HTMOS
TM
高温产品
高温32K x 8静态RAM
特点
规定在-55 + 225℃
制造为HTMOS IV绝缘体上硅（ SOI ）
读/写周期时间
≤
50纳秒支持20 MHz的时钟
异步操作
CMOS输入/输出缓冲器
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
密封28引脚陶瓷DIP
HT6256
领域应用
井下油井
航空电子
涡轮发动机控制
工业过程控制
核反应堆
电力转换
重型内燃机
概述
在32K ×8高温静态RAM是一种高
性能32,768字×8位的静态随机存取
内存与行业标准的功能。这是fabri-
cated与霍尼韦尔的HTMOS 技术，并且是
专为中重度的系统中使用的操作系统
高温环境。
该内存只需要一个5 V
±
10 ％的电力供应
并拥有CMOS兼容的I / O。功率消耗是
典型地小于30毫瓦/ MHz的操作，且小于
10毫瓦时，取消选择。该RAM读取操作是完全
异步的，具有相关联的典型的存取时间
50 ns的5 V.
该内存提供了性能保证，在整个
-55到+ 225 °C温度范围。通常情况下，部分将
高达+ 300 ℃的一年，有降额perfor-
曼斯。所有部件都经过250 ℃下，以消除婴儿
死亡率。
封装引脚
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
顶部
意见
VDD
NWE
A13
A8
A9
A11
诺埃
A10
NCS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
固体电子学中心 12001国道55 ，普利茅斯，MN 55441 （ 800 ） 323-8295 http://www.ssec.honeywell.com
HT6256
工作原理图
A:0-8,12-13
ROW
解码器
11
32,768 x 8
内存
ARRAY
CE *
NCS
列解码器
数据输入/输出
NWE
WE CS CE
8
8
DQ ： 0-7
诺埃
NWE CS CE OE
（ 0 =高Z）
信号
1 =启用
#
信号
A:9-11, 14
4
所有的控制必须是
使能信号，以
通过。 （ ＃ ：数
缓冲区，默认值= 1 ）
信号定义
A: 0-14
DQ ： 0-7
NCS
地址输入引脚，选择存储阵列中特定8位字。
双向数据引脚的写入期间中的读取操作，并作为数据输入端，作为数据输出
操作。
负芯片选择，当处于低电平允许正常的读或写操作。当处于高电平的NCS
强制的SRAM到一个预充电状态，保持在高阻抗状态的数据输出驱动器和
禁用所有的输入缓冲器。如果不使用该信号就必须连接到VSS。
否定的写使能，当处于低电平激活的写操作和保存的数据输出驱动器在
一个高阻抗状态。当在较高的水平西北欧允许正常的读操作。
负输出使能，当在较高的水平保持在高阻抗状态的数据输出驱动器。当
处于低电平时，数据输出驱动器的状态由NCS和西北欧限定。如果不使用该信号必须是
连接到Vss 。
芯片使能的外部控制仅适用于其他封装选项的额外功能。芯片使能，当
在一个较高的水平，允许正常操作。当处于低电平的CE强制SRAM中，以一个预充电状态，
保持在高阻抗状态的数据输出驱动器，并禁用除NCS输入所有输入缓冲器
缓冲区。如果不使用这个信号必须将其连接到VDD。
NWE
诺埃
CE *
真值表
NCS
L
L
H
X
CE *
H
H
X
L
NWE
H
L
XX
XX
诺埃
L
X
XX
XX
模式
读
写
取消
残
DQ
数据输出
DATA IN
高Z
高Z
注意事项：
X： VI = VIH或VIL
XX ： VSS≤VI≤VDD
NOE = H：高Z输出状态保持
NCS = X ， CE = X ， NWE = X
2
HT6256
绝对最大额定值
(1)
等级
符号
VDD
VPIN
Tstore
Tsolder
PD
IOUT
VPROT
参数
电源电压范围（ 2 ）
任何引脚电压（ 2 ）
存储温度（零偏）
焊接温度（ 5秒）
最大功率耗散（ 3 ）
DC或平均输出电流
ESD输入保护电压（ 4 ）
热电阻（ JCT-到案例）
28 DIP
2000
10
民
-0.5
-0.5
-65
最大
6.5
VDD+0.5
325
355
2
25
单位
V
V
°C
°C
W
mA
V
° C / W
Θ
JC
（ 1 ）强调超过上述所列可能导致永久性损坏。这些压力额定值只，和运行在这些级别是不
暗示。经常或长期暴露在绝对最大条件可能会影响器件的可靠性。
（2 ）电压引用到VSS。
（ 3 ） RAM的功耗（ IDDSB + IDDOP ）加RAM的输出驱动器的功耗是由于外部载荷不得超过本规范。
（ 4 ） 2级静电放电（ ESD）保护的输入。按降序认证的实验室按照MIL -STD -883方法3015进行测试。
推荐工作条件
描述
符号
VDD
TA
VPIN
参数
电源电压（参考VSS ）
环境温度
任何引脚电压（参考VSS ）
民
4.5
-55
-0.3
典型值
5.0
25
最大
5.5
225
VDD+0.3
单位
V
°C
V
电容
(1)
符号
CI
CO
参数
输入电容
输出电容
典型
(2)
5
7
最坏的情况下
民
最大
7
9
单位
pF
pF
测试条件
VI = VDD和VSS ， F = 1兆赫
VIO = VDD和VSS ， F = 1兆赫
（ 1 ）该参数在初始设计特性测试只
（ 2 ）典型工作条件： TA = 25 ℃。
数据保持特性（ 1 ）
符号
VDR
IDR
参数
数据保持电压
数据保持电流
典型
最坏的情况下
民
2.5
500
330
最大
单位
V
A
A
测试条件
NCS = VDR
VI = VDR或VSS
NCS = VDD = 2.5V ， VI = VDD和VSS
NCS = VDD = 3.0V ， VI = VDD和VSS
（ 1 ）工作条件： TA = -55 ° C至+ 125°C 。
3
HT6256
DC电气特性
最坏的情况（ 2 ）
符号
IDDSB1
参数
静态电源电流
测试条件
VIH = VDD ， IO = 0
VIL = VSS ， F = 0MHz处
NCS = VDD ， IO = 0 ，
F = 40MHz的
F = 1MHz时， IO = 0 ， CE = VIH = VDD
NCS = VIL = VSS （ 3 ）
F = 1MHz时， IO = 0 ， CE = VIH = VDD
NCS = VIL = VSS （ 3 ）
VSS
六， VDD
典型值（1 ）
0.2
0.2
3.4
2.8
-5
-10
1.7
3.2
0.3
0.005
4.3
4.5
4.2
Vdd-0.05
0.7xVdd
0.4
0.05
民
最大
2.0
2.0
4.0
4.0
+5
+10
0.3xVdd
单位
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
V
IDDSBMF待机电源电流，取消选择
IDDOPW
IDDopr
II
IOZ
V IL
VIH
VOL
VOH
动态电源电流选择（写）
动态电源电流选择（读）
输入漏电流
输出漏电流
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输出电压
高电平输出电压
VSS VDD VIO
输出=高阻
三月模式
三月模式
VD = 4.5V ， IOL = 10 MA（ CMOS ）
VDD = 4.5V ， IO = 200 μA
VDD = 4.5V ， IOH = -5毫安
VDD = 4.5V ， IOH = -200 μA
（ 1 ）典型工作条件： VDD = 5.0 V ， TA = 25 ℃。
（ 2 ）最坏情况下的运行条件： VDD = 5.0 V
±10%,
TA = -55 ° C至+ 225 ℃。
（3）所有的输入开关。直流平均电流。外部控制芯片使能（ CE）
仅在其他封装选项。
2.9 V
Vref1
249
DUT
产量
Vref2
+
-
有效的高
产量
+
-
有效的低
产量
CL >50 pF的*
* CL = 5 pF适用于TWLQZ ， TSHQZ和TGHQZ
测试仪的等效负载电路
工作电流与频率的关系@ 225
°
C
70
周期时间与温度的关系
30
写
60
读
工作电流（mA ）
50
40
周期时间（纳秒）
读
25
30
写
20
20
10
0
0
5
10
15
20
25
频率（MHz）
15
-100
0
100
温度（℃）
200
300
4
HT6256
读周期AC时序特性（ 1 ）
最坏的情况（ 3 ）
符号
TAVAVR
tAVQV
tAXQX
tSLQV
TSLQX
tSHQZ
TGLQV
TGLQX
TGHQZ
tEHQV
tEHQX
TELQZ
参数
地址读周期时间
地址访问时间
地址更改为输出无效的时间
芯片选择访问时间
芯片选择输出使能时间
芯片选择输出禁止时间
输出启用访问时间
输出使能输出使能时间
输出使能输出禁止时间
芯片使能输出存取时间（ 4 ）
芯片使能输出使能时间（ 4 ）
芯片使能输出禁止时间（ 4 ）
17
10
4
5
10
0
15
25
5
20
15
3
50
典型的（ 2 ）
民
50
50
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
（ 1 ）测试条件：输入切换电平VIL / VIH = 0.5V / VDD - 0.5V输入上升和下降时间<1 NS / V输入和输出时序参考水平
在测试仪AC时序特性表中所示，电容输出负载
L
>50 PF，或等效电容输出负载
L
= 5 pF适用
TSHQZ和TGHQZ 。对于C
L
>50 PF， 0.02纳秒/ PF （典型值）减免访问时间。
（ 2 ）典型工作条件： VDD = 5.0 V ， TA = 25 ℃。
（ 3 ）最糟糕的情况下，工作条件： VDD = 4.5 V至5.5 V ， -55 225℃ 。
（ 4 ）芯片的外部控制使能（ CE）仅适用于其他的封装选项。
T
AVAVR
地址
T
AVQV
T
SLQV
T
AXQX
NCS
T
SLQX
T
SHQZ
数据有效
数据输出
高
阻抗
T
EHQX
T
EHQV
T
ELQZ
CE
T
GLQX
T
GLQV
T
GHQZ
诺埃
（ NWE =高）
5
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