【HT82K70E-L/HT82K76E-LI / O型8位OTP MCU技术文档·应用说明-HA00】,IC型号HT82K70E-L,HT82K70E-L PDF资料,HT82K70E-L经销商,ic,电子元器件-51电子网

HT82K70E-L/HT82K76E-L

I / O型8位OTP MCU

技术文档

应用说明

HA0075E MCU复位和振荡器电路应用笔记

特点

工作电压： 1.8V 5.5V

43个双向I / O口线

4K'16程序存储器 - HT82K70E -L

8级硬件堆栈

位操作指令

低电压检测

表格读取指令，

63条指令

在一个或两个机器上执行的所有指令

8K×16程序存储器 - HT82K76E -L

216'8数据RAM

一个外部中断输入， I / O线共用

两个16位可编程定时/计数器

周期

集成的SPI接口（最大8MB / S）

一些引脚与CMOS和NMOS输出

48分之28引脚SSOP和32引脚QFN封装

具有溢出中断

看门狗定时器功能

掉电和唤醒功能可降低功耗

消费

晶振和RC振荡电路

概述

该装置是一个8 - bit高性能， RISC architec-

TURE单片机，专门为设计的

多个I / O控制产品应用。低电压

这些设备中的年龄操作要求打开了

新应用的可能性。

低功耗的优点， I / O使用灵活

性，定时器功能，振荡选择，省电和

唤醒功能，看门狗定时器，电机驱动，在 -

dustrial控制，消费类产品，子系统控制 -

制器等。

选型表

产品型号

HT82K70E-L

HT82K76E-L

节目

内存

4K16

2168

8K16

数据

内存

I / O

16-bit

定时器

对于LVD

电池在

SPI

堆

包

28/48SSOP,

32QFN

1.00版

2009年9月15日

HT82K70E-L/HT82K76E-L

框图

W上的TC H D 克

牛逼IM ê

的TA C k的

8 - B它

R 1是C

M C ü

C 0重

I / O

P 2 O RTS

1 6 - B它

牛逼IM ê ×2

S·P我

在TE RFA权证

1。·瓦特

V LTA克é

D E TE （C T）

- [R （E S）（E T）

℃红外 ú IT

在TE RRU P吨

0：N TR LLE

R C / C RY的TA升

S·C Illa的于r

W上的TC H D 克

牛逼IM ê R 0 S·C Illa的于r

P RO克RA米

M E M O对RY

D A TA

M E M O对RY

引脚分配

P B 5

1 0

1 1

1 2

1 3

1 4

P B 4

P A 3 / T M R 1

P A 2 / T M R 0

P 1 / Z 2

P A 0 / Z 1

P B 3

P B 2

P B 1 / V 2

P B 0 / V 1

V S S小

P·E 2

P E 3

P C 2 / T中

2 8

2 7

2 6

2 5

2 4

2 3

2 2

2 1

2 0

1 9

1 8

1 7

1 6

1 5

P B 6

P B 7

P A 4 / S （C S）

P A 5 / S C k的

P A 6 / S D I

P A 7 / S D 2 O

O 2 S C 2

S·C 1

V D D

- [R （E S）

P E 4 / B为T

P C 6

P C 5

P·C 4

P B 5

1 0

1 1

1 2

1 3

1 4

1 5

1 6

1 7

1 8

1 9

2 0

2 1

2 2

2 3

2 4

P B 4

P A 3 / T M R 1

P A 2 / T M R 0

P 1 / Z 2

P A 0 / Z 1

P B 3

P B 2

P B 1 / V 2

P B 0 / V 1

P F 1

P f 0的

P D 7

P（D） 6

P D 5

P（D） 4

V S S小

P·E 2

P E 3

P C 0

P·C 1

V S S小

P（D） 4

P D 5

P B 0 / V 1

P B 1 / V 2

P B 2

P B 3

P A 0 / Z 1

P C 2 / T中

P·E 0

P·E 1

P·E 2

P E 3

P C 2 / T中

P·C 3

P·C 4

P C 5

P C 6

P C 7

P（D） 0

P（D） 1

P E 4 / B为T

- [R （E S）

V D D

S·C 1

O 2 S C 2

P A 7 / S D 2 O

9 1 0 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 1 6

3 2 3 1 3 0 2 9 2 8 2 7 2 6 2 5

2 4

2 3

2 2

2 1

2 0

1 9

1 8

1 7

4 8

4 7

4 6

4 5

4 4

4 3

4 2

4 1

4 0

3 9

3 8

3 7

3 6

3 5

3 4

3 3

3 2

3 1

3 0

2 9

2 8

2 7

2 6

2 5

P B 6

P B 7

P A 4 / S （C S）

P A 5 / S C k的

P A 6 / S D I

P A 7 / S D 2 O

P F 2

P·E 7

P·E 6

P·E 5

O 2 S C 2

S·C 1

V D D

- [R （E S）

P E 4 / B为T

P（D） 3

P D 2

P（D） 1

P（D） 0

P C 7

P C 6

P C 5

P·C 4

P·C 3

H T 8 2千7 0 E -L

H T 8 2千7 5 E -L

2 8秒S 0 P -A

H T 8 2千7 0 E -L

H T 8 2千7 5 E -L

3 2 Q F N -A

H T 8 2千7 0 E -L

H T 8 2千7 5 E -L

4月8日S S小O·P -A

P A 1

P A 2

P A 3

P B 4

P B 5

P A 4

P A 5

P A 6

/ S （C S）

/ S C k的

/ S D I

/Z 2

/ T M R 0

/ T M R 1

1.00版

2009年9月15日

HT82K70E-L/HT82K76E-L

引脚说明

引脚名称

PA0/Z1

PA1/Z2

PA2/TMR0

PA3/TMR1

PA4/SCS

PA5/SCK

PA6/SDI

PA7/SDO

I / O

选项

描述

8位双向输入/输出端口。每个引脚可以配置为一个

唤醒输入的配置选项。软件指令决定

WAKE -UP

该引脚是CMOS输出或输入。配置选项确定

拉

引脚具有上拉电阻。配置选项决定

CMOS或NMOS

引脚配置为CMOS或NMOS引脚。配置选项阻止 -

施密特触发器或矿井是否引脚配置为施密特触发器或非斯密特

非施密特

触发输入。 PA2与外部时钟输入引脚TMR0共享。 PA3是

TRIGGER

与外部定时器输入引脚TMR1共享。 PA0和PA1共享

与Z1和Z2的引脚。 PA4 PA7是引脚SPI接口共享。

8位双向输入/输出端口。每个引脚， PB0和PB1能配置

置的作为通过配置选项的唤醒输入。两个配置选项

系统蒸发散，一个引脚PB2和PB3 ，一个用于引脚PB4 PB7 ，还可以设置

这些引脚组为唤醒输入。软件指令确定

引脚是CMOS输出或施密特触发输入。配置选项阻止 -

矿山如果每个半字节， PB0 PB3和PB4 PB7上拉电阻。 PB0

和PB1与V1和V2引脚共用。

8位双向输入/输出端口。每个半字节， PC0 PC3和PC4 PC7 ，

可以配置为唤醒输入由配置选项。软件指令

structions决定引脚是CMOS输出或施密特触发输入。

配置选项确定每个半字节， PC0 PC3和PC4 PC7

有上拉电阻。 PC2引脚的外部中断输入共用。

8位双向输入/输出端口。每个半字节， PD0 PD3和PD4 PD7 ，

可以配置为唤醒输入由配置选项。软件指令

structions决定引脚是CMOS输出或施密特触发输入。

配置选项确定每个半字节， PD0 PD3和PD4 PD7

有上拉电阻。

8位双向输入/输出端口。每个半字节， PE0 PE3和PE4 PE7 ，

可以配置为唤醒输入由配置选项。软件指令

structions决定引脚是CMOS输出或施密特触发输入。

配置选项确定每个半字节， PE0 PE3和PE4 PE7

有上拉电阻。掩膜选项决定是否PE4是I / O

引脚或一个电池输入引脚。

双向3位输入/输出端口。销， PF0 PF2可以被配置

一起被使用的配置选项的唤醒输入。软件指令

structions决定引脚是CMOS输出或施密特触发输入。一

配置选项决定是否带上拉电阻。

OSC1 ， OSC2连接外部RC网络或外部crys-

TAL ，通过配置选项来确定，对内部系统时钟。如果

选择RC系统时钟的选择，销OSC2可以用来测量

系统时钟频率的1/4 。

施密特触发器复位输入。低电平有效

负电源，接地

正电源。

I / O

PB0/V1

PB1/V2

PB2~PB7

I / O

WAKE -UP

拉

PC0~PC1

PC2/INT

PC3~PC7

I / O

WAKE -UP

拉

PD0~PD7

I / O

WAKE -UP

拉

PE0~PE3

PE4/BAT

PE5~PE7

I / O

WAKE -UP

拉

PE4 IO或BAT

PF0~PF2

I / O

WAKE -UP

拉

OSC1

OSC2

水库

VSS

VDD

注意：

晶体或RC

每个引脚可以通过配置选项选择具有唤醒功能。

1.00版

2009年9月15日

HT82K70E-L/HT82K76E-L

绝对最大额定值

电源电压........................... V

-0.3V

到V

+6.0V

输入电压.............................. V

-0.3V

到V

+0.3V

总................................................. ............. 150毫安

总功率耗散500mW的.....................................

存储温度............................- 50 ° C至125°C

工作温度...........................- 40 ° C至85°C

Total............................................................-100mA

注意：这些压力额定值只。应力超过范围的规定下，

“绝对

最大Ratings可能

对器件造成实质性损害。该器件在超出所列条件下运行

在规范中，是不是暗示和长时间暴露在极端条件下可能会影响器件的可靠性。

直流特性

测试条件

符号

参数

STB1

STB2

IL1

IH1

IL2

IH2

工作电压（晶体振荡器）

工作电流（水晶OSC ）

待机电流

输入低电压I / O， TMR

和INT

输入高电压的I / O， TMR

和INT

输入低电压（ RES ）

输入高电压（ RES ）

I / O口灌电流

I / O端口源电流

内部上拉电阻

条件

SYS

=4MHz

SYS

=8MHz

无负载，女

SYS

=6MHz

无负载，系统HALT ，

WDT启用

无负载，系统HALT ，

禁止WDT

=0.1V

=0.9V

1.8

3.3

0.7V

0.9V

-2.5

-4.5

5.5

0.3V

0.4V

分钟。

典型值。

马克斯。

Ta=25°C

单位

1.00版

2009年9月15日

HT82K70E-L/HT82K76E-L

交流特性

测试条件

符号

参数

SYS

系统时钟（晶体振荡器）

看门狗振荡器6级

预分频器期

SPI时钟

看门狗超时周期

（ WDT OSC ）

外部复位低电平脉冲宽度

系统启动定时器周期

振荡启动定时器周期

SYS

=1/f

SYS

RCSYS

=1/f

RCSYS

Ta=25°C

分钟。

0.05

0.9

典型值。

马克斯。

0.7

1.5

单位

V / ms的

WDTS=1

条件

1.8V~5.5V

3.3V~5.5V

400

SYS

/64

4.57

1024

512

4000

8000

SYS

千赫

RCSYS

SYS

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

Ta=25°C

RCSYS

SPI

WDT

水库

CON连接gure

OST

注意：

直流 - 交流上电复位特性

符号

POR

RSR

POR

POR_MAX

参数

工作电流

VDD上升速率，以确保

上电复位

最大V

启动电压

确保上电复位

测试条件

1.8V~

5.5V

POR

上电复位低电平脉宽

条件

之间没有0.1μF的

VDD和VSS

TA = 25 ℃，如果没有0.1μF的

Vdd和Vss之间

之间没有0.1μF的

VDD和VSS

介于0.1μF的

VDD和VSS

1.00版

2009年9月15日

HT82K70E-L/HT82K70A-L/HT82K76E-L

I / O型8位MCU

技术文档

应用说明

HA0075E MCU复位和振荡器电路应用笔记

特点

工作电压： 1.8V 5.5V

43个双向I / O口线

程序存储器：

晶振和RC振荡电路

8级硬件堆栈

位操作指令

低电压检测

表格读取指令，

63条指令

在一个或两个机器上执行的所有指令

4K'16 - HT82K70E -L / HT82K70A -L

8K×16 - HT82K76E -L

216'8数据RAM

一个外部中断输入， I / O线共用

两个16位可编程定时/计数器

周期

集成的SPI接口（最大8MB / S）

一些引脚与CMOS和NMOS输出

48分之28引脚SSOP封装， 32引脚QFN和

具有溢出中断

看门狗定时器功能

掉电和唤醒功能可降低功耗

消费

采用48引脚LQFP封装

概述

该装置是一个8 - bit高性能， RISC architec-

TURE单片机，专门为设计的

多个I / O控制产品应用。低电压

这些设备中的年龄操作要求打开了

新应用的可能性。

低功耗的优点， I / O使用灵活

性，定时器功能，振荡选择，省电

唤醒功能，看门狗定时器，电机驱动，在 -

dustrial控制，消费类产品，子系统控制 -

制器等。

选型表

产品型号

HT82K70E-L

HT82K70A-L

HT82K76E-L

节目

内存

4K16

2168

8K16

数据

内存

I / O

16-bit

定时器

对于LVD

电池在

SPI

堆

包

28/48SSOP

32QFN ， 48LQFP

修订版1.20

2011年2月1日

HT82K70E-L/HT82K70A-L/HT82K76E-L

框图

W上的TC H D 克

牛逼IM ê

的TA C k的

8 - B它

R 1是C

M C ü

C 0重

I / O

P 2 O RTS

1 6 - B它

牛逼IM ê ×2

S·P我

在TE RFA权证

1。·瓦特

V LTA克é

D E TE （C T）

- [R （E S）（E T）

℃红外 ú IT

在TE RRU P吨

0：N TR LLE

R C / C RY的TA升

S·C Illa的于r

W上的TC H D 克

牛逼IM ê R 0 S·C Illa的于r

P RO克RA米

M E M O对RY

D A TA

M E M O对RY

引脚分配

P·E 2

P E 3

P C 2 / T中

P·C 3

P·C 4

P C 5

P C 6

P C 7

P B 5

P B 4

P A 3 / T M R 1

P A 2 / T M R 0

P 1 / Z 2

P A 0 / Z 1

P B 3

P B 2

P B 1 / V 2

P B 0 / V 1

P B 5

1 0

1 1

1 2

1 3

1 4

H T

2 8

8 2

K 7

S 0

0 E

0 A

6 E

P -

P B 4

P A 3 / T M R 1

P A 2 / T M R 0

P 1 / Z 2

P A 0 / Z 1

P B 3

P B 2

P B 1 / V 2

P B 0 / V 1

V S S小

P·E 2

P E 3

P C 2 / T中

2 8

2 7

2 6

2 5

2 4

2 3

2 2

2 1

2 0

1 9

1 8

1 7

1 6

1 5

-L

P B 6

P B 7

P A 4 / S （C S）

P A 5 / S C k的

P A 6 / S D I

P A 7 / S D 2 O

O 2 S C 2

S·C 1

V D D

- [R （E S）

P E 4 / B为T

P C 6

P C 5

P·C 4

P F 1

P f 0的

P D 7

P（D） 6

P D 5

P（D） 4

V S S小

P·E 2

P E 3

P C 0

P·C 1

P C 2 / T中

P·E 0

P·E 1

4 8

4 7

4 6

4 5

4 4

4 3

4 2

4 1

4 0

1 0

1 1

1 2

1 3

1 4

1 5

1 6

1 7

1 8

1 9

2 0

2 1

2 2

2 3

2 4

3 9

3 8

3 7

3 6

3 5

3 4

3 3

3 2

3 1

3 0

2 9

2 8

2 7

2 6

2 5

8 2

K 7

S 0

0 E

0 A

6 E

P -

-L

P B 6

P B 7

P A 4 / S （C S）

P A 5 / S C k的

P A 6 / S D I

P A 7 / S D 2 O

P F 2

P F 7

P·E 6

P·E 5

O 2 S C 2

S·C 1

V D D

- [R （E S）

P E 4 / B为T

P（D） 3

P D 2

P（D） 1

P（D） 0

P C 7

P C 6

P C 5

P·C 4

P·C 3

P A 0 / Z

P B

P B 1 / V

P B 0 / V

P（D）

νs的

P·E

1 0

1 1

1 2

P（D） 0

P（D） 1

P E 4 / B为T

- [R （E S）

V D D

S·C 1

O 2 S C 2

P A 7 / S D 2 O

3 2 3 1 3 0 2 9 2 8 2 7 2 6 2 5

2 4

2 3

2 2

2 1

2 0

1 9

1 8

1 7

H T

8 2 K 7 0

8 2 K 7 6

2 Q F N

ê -L

一-L

ê -L

-A

9 1 0 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 1 6

V S S小

P（D） 4

P D 5

P B 0 / V 1

P B 1 / V 2

P B 2

P B 3

P A 0 / Z 1

4 8 4 7 4 6 4 5 4 4 4 3 4 2 4 1 4 0 3 9 3 8 3 7

P A 1

P A 2

P A 3

P B 4

P B 5

P A 4

P A 5

P A 6

/ S （C S）

/ S C k的

/ S D I

/Z 2

/ T M R 0

/ T M R 1

3 6

3 5

3 4

3 3

N c个

P A 7 / S D 2 O

P A 6 / S D I

P A 5 / S C k的

P A 4 / S （C S）

P B 7

P B 6

P B 5

P B 4

P A 3 / T M R 1

P A 2 / T M R 0

P 1 / Z 2

H T

4 8

8 2

K 7

Q F

0 E

0 A

6 E

P -

-L

3 2

3 1

3 0

2 9

2 8

2 7

2 6

1 3 1 4 1 5 1 6 1 7 1 8 1 9 2 0 2 1 2 2 2 3 2 4

2 5

H T

4 8

P F 2

P F 7

P·E 6

P·E 5

O 2 S C 2

S·C 1

V D D

- [R （E S）

P E 4 / B为T

P（D） 3

P D 2

P（D） 1

P（D） 0

P C 7

P C 6

P C 5

P·C 4

P·C 3

P·E 1

P·E 0

P C 2 / T中

P·C 1

P C 0

P E 3

修订版1.20

2011年2月1日

HT82K70E-L/HT82K70A-L/HT82K76E-L

引脚说明

引脚名称

PA0/Z1

PA1/Z2

PA2/TMR0

PA3/TMR1

PA4/SCS

PA5/SCK

PA6/SDI

PA7/SDO

I / O

选项

描述

8位双向输入/输出端口。每个引脚可以配置为一个

唤醒输入的配置选项。软件指令决定

WAKE -UP

该引脚是CMOS输出或输入。配置选项确定

拉

引脚具有上拉电阻。配置选项决定

CMOS或NMOS

引脚配置为CMOS或NMOS引脚。配置选项阻止 -

施密特触发器或矿井是否引脚配置为施密特触发器或非斯密特

非施密特

触发输入。 PA2与外部时钟输入引脚TMR0共享。 PA3是

TRIGGER

与外部定时器输入引脚TMR1共享。 PA0和PA1共享

与Z1和Z2的引脚。 PA4 PA7是引脚SPI接口共享。

8位双向输入/输出端口。每个引脚， PB0和PB1能配置

置的作为通过配置选项的唤醒输入。两个配置选项

系统蒸发散，一个引脚PB2和PB3 ，一个用于引脚PB4 PB7 ，还可以设置

这些引脚组为唤醒输入。软件指令确定

引脚是CMOS输出或施密特触发输入。配置选项阻止 -

矿山如果每个半字节， PB0 PB3和PB4 PB7上拉电阻。 PB0

和PB1与V1和V2引脚共用。

8位双向输入/输出端口。每个半字节， PC0 PC3和PC4 PC7 ，

可以配置为唤醒输入由配置选项。软件指令

structions决定引脚是CMOS输出或施密特触发输入。

配置选项确定每个半字节， PC0 PC3和PC4 PC7

有上拉电阻。 PC2引脚的外部中断输入共用。

8位双向输入/输出端口。每个半字节， PD0 PD3和PD4 PD7 ，

可以配置为唤醒输入由配置选项。软件指令

structions决定引脚是CMOS输出或施密特触发输入。

配置选项确定每个半字节， PD0 PD3和PD4 PD7

有上拉电阻。

8位双向输入/输出端口。每个半字节， PE0 PE3和PE4 PE7 ，

可以配置为唤醒输入由配置选项。软件指令

structions决定引脚是CMOS输出或施密特触发输入。

配置选项确定每个半字节， PE0 PE3和PE4 PE7

有上拉电阻。掩膜选项决定是否PE4是I / O

引脚或一个电池输入引脚。

双向3位输入/输出端口。销， PF0 PF2可以被配置

一起被使用的配置选项的唤醒输入。软件指令

structions决定引脚是CMOS输出或施密特触发输入。一

配置选项决定是否带上拉电阻。

OSC1 ， OSC2连接外部RC网络或外部晶振，

通过配置选项来确定，对内部系统时钟。如果RC

被选定的系统时钟的选择，销OSC2可以用来测量系

统时钟四分频。

施密特触发器复位输入。低电平有效

负电源，接地

正电源。

I / O

PB0/V1

PB1/V2

PB2~PB7

I / O

WAKE -UP

拉

PC0~PC1

PC2/INT

PC3~PC7

I / O

WAKE -UP

拉

PD0~PD7

I / O

WAKE -UP

拉

PE0~PE3

PE4/BAT

PE5~PE7

I / O

WAKE -UP

拉

PE4 IO或BAT

PF0~PF2

I / O

WAKE -UP

拉

OSC1

OSC2

水库

VSS

VDD

注意：

晶体或RC

每个引脚可以通过配置选项选择具有唤醒功能。

修订版1.20

2011年2月1日

HT82K70E-L/HT82K70A-L/HT82K76E-L

绝对最大额定值

电源电压........................... V

-0.3V

到V

+6.0V

输入电压.............................. V

-0.3V

到V

+0.3V

总................................................. ............. 150毫安

总功率耗散500mW的.....................................

存储温度............................- 50 ° C至125°C

工作温度...........................- 40 ° C至85°C

Total............................................................-100mA

注意：这些压力额定值只。应力超过范围的规定下，

“绝对

最大Ratings可能

对器件造成实质性损害。该器件在超出所列条件下运行

在规范中，是不是暗示和长时间暴露在极端条件下可能会影响器件的可靠性。

直流特性

测试条件

符号

参数

STB1

STB2

IL1

IH1

IL2

IH2

工作电压（晶体振荡器）

工作电流（水晶OSC ）

待机电流

输入低电压I / O， TMR

和INT

输入高电压的I / O， TMR

和INT

输入低电压（ RES ）

输入高电压（ RES ）

I / O口灌电流

I / O端口源电流

内部上拉电阻

条件

SYS

=4MHz

SYS

=8MHz

无负载，女

SYS

=6MHz

无负载，系统HALT ，

WDT启用

无负载，系统HALT ，

禁止WDT

=0.1V

=0.9V

1.8

3.3

0.7V

0.9V

-2.5

-4.5

5.5

0.3V

0.4V

分钟。

典型值。

马克斯。

Ta=25°C

单位

修订版1.20

2011年2月1日

HT82K70E-L/HT82K70A-L/HT82K76E-L

交流特性

测试条件

符号

参数

SYS

系统时钟（晶体振荡器）

看门狗振荡器6级

预分频器期

SPI时钟

看门狗超时周期

（ WDT OSC ）

外部复位低电平脉冲宽度

系统启动定时器周期

振荡启动定时器周期

SYS

=1/f

SYS

RCSYS

=1/f

RCSYS

Ta=25°C

分钟。

POR

RSR

POR

POR_MAX

工作电流

VDD上升速率，以确保

上电复位

最大V

启动电压

确保上电复位

1.8V~

5.5V

OPR

上电复位低电平脉宽

介于0.1μF的

VDD和VSS

条件

之间没有0.1μF的

VDD和VSS

TA = 25 ℃，如果没有0.1μF的

Vdd和Vss之间

之间没有0.1μF的

VDD和VSS

0.05

0.9

0.7

1.5

V / ms的

典型值。

马克斯。

单位

WDTS=1

条件

1.8V~5.5V

3.3V~5.5V

400

SYS

/64

4.57

1024

512

4000

8000

SYS

千赫

RCSYS

SYS

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

Ta=25°C

RCSYS

SPI

WDT

水库

CON连接gure

OST

注意：

直流 - 交流上电复位特性

测试条件

符号

参数

修订版1.20

2011年2月1日