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HT82B40R/HT82B40A
I / O的MCU与USB接口
技术文档
·
应用说明
-
HA0075E MCU复位和振荡器电路应用笔记
特点
·
工作电压:
·
完全集成的6MHz或12MHz的振荡器
·
所有I / O引脚具有唤醒功能
·
省电功能和唤醒功能降低
f
SYS
= 6M / 12MHz的: 3.3V 5.5V
·
低电压复位功能
·
34个双向I / O口线(最大)
·
与8位可编程定时/计数器
耗电量
·
8级硬件堆栈
·
截至0.33ms指令周期为12MHz的系统
溢流中断
·
16位可编程定时/计数器
在V时钟
DD
=5V
·
位操作指令
·
15位查表指令
·
63条指令
·
在一个或两个机器周期的所有指令
·
20 /28/ 48引脚SSOP ,20元/ 32引脚QFN和
溢流中断
·
看门狗定时器
·
支持PS2和USB模式
·
USB 2.0低速功能
·
支持3端点 - 端点0包含
·
4096×15程序存储器
·
160×8数据存储器RAM
·
V33O之间的集成1.5kW的电阻
采用48引脚LQFP封装
USBPDN引脚用于USB应用
概述
该HT82B40R和HT82B40A是8位高perfor-
曼斯,精简指令集单片机spe-
cifically设计的多个I / O控制产品
应用程序。
低功耗的优点, I / O灵活性,
定时器功能,集成了USB接口,电源关闭
和唤醒功能,看门狗定时器等,使
器件非常适用于计算机外设使用
产品的应用,以及许多其他应用
如工业控制,消费类产品,子系统
统控制器等。
该HT82B40A掩膜版型是引脚和功能
与HT82B40R OTP版本DE-倚重兼容
副。
修订版1.50
1
2011年2月17日
HT82B40R/HT82B40A
框图
W上的TC H D 克
牛逼IM ê
8 - B它
R 1是C
M C ü
C 0重
P RO克RA米
M E M O对RY
D A TA
M E M O对RY
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1。·瓦特
V LTA克é
- [R (E S) (E T)
W上的TC H D 克
牛逼IM ê R 0 S·C Illa的于r
- [R (E S) (E T)
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0:N TR LLE
在TE Rn的一个升
S·C Illa的于r
R C
美B
I / O
P 2 O RTS
8 - B它
牛逼IM ê
1 6 - B它
牛逼IM ê
V 3 3 O
引脚分配
P B 0
P B 2
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V D D
P B 6
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P B 7
V D D
V 3 3 O
美B P(D) N / D A T A
美B P(D) P / C L·K
P·E 0
P·E 1
V S S小
- [R (E S)
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1 9
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1 5
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P B 0
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P A 6 / T M R 0
P A 5
P A 4
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P A 0
N c个
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1 8
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2 0
2 1
2 2
2 3
2 4
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
V D D
V 3 3 O
P B 4
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1 3
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美B P(D) P / C L·K
P·E 0
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V S S小
- [R (E S)
P C 0
P·C 1
2 8
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2 6
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2 0
1 9
1 8
1 7
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P B 0
P A 7 / T M R 1
P A 6 / T M R 0
P A 5
P A 4
P A 3
P A 2
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P A 0
P C 7
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美B P(D) N / D A T A
美B P(D) P / C L·K
P·E 0
P·E 1
V S S小
- [R (E S)
P C 0
P·C 1
P C 2
P·C 3
P(D) 0
P(D) 1
P D 2
P(D) 3
4 8
4 7
4 6
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3 9
3 8
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P A 7 / T M R 1
P A 6 / T M R 0
P A 5
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P C 7
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P·C 4
P D 7
P(D) 6
P D 5
P(D) 4
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N c个
N c个
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N c个
V·D
V 3 3
美B P(D) N / D为T
美B P(D) P / C L
N c个
O
D
A
K
9
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1 1
1 2
1 3 1 4 1 5 1 6 1 7 1 8 1 9 2 0 2 1 2 2 2 3 2 4
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3
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V 3 3
美B P(D) N / D为T
美B P(D) P / C L
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A
1
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5
H T 8 2 B 4 0 R
1 4
H T 8 2 B 4 0
1 3
2 0 Q F N -A
1 2
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1 5
P A 7 / T M R 1
P A 6 / T M R 0
P A 5
P A 4
P A 3
P A
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S
2
3
P A
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P A
P A
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P A 6 / T M R
P A 7 / T M R
1
0
H T 8 2 B 4 0 R / H T 8 2 B 4 0
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1
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P B 1
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P B 3
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3 2 3 1 3 0 2 9 2 8 2 7 2 6 2 5
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4 8 4 7 4 6 4 5 4 4 4 3 4 2 4 1 4 0 3 9 3 8 3 7
0
H T 8 2 B 4 0 R
H T 8 2 B 4 0
3 2 Q F N -A
P C 7
P C 6
P C 5
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美B P(D) N / D为T
V 3 3 O
V D D
P A 4
P A 5
6 / T M R 0
7 / T M R 1
P B 0
P B 1
P B 2
P B 3
A
P B 4
P B 5
P B 6
P B 7
3 6
3 5
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5
P A 3
P A 2
P A 1
P A 0
P C 7
P C 6
P C 5
P·C 4
P D 7
P(D) 6
P D 5
P(D) 4
4
3
2
1
0
H T 8 2 B 4 0 R / H T 8 2 B 4 0
2 8秒S 0 P -A
H T 8 2 B 4 0 R / H T 8 2 B 4 0
4月8日S S小O·P -A
H T 8 2 B 4 0 R / H T 8 2 B 4 0
4 8升Q在fp -A
3 1
3 0
2 9
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P D 2
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- [R (E S)
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P·E 1
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修订版1.50
2
2011年2月17日
HT82B40R/HT82B40A
引脚说明
引脚名称
I / O
选项
描述
8位双向输入/输出端口。每个引脚可以配置为一个
唤醒输入的配置选项。软件指令决定
雷引脚是CMOS输出或NMOS , PMOS或施密特触发器
WAKE -UP
输入。配置选项确定结构的CMOS ,
NMOS / CMOS / PMOS NMOS或PMOS类型。配置选项决定是否销
有上拉电阻。 TMR0和TMR1共用引脚与PA6
和PA7分别。
8位双向输入/输出端口。每个半字节可以被配置为
通过配置选项为唤醒输入。软件指令决定
termine引脚是CMOS输出或施密特触发输入。组态
理性的选择决定是否带上拉电阻。该
PB0电源 PB7可以被选择成VDD或V33O输出。
8位双向输入/输出端口。每个半字节可以被配置为
通过配置选项为唤醒输入。软件指令决定
termine引脚是CMOS输出或施密特触发输入。组态
理性的选择决定是否带上拉电阻。
双向8位输入/输出端口。每个半字节可配置
通过配置选项为唤醒输入。软件说明
决定引脚是CMOS输出或施密特触发输入。 CON-
配置选项决定是否带上拉电阻。
2位双向输入/输出端口。每个引脚可以配置为一个
唤醒输入的配置选项。软件指令决定
雷引脚是CMOS输出或施密特触发输入。组态
选项控制引脚有上拉电阻。
USBPDP线。 USB功能可通过软件控制
USBPDN线。 USB功能可通过软件控制
施密特触发器复位输入。低电平有效
数字负电源,接地
数字电源正极
3.3V稳压器输出
PA0~PA5
PA6/TMR0
PA7/TMR1
I / O
PB0~PB7
I / O
WAKE -UP
PC0~PC7
I / O
WAKE -UP
PD0~PD7
I / O
WAKE -UP
PE0~PE1
I / O
WAKE -UP
USBPDP / CLK
USBPDN / DATA
水库
VSS
VDD
V33O
I / O
I / O
I
O
注:由于引脚说明表适用于最大封装尺寸并不是所有的引脚上可能存在的更小的封装。
绝对最大额定值
电源电压........................... V
SS
-0.3V
到V
SS
+6.0V
输入电压.............................. V
SS
-0.3V
到V
DD
+0.3V
I
OL
总................................................. ............. 150毫安
总功率耗散500mW的.....................................
存储温度............................- 50 ° C至125°C
工作温度...........................- 40 ° C至85°C
I
OH
Total............................................................-100mA
注意:这些压力额定值只。应力超过范围的规定下,
“绝对
最大Ratings可能
对器件造成实质性损害。该器件在超出所列条件下运行
在规范中,是不是暗示和长时间暴露在极端条件下可能会影响器件的可靠性。
修订版1.50
3
2011年2月17日
HT82B40R/HT82B40A
直流特性
测试条件
符号
V
DD
参数
V
DD
工作电压
(集成振荡器)
工作电流
5V
条件
f
SYS
=为6MHz或12MHz的
无负载,女
SYS
=6MHz
无负载,女
SYS
=12MHz
待机电流
I
机顶盒
待机电流
( WDT启用)
输入低电压, PA ,PC
V
IL
输入低电压的PB
输入低电压RES引脚
输入高电压为PA ,PC
V
IH
输入高电压的PB
输入高电压RES引脚
V
LVR
V
V33O
I
OL
I
OH
低电压复位
3.3V稳压器输出的
USB SIE
输出灌电流为I / O引脚
输出源电流为I / O引脚
内部上拉电阻的CLK ,
数据
R
PH
内部上拉电阻的PB
内部上拉电阻的PA,PC ,
PD和PE0 PE1
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
其中,V
DDIO
=V
DD
或V33O通过选项PB
5V
无负载,系统USB
暂停,设置CLK_adj
[22H]
*
无负载,系统HALT ,
输入/输出模式,集
SUSP2 & CLK_adj [ 22H ]
3.3
6.5
7.5
5.5
12
16
400
V
mA
mA
mA
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Ta=25°C
I
DD
0
0
0
2.6
3.3
4
-4
4.7
30
50
15
0.8
0.3V
DDIO
0.4V
DD
5
V
DDIO
V
DD
3.2
3.6
45
70
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
kW
kW
kW
2
其中,V
DDIO
=V
DD
0.8V
DDIO
或V33O通过选项PB
0.9V
DD
I
V33O
=70mA
V
OL
=0.4V
V
OH
=3.4V
2.0
3.0
2
-2
15
20
注意:
*
包括15kW的负载,在主机端的USBPDP , USBPDN线。
修订版1.50
4
2011年2月17日
HT82B40R/HT82B40A
交流特性
测试条件
符号
f
RCSYS
t
WDT
t
USB
t
OST
参数
V
DD
RC时钟,带有8位预分频寄存器
看门狗超时周期
(系统时钟)
USBPDP , USBPDN瑞星&下降时间
振荡启动定时器周期
5V
4.0V~
5.5V
3.0~
4.0V
4.2~
5.5V
条件
1024
75
10.80
10.56
11.82
32
1024
5
12.00
12.00
12.00
300
13.20
13.44
12.18
千赫
1/f
RCSYS
ns
t
SYS
ms
兆赫
兆赫
兆赫
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Ta=25°C
t
OSCsetup
晶体安装
f
INO125V
f
INO123V
f
INOUSB
注意:
内部振荡器频率为12MHz的
内部振荡器频率为12MHz的
内部振荡器频率与USB
模式
t
SYS
=1/f
SYS
POWER_ON周期= T
WDT
+ t
OST
+ t
OSCsetup
WDT TIME_OUT在正常模式=的1 / f
RCSYS
256
WDTS + T
WDT
TIME_OUT WDT在掉电模式=的1 / f
RCSYS
256
WDTS + T
OST
+ t
OSCsetup
修剪对已使用出厂预设值5V操作。修剪频率为12MHz的
±3%
修订版1.50
5
2011年2月17日
HT82B40R/HT82B40A
I / O的MCU与USB接口
技术文档
·
应用说明
-
HA0075E MCU复位和振荡器电路应用笔记
特点
·
工作电压:
·
V33O之间的集成1.5kW的电阻
f
SYS
= 6M / 12MHz的: 3.3V 5.5V
·
低电压复位功能
·
34个双向I / O口线(最大)
·
与8位可编程定时/计数器
D-引脚用于USB应用
·
完全集成的6MHz或12MHz的振荡器
·
所有I / O引脚具有唤醒功能
·
省电功能和唤醒功能降低
溢流中断
·
16位可编程定时/计数器,
耗电量
·
8级硬件堆栈
·
截至0.33ms指令周期为12MHz的系统
溢出中断
·
看门狗定时器
·
支持PS2和USB模式
·
USB 2.0低速功能
·
支持3端点 - 端点0包含
·
4096×15程序存储器
·
160×8数据存储器RAM
在V时钟
DD
=5V
·
位操作指令
·
15位查表指令
·
63条指令
·
在一个或两个机器周期的所有指令
·
20 /28/ 48引脚SSOP ,20元/ 32引脚QFN封装
概述
该HT82B40R和HT82B40A是8位高perfor-
曼斯,精简指令集单片机spe-
cifically设计的多个I / O控制产品
应用程序。
低功耗的优点, I / O灵活性,
定时器功能,集成了USB接口,电源关闭
和唤醒功能,看门狗定时器等,使
器件非常适用于计算机外设使用
产品的应用,以及许多其他应用
如工业控制,消费类产品,子系统
统控制器等。
该HT82B40A掩膜版型是引脚和功能
与HT82B40R OTP版本DE-倚重兼容
副。
修订版1.10
1
2009年9月4日
HT82B40R/HT82B40A
框图
W上的TC H D 克
牛逼IM ê
8 - B它
R 1是C
M C ü
C 0重
T P上P RO克RA米
M E M O对RY
D A TA
M E M O对RY
的TA C k的
1。·瓦特
V LTA克é
- [R (E S) (E T)
W上的TC H D 克
牛逼IM ê R 0 S·C Illa的于r
- [R (E S) (E T)
℃红外 ú IT
在TE RRU P吨
0:N TR LLE
R C / C RY的TA升
S·C Illa的于r
美B
I / O
P 2 O RTS
8 - B它
牛逼IM ê
1 6 - B它
牛逼IM ê
P ,R 0摹R A M M A B LE
f重新Q ü简
摹简岭至R
V 3 3 O
引脚分配
P B 0
P B 2
P B 4
P B 6
V D D
P B 6
1
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5
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P B 7
V D D
V 3 3 O
- / D A T A
D + / C L·K
P·E 0
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G N
- [R (E S)
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P B 0
P A 7 / T M R 1
P A 6 / T M R 0
P A 5
P A 4
P A 3
P A 2
P A 1
P A 0
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N c个
N c个
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V D D
V 3 3 O
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V 3 3 O
- / D A T A
D + / C L·K
P·E 0
P·E 1
G N
- [R (E S)
P C 0
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P A 4
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- / D A T A
D + / C L·K
P·E 0
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P C 7
P C 6
P C 5
P·C 4
P D 7
P(D) 6
P D 5
P(D) 4
P B 0
P B 1
P B 2
P B 3
P B 4
P B 5
P B 6
P B 7
1
2
3
4
5
6
7
8
9 1 0 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 1 6
V 3 3
- / D为T
D + / C L
P·E
G N
O
K
D
A
1
2
2 0 1 9 1 8 1 7 1 6
3
1
4
5
H T 8 2 B 4 0 R
1 4
H T 8 2 B 4 0
1 3
2 0 Q F N -A
1 2
6
7
8
9
1 0
1 1
1 5
P A 7 / T M R 1
P A 6 / T M R 0
P A 5
P A 4
P A 3
P A
P A
P A
P·C
S
3
2
1
0
H T 8 2 B 4 0 R / H T 8 2 B 4 0
2 0 S S 0 P -A
P A
P A
P A
P A
P A
P A
P A 6 / T M R
P A 7 / T M R
1
3 2 3 1 3 0 2 9 2 8 2 7 2 6 2 5
2 4
2 3
2 2
2 1
2 0
1 9
1 8
1 7
0
H T 8 2 B 4 0 R
H T 8 2 B 4 0
3 2 Q F N -A
P C 7
P C 6
P C 5
P·C 4
P·C 3
P C 2
P·C 1
P C 0
- [R (E S)
G N
P·E 1
P·E 0
D + / C L·K
- / D A T A
V 3 3 O
V D D
5
4
3
2
1
0
H T 8 2 B 4 0 R / H T 8 2 B 4 0
2 8秒S 0 P -A
H T 8 2 B 4 0 R / H T 8 2 B 4 0
4月8日S S小O·P -A
修订版1.10
2
2009年9月4日
HT82B40R/HT82B40A
引脚说明
引脚名称
I / O
选项
描述
8位双向输入/输出端口。每个引脚可以配置为一个
唤醒输入的配置选项。软件指令决定
雷引脚是CMOS输出或NMOS , PMOS或施密特触发器
WAKE -UP
输入。配置选项确定结构的CMOS ,
NMOS / CMOS / PMOS NMOS或PMOS类型。配置选项决定是否销
有上拉电阻。 TMR0和TMR1共用引脚与PA6和
PA7分别。
8位双向输入/输出端口。每个半字节可以被配置为
唤醒输入的配置选项。软件指令决定
雷引脚是CMOS输出或施密特触发输入。组态
选项决定是否带上拉电阻。电源
对PB0 PB7可以被选择成VDD或V33O输出。
8位双向输入/输出端口。每个半字节可以被配置为
唤醒输入的配置选项。软件指令决定
雷引脚是CMOS输出或施密特触发输入。组态
选项决定是否带上拉电阻。
双向8位输入/输出端口。每个半字节可以被配置为
通过配置选项为唤醒输入。软件指令决定
雷引脚是CMOS输出或施密特触发输入。组态
选项决定是否带上拉电阻。
2位双向输入/输出端口。每个引脚可以配置为一个
唤醒输入的配置选项。软件指令决定
雷引脚是CMOS输出或施密特触发输入。组态
选项决定是否带上拉电阻。
USBD +线。 USB功能可通过软件控制
USBD-线。 USB功能可通过软件控制
施密特触发器复位输入。低电平有效
数字负电源,接地
数字电源正极
3.3V稳压器输出
PA0~PA5
PA6/TMR0
PA7/TMR1
I / O
PB0~PB7
I / O
WAKE -UP
PC0~PC7
I / O
WAKE -UP
PD0~PD7
I / O
WAKE -UP
PE0~PE1
I / O
WAKE -UP
D + / CLK
D /数据
水库
VSS
VDD
V33O
I / O
I / O
I
O
注:由于引脚说明表适用于最大封装尺寸并不是所有的引脚上可能存在的更小的封装。
绝对最大额定值
电源电压........................... V
SS
-0.3V
到V
SS
+6.0V
输入电压.............................. V
SS
-0.3V
到V
DD
+0.3V
I
OL
总................................................. ............. 150毫安
总功率耗散500mW的.....................................
存储温度............................- 50 ° C至125°C
工作温度...........................- 40 ° C至85°C
I
OH
Total............................................................-100mA
注意:这些压力额定值只。应力超过范围的规定下,
“绝对
最大Ratings可能
对器件造成实质性损害。该器件在超出所列条件下运行
在规范中,是不是暗示和长时间暴露在极端条件下可能会影响器件的可靠性。
修订版1.10
3
2009年9月4日
HT82B40R/HT82B40A
直流特性
测试条件
符号
V
DD
I
DD
参数
V
DD
工作电压(晶体振荡器)
工作电流
5V
条件
f
SYS
=为6MHz或12MHz的
无负载,女
SYS
=6MHz
无负载,女
SYS
=12MHz
待机电流
I
机顶盒
待机电流
( WDT启用)
输入低电压, PA ,PC
V
IL
输入低电压的PB
输入低电压RES引脚
输入高电压为PA ,PC
V
IH
输入高电压的PB
输入高电压RES引脚
V
LVR
V
V33O
I
OL1
I
OL2
I
OL3
I
OH1
I
OH2
I
OH3
低电压复位
3.3V稳压器输出的
USB SIE
输出灌电流的端口PB
输出灌电流的端口PA0
输出灌电流的端口
PA1 PA7 ,PC , PD和PE0 PE1
输出的电流源端口PB
输出的电流源端口
PA0
输出的电流源端口
PA1 PA7 ,PC , PD和PE0 PE1
内部上拉电阻的CLK ,
数据
R
PH
内部上拉电阻的PB
内部上拉电阻的PA,PC ,
PD和PE0 PE1
注意:
*
包括15kW的负载对USBD + ,在主机终端USBD-线。
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
其中,V
DDIO
=V
DD
或V33O通过选项PB
5V
无负载,系统USB
暂停,设置CLK_adj
[22H]
*
无负载,系统HALT ,
输入/输出模式,集
SUSP2 & CLK_adj [ 22H ]
3.3
6.5
7.5
5.5
12
16
400
V
mA
mA
mA
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Ta=25°C
0
0
0
2
2.6
3.3
20
12
4
-40
-20
-4
4.7
30
50
15
0.8
0.3V
DDIO
0.4V
DD
5
V
DDIO
V
DD
3.2
3.6
45
70
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
kW
kW
kW
其中,V
DDIO
=V
DD
0.8V
DDIO
或V33O通过选项PB
0.9V
DD
I
V33O
=70mA
V
OL
=0.4V
V
OL
=0.4V
V
OL
=0.4V
V
OH
=3.4V
V
OH
=3.4V
V
OH
=3.4V
2.0
3.0
10
6
2
-20
-10
-2
15
20
修订版1.10
4
2009年9月4日
HT82B40R/HT82B40A
交流特性
测试条件
符号
f
RCSYS
t
WDT
参数
V
DD
RC时钟,带有8位预分频寄存器
看门狗超时周期
(系统时钟)
USBD + , USBD- &上升下降时间
t
OST
振荡启动定时器周期
5V
4.0V~
5.5V
3.0~
4.0V
4.2~
5.5V
条件
1024
75
10.80
10.56
11.82
32
1024
5
12.00
12.00
12.00
300
13.20
13.44
12.18
千赫
1/f
RCSYS
ns
t
SYS
ms
兆赫
兆赫
兆赫
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Ta=25°C
t
OSCsetup
晶体安装
f
INO125V
f
INO123V
f
INOUSB
注意:
内部振荡器频率为12MHz的
内部振荡器频率为12MHz的
内部振荡器频率与USB
模式
t
SYS
=1/f
SYS
POWER_ON周期= T
WDT
+ t
OST
+ t
OSCsetup
WDT TIME_OUT在正常模式=的1 / f
RCSYS
256
WDTS + T
WDT
TIME_OUT WDT在掉电模式=的1 / f
RCSYS
256
WDTS + T
OST
+ t
OSCsetup
修剪对已使用出厂预设值5V操作。修剪频率为12MHz的
±3%
修订版1.10
5
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21+
605752
SOPDIP
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