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安

V

CB

= 1 V ， F = 1兆赫

发射地

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 1 GHz的

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安，

F = 900兆赫，

Γ

S

=

Γ

L

= 50

Q2电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

反向传输电容

增益带宽积

正向传输系数

噪声系数

符号

V

（ BR ） CBO

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

C

re

f

T

|S

21

|

2

NF

民

16

90

8

13

典型值

120

0.25

10

16

1.0

最大

0.1

140

0.35

1.6

单位

V

A

pF

GHz的

dB

测试条件

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

V

CB

= 15 V，I

E

= 0

V

CE

= 6 V ，R

BE

=无限

V

EB

= 0.8 V，I

C

= 0

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安

V

CB

= 1 V ， F = 1兆赫

发射地

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 1 GHz的

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安，

F = 900兆赫

Γ

S

=

Γ

L

= 50

Rev.2.00 2005年8月10日第3页8

HTT1129E

Q1主要特点

典型的输出特性

20

180

A

典型的正向传输特性

25

160

A

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

16

12

140

A

120

A

V

CE

= 1 V

20

100

A

15

80

A

8

60

A

10

40

A

4

I

B

= 20

A

5

0

1

2

3

4

5

6

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

集电极到发射极电压V

CE

(V)

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

基极至发射极电压V

BE

(V)

反向传输电容主场迎战

集电极 - 基极电压

反向传输电容C

re

（PF ）

200

1.0

直流电流传输比H

FE

V

CE

= 1 V

发射地

F = 1 MHz的

0.8

0.6

100

0.4

0.2

0

0.1

1.0

10

100

0

0.5

1.0

1.5

2.0

集电极电流I

C

（MA ）

集电极基极电压V

CB

(V)

增益带宽积主场迎战

集电极电流

20

噪声系数与集电极电流

5

V

CE

= 1 V

F = 900兆赫

增益带宽乘积F

T

（千兆赫）

F = 1 GHz的

16

V

CE

= 3 V

4

12

噪声系数NF （ dB）的

V

CE

= 2 V

3

8

2

4

V

CE

= 1 V

1

0

1

2

5

10

20

50

100

0

1

2

5

10

20

50

100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

Rev.2.00 2005年8月10日第4页8

HTT1129E

S

21

参数与集电极电流

20

F = 1 GHz的

S

21

参数| S

21

|

2

（ dB）的

16

V

CE

= 2 V

12

V

CE

= 1 V

8

4

0

1

2

5

10

20

50

100

集电极电流I

C

（MA ）

Rev.2.00 2005年8月10日第5页8