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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HD200204
发行日期: 2002年4月1日
修订日期: 2005年8月18日
页页次: 1/4
HTIP117D
PNP外延平面晶体管
描述
该HTIP117D被设计为在通用放大器和低速用
开关应用。
TO-126ML
达林顿示意图
C
绝对最大额定值
(T
A
=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ................... -55 + 150
°C
结温................................................ .......... 150
°C
最大
B
R1
R2
E
最大功率耗散
总功率耗散(T
C
= 25℃) .................................................................................................................... 10瓦
最大电压和电流
BV
CBO
集电极 - 基极电压...................................................................................................................... -100 V
BV
首席执行官
集电极到发射极电压................................................................................................................... -100 V
BV
EBO
发射器基Voltage............................................................................................................................. -5 V
I
C
集电极电流(继续) ............................................................................................................................ -4 A
I
CP
集电极电流(峰值) ................................................................................................................................. -6 A
电气特性
(T
A
=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE(上)
*h
FE1
*h
FE2
COB
分钟。
-100
-100
-
-
-
-
-
1
500
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-1
-2
-2
-2.5
-2.8
-
-
200
pF
单位
V
V
mA
mA
mA
V
V
K
I
C
=-1mA
I
C
=-30mA
V
CB
=-100V
V
CE
=-50V
V
EB
=-5V
I
C
= -2A ,我
B
=-8mA
I
C
= -2A ,V
CE
=-4V
I
C
= -1A ,V
CE
=-4V
I
C
= -2A ,V
CE
=-4V
V
CB
= -10V , F =为0.1MHz
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
测试条件
HTIP117D
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
特性曲线
电流增益&集电极电流
100000
75 C
10000
o
规格。编号: HD200204
发行日期: 2002年4月1日
修订日期: 2005年8月18日
页页次: 2/4
饱和电压& Collcetor电流
10000
饱和电压(MV )
1000
的hFE
125 C
100
o
75 C
1000
o
25 C
o
25 C
o
125 C
o
10
的hFE @ V
CE
=4V
1
1
10
100
1000
10000
100
100
V
CE ( SAT )
@ I
C
=250I
B
1000
10000
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
电压&集电极电流
10000
10
开关时间&集电极电流
V
CC
= 30V ,我
C
=250I
B1
= -250I
B2
25 C
1000
125 C
o
o
75 C
o
切换时间(我们)
上压(MV )
TSTG
1
Tf
V
BE(上)
@ V
CE
=4V
100
1
10
100
1000
10000
0.1
1
10
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流-I
C
(A)
电容& Revierse偏置电压
1000
10
安全工作区
PT=1ms
集电极电流-I
C
(A)
PT=1s
1
电容(pF)
100
COB
0.1
PT=100ms
10
0.1
1
10
100
0.01
1
10
100
反向偏置电压(V )
正向电压-V
CE
(V)
HTIP117D
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
TO- 126ML尺寸
A
C
D
E
H
T I P
1 1 7D
规格。编号: HD200204
发行日期: 2002年4月1日
修订日期: 2005年8月18日
页页次: 3/4
标记:
L
无铅标志
无铅: "
.
& QUOT ;
(注)
普通:无
I
B
1
F
H
G
M
2
3
日期代码
控制代码
注:绿色标签用于无铅封装
插针形式: 1.Emitter 2.Collector 3.Base
材质:
铅焊料镀层:近共晶Sn60 / Pb40软(普通)
SN / 3.0Ag / 0.5Cu的或纯锡(无铅)
模具化合物:环氧树脂系列,
易燃固体燃烧等级: UL94V- 0
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
分钟。
7.74
10.87
0.88
1.28
3.50
2.61
13
1.18
2.88
0.68
-
3.44
1.88
0.50
马克斯。
8.24
11.37
1.12
1.52
3.75
3.37
-
1.42
3.12
0.84
2.30
3.70
2.14
0.51
* :典型,单位:mm
K
J
N
3引脚TO- 126ML
塑料包装
HSMC包装代码:D
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不HSMC的事先书面批准。
HSMC保留随时修改其产品,恕不另行通知。
HSMC半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
HSMC自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
总公司
(高诚微电子公司) : 10F ,没有。 61 ,秒。 2 ,中山北路。台北台湾中华民国
联系电话: 886-2-25212056传真: 886-2-25632712 , 25368454
工厂1 :
38号,光复南路,福寇新竹工业园区新竹台。 R.O.C
电话: 886-3-5983621 5传真: 886-3-5982931
HTIP117D
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
焊接方法HSMC的产品
1.存储环境:温度= 10
o
C~35
o
C湿度为65 % ± 15 %
表面贴装器件2.回流焊
图1 :温度曲线
t
P
T
P
斜升
T
L
Ts
最大
温度
t
L
规格。编号: HD200204
发行日期: 2002年4月1日
修订日期: 2005年8月18日
页页次: 4/4
关键区域
T
L
给T
P
Ts
t
S
预热
减速
25
t 25
o
C到峰值
时间
廓特征
平均升温速率(T
L
给T
P
)
预热
- 最低温度( TS
)
- 温度最高( TS
最大
)
- 时间(min到最大) (TS)的
在Tsmax至T
L
- 升温速率
时间保持高于:
- 温度(T
L
)
- 时间(t
L
)
峰值温度(T
P
)
在5个时间
o
实际的峰值了C
温度(T
P
)
下降斜率
25时
o
C到峰值温度
3.流(波)焊接(焊接浸渍)
制品
铅设备。
无铅器件。
的Sn -Pb共晶组件
<3
o
C /秒
100
o
C
150
o
C
60 120秒
<3
o
C /秒
183
o
C
60-150秒
240
o
C +0/-5
o
C
10 30秒
<6
o
C /秒
<6分钟
无铅封装
<3
o
C /秒
150
o
C
200
o
C
60 180秒
<3
o
C /秒
217
o
C
60-150秒
260
o
C +0/-5
o
C
20 40秒
<6
o
C /秒
<8分钟
峰值温度
245
o
C
±5
o
C
260
o
C +0/-5
o
C
浸渍时间
5sec
±1sec
5sec
±1sec
HTIP117D
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HTIP117D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HTIP117D
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