HT24LC16
16K CMOS 2线串行EEPROM
特点
·
工作电压： 2.2V 5.5V
·
低功耗
-
操作： 5毫安最大。
-
待机： 5毫安最大。
·
内设机构： 2048'8
·
2线串行接口
·
写周期时间：5ms最大。
·
自动擦除前写操作
·
部分页写允许
·
16字节页写模式
·
写操作具有内置计时器
·
硬件控制的写保护
·
40年的数据保留
·
10
6
每个字重写周期
·
商业级温度范围（ 0 ° C至+ 70 ° C）
·
8引脚DIP / SOP封装
概述
该HT24LC16是一个16K位串行读/写
使用浮动在CMOS非易失性存储器设备
栅工艺。其16384位存储器的组织
到2048个字，每个字为8位。该装置是
用于许多工业和商业AP-优化
其中，并发症低功耗和低电压操作
是必不可少的。最多只有一个HT24LC16设备可以是
连接到同一2线总线。该HT24LC16是
保证1M的擦除/写周期， 40年数据
滞留。
框图
S C L
S.D。一
I / O
0：N卓升
1。·克IC
X
D
W P
M E M O对RY
0：N卓升
1。·克IC
E
C
P A G式B ü FFE
Y D权证
A 0 ~ A 2
V C C
V S S小
一个D D重新S S小
C 0加利德
发E 发E A M P
R / W C 0：N卓升
E E P R 0 M
一个RRA
H V P ü M·P
引脚分配
A 0
1
8
2
7
3
6
4
5
A 1
A 2
V S S小
V C C
W P
S C L
S.D。一
H T 2 4 L C 1 6
8 D IP -A / S O·P -A
引脚说明
引脚名称
A0~A2
SDA
SCL
WP
VSS
VCC
I / O
I
I / O
I
I
地址输入
串行数据
串行时钟输入
写保护
负电源，接地
正电源。
描述
修订版1.30
1
2003年11月25日
HT24LC16
绝对最大额定值
工作温度（商业） ........................................................................................................ 0 ° C至70℃
储存温度............................................................................................................................
-50°C
至125℃
应用VCC电压相对于VSS ........................................... .................................................. ..
-0.3V
至6.0V
施加电压的任何引脚相对于VSS
........................................................................................................
-0.3V
到V
CC
+0.3V
注意：这些压力额定值只。应力超过范围的规定下，
“绝对
最大Ratings可能
对器件造成实质性损害。该器件在超出其他条件功能操作
在规范中列出的，是不是暗示和长时间暴露在极端条件下可能会影响器件的可靠性
性。
直流特性
符号
V
CC
I
CC1
I
CC2
V
IL
V
IH
V
OL
I
LI
I
LO
I
STB1
I
STB2
C
IN
C
OUT
参数
工作电压
工作电流
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
待机电流
待机电流
输入电容（见注）
输出电容（见注）
测试条件
V
CC
5V
5V
条件
阅读在100kHz
写在100kHz
分钟。
2.2
-1
0.7V
CC
典型值。
TA = 0 ° C至70℃
马克斯。
5.5
2
5
0.3V
CC
V
CC
+0.5
0.4
1
1
5
4
6
8
单位
V
mA
mA
V
V
V
mA
mA
mA
mA
pF
pF
2.4V我
OL
=2.1mA
5V
5V
5V
V
IN
= 0或V
CC
V
OUT
= 0或V
CC
V
IN
= 0或V
CC
2.4V V
IN
= 0或V
CC
F = 1MHz的25℃
F = 1MHz的25℃
注：这些参数是周期性采样，但不是100 ％测试
交流特性
符号
f
SK
t
高
t
低
t
r
t
f
t
高清： STA
t
SU ： STA
t
高清： DAT
t
苏： DAT
t
苏： STO
参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
START条件保持时间
启动条件建立时间
数据输入保持时间
数据输入建立时间
停止条件的建立时间
记
记
在此之后的第一个科幻
产生时钟脉冲
仅与重复
启动条件
备注
TA = 0 ° C至70℃
标准模式* V
CC
=5V±10%
分钟。
4000
4700
4000
4000
0
200
4000
马克斯。
100
1000
300
分钟。
600
1200
600
600
0
100
600
马克斯。
400
300
300
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
修订版1.30
2
2003年11月25日
HT24LC16
第8位装置地址是读/写操作
选择位。如果此位为高启动读操作
并且，如果此位为低启动的写操作。
如果设备地址的比较成功的
EEPROM将输出一个零ACK位。如果不是，该芯片将
返回到待机状态。
1
0
1
0
A 2
A 1
A 0
读/写
·
应答查询
为了最大限度地提高总线吞吐量，一种技术是使
主轮询后的确认信号
启动条件和控制字节写的COM
命令已发送。如果该设备仍然忙imple-
门庭的写周期，那么没有ACK被返回。
主站可以发送下一个读/写命令
当ACK信号，终于被接收。
发E N D W R ITE C 0 M M一N D
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
写操作
·
字节写
发E N D S到P C 0 N D ITIO
要在钨协德W R ITE 乐
TA RT发E N D S
发E N D C 0 卓升B Y形TE
瓦特i个R / W = 0的
写操作需要一个8位数据地址
继器件地址和其它确认
换货。在收到这个地址后， EEPROM会
再有，在第一个零，然后时钟响应
8位的数据字。接收到的8位数据字之后，该
EEPROM将输出一个零和DE-解决
虎钳，诸如微控制器，必须终止
写序列与一个停止条件。此时的
EEPROM进入内部定时写周期的
非易失性存储器。所有的输入都在此禁用
写周期和EEPROM不会响应，直到写操作
完整（参照字节写入时序）。
·
页写
（ A C K = 0 ） ？
（E S）
的Ne x深 P·E R A TIO N
N 2 O
应答查询流程
·
写保护
16K的EEPROM能够一个16字节页写。
页写入操作被启动以同样的方式作为一个字节
写，但单片机不发送停止CON-
第一个数据字后DITION被移入，而是自动对焦
之三的EEPROM中确认接收到第一个的
数据字，微控制器可以传输多达15个
更多的数据字。该EEPROM将与回应
泽ロaftereachdatawordrece ived 。牛逼 ê
微控制器必须终止页写操作
一个停止条件（参见页写时序） 。
数据地址的低4位内部IN-
cremented在收到每一个数据字。
更高的数据字地址位不被递增
mented ，保持存储器的页地址。
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
的TA RT
A 2 A 1 A 0
读/写
A C K
该HT24LC16具有写保护功能及亲
当WP引脚编程将被抑制
与VCC连接。根据该模式， HT24LC16是
用作串行ROM 。
·
读操作
该HT24LC16支持三种读操作，
即当前地址读，随机地址读
和顺序读。在读操作执行，
读/写选择位应被设置为
1.
W 0路一个D D重新S S小
D A T A
P
A C K
A C K
S到P
字节写操作时序
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
的TA RT
A C K
A C K
A C K
W 0路一个D D重新S S小
D A T A
D A T A N + 1
D A T A N + X
P
A C K
S到P
页写时序
修订版1.30
4
2003年11月25日
HT24LC16
·
当前地址读
·
顺序读取
内部数据地址计数器保持
在上次访问的最后一个地址读取或写入OP-
关合作，加一。该地址保持有效
操作间只要芯片功耗就会维持
tained 。地址翻转过程中读出的从最后
最后的存储器页的字节，在第一的第一字节
页。地址翻转写操作期间从最后
当前页的字节的相同的第一个字节
页。一旦与读出设备的地址/写SE-
择位设置为1时移入和认可
EEPROM中的当前地址的数据是seri-
盟友同步输出。微控制器应响应
与一位
-NO
ACK信号（高），然后停止条件
化（参考电流读出时序） 。
·
随机读取
连续读由任一电流AD-发起
礼服读或随机地址读。后
单片机接收到一个数据字，它响应
确认。只要在EEPROM中重新
才能享有的确认，它会继续来增
换货的数据地址和串行时钟输出
下一组数据。当存储器地址
极限到达时，数据地址将翻转
并继续连续读操作。顺序
读操作结束时，微控制器
响应一个
-NO
ACK信号（高），然后加入一
停止条件。
自由读需要一个空字节写操作
在数据字地址，然后将时钟加载
并得到EEPROM应答。该
微控制器必须再生成另一个开始CON-
DITION 。主控器件的电流AD-
通过发送一个寄存器地址中读取礼服
读/写选择位为高。 EEPROM的应答响应
边缘设备地址和时钟串行输出
数据字。微控制器应具有响应
-NO
ACK信号（高电平），接着停止条件
（参照随机读出时序） 。
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
的TA RT
A 2 A 1 A 0
A C K
D A T A
S到P
P
N}÷ A C K
当前的读时序
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
的TA RT
A 2 A 1 A 0
W 0路一个D D重新S S小
S
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
D A T A
S到P
P
N}÷ A C K
A C K
A C K
的TA RT
A C K
随机读取时序
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
D A T A
D A T A N + 1
D A T A N + X
S到P
P
N}÷ A C K
的TA RT
A C K
A C K
连续读取时序
修订版1.30
5
2003年11月25日
HT24LC16
16K CMOS 2线串行EEPROM
特点
·
工作电压： 2.2V 5.5V
·
低功耗
-
操作： 5毫安最大。
-
待机： 5毫安最大。
·
内设机构： 2048'8
·
2线串行接口
·
写周期时间：5ms最大。
·
自动擦除前写操作
·
部分页写允许
·
16字节页写模式
·
写操作具有内置计时器
·
硬件控制的写保护
·
40年的数据保留
·
10
6
每个字重写周期
·
商业级温度范围（ 0 ° C至+ 70 ° C）
·
8引脚DIP / SOP封装
概述
该HT24LC16是一个16K位串行读/写
使用浮动在CMOS非易失性存储器设备
栅工艺。其16384位存储器的组织
到2048个字，每个字为8位。该装置是
用于许多工业和商业AP-优化
其中，并发症低功耗和低电压操作
是必不可少的。最多只有一个HT24LC16设备可以是
连接到同一2线总线。该HT24LC16是
保证1M的擦除/写周期， 40年数据
滞留。
框图
S C L
S.D。一
I / O
0：N卓升
1。·克IC
X
D
W P
M E M O对RY
0：N卓升
1。·克IC
E
C
P A G式B ü FFE
Y D权证
A 0 ~ A 2
V C C
V S S小
一个D D重新S S小
C 0加利德
发E 发E A M P
R / W C 0：N卓升
E E P R 0 M
一个RRA
H V P ü M·P
引脚分配
A 0
1
8
2
7
3
6
4
5
A 1
A 2
V S S小
V C C
W P
S C L
S.D。一
H T 2 4 L C 1 6
8 D IP -A / S O·P -A
引脚说明
引脚名称
A0~A2
SDA
SCL
WP
VSS
VCC
I / O
I
I / O
I
I
地址输入
串行数据
串行时钟输入
写保护
负电源，接地
正电源。
描述
修订版1.30
1
2003年11月25日
HT24LC16
绝对最大额定值
工作温度（商业） ........................................................................................................ 0 ° C至70℃
储存温度............................................................................................................................
-50°C
至125℃
应用VCC电压相对于VSS ........................................... .................................................. ..
-0.3V
至6.0V
施加电压的任何引脚相对于VSS
........................................................................................................
-0.3V
到V
CC
+0.3V
注意：这些压力额定值只。应力超过范围的规定下，
“绝对
最大Ratings可能
对器件造成实质性损害。该器件在超出其他条件功能操作
在规范中列出的，是不是暗示和长时间暴露在极端条件下可能会影响器件的可靠性
性。
直流特性
符号
V
CC
I
CC1
I
CC2
V
IL
V
IH
V
OL
I
LI
I
LO
I
STB1
I
STB2
C
IN
C
OUT
参数
工作电压
工作电流
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
待机电流
待机电流
输入电容（见注）
输出电容（见注）
测试条件
V
CC
5V
5V
条件
阅读在100kHz
写在100kHz
分钟。
2.2
-1
0.7V
CC
典型值。
TA = 0 ° C至70℃
马克斯。
5.5
2
5
0.3V
CC
V
CC
+0.5
0.4
1
1
5
4
6
8
单位
V
mA
mA
V
V
V
mA
mA
mA
mA
pF
pF
2.4V我
OL
=2.1mA
5V
5V
5V
V
IN
= 0或V
CC
V
OUT
= 0或V
CC
V
IN
= 0或V
CC
2.4V V
IN
= 0或V
CC
F = 1MHz的25℃
F = 1MHz的25℃
注：这些参数是周期性采样，但不是100 ％测试
交流特性
符号
f
SK
t
高
t
低
t
r
t
f
t
高清： STA
t
SU ： STA
t
高清： DAT
t
苏： DAT
t
苏： STO
参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
START条件保持时间
启动条件建立时间
数据输入保持时间
数据输入建立时间
停止条件的建立时间
记
记
在此之后的第一个科幻
产生时钟脉冲
仅与重复
启动条件
备注
TA = 0 ° C至70℃
标准模式* V
CC
=5V±10%
分钟。
4000
4700
4000
4000
0
200
4000
马克斯。
100
1000
300
分钟。
600
1200
600
600
0
100
600
马克斯。
400
300
300
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
修订版1.30
2
2003年11月25日
HT24LC16
第8位装置地址是读/写操作
选择位。如果此位为高启动读操作
并且，如果此位为低启动的写操作。
如果设备地址的比较成功的
EEPROM将输出一个零ACK位。如果不是，该芯片将
返回到待机状态。
1
0
1
0
A 2
A 1
A 0
读/写
·
应答查询
为了最大限度地提高总线吞吐量，一种技术是使
主轮询后的确认信号
启动条件和控制字节写的COM
命令已发送。如果该设备仍然忙imple-
门庭的写周期，那么没有ACK被返回。
主站可以发送下一个读/写命令
当ACK信号，终于被接收。
发E N D W R ITE C 0 M M一N D
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
写操作
·
字节写
发E N D S到P C 0 N D ITIO
要在钨协德W R ITE 乐
TA RT发E N D S
发E N D C 0 卓升B Y形TE
瓦特i个R / W = 0的
写操作需要一个8位数据地址
继器件地址和其它确认
换货。在收到这个地址后， EEPROM会
再有，在第一个零，然后时钟响应
8位的数据字。接收到的8位数据字之后，该
EEPROM将输出一个零和DE-解决
虎钳，诸如微控制器，必须终止
写序列与一个停止条件。此时的
EEPROM进入内部定时写周期的
非易失性存储器。所有的输入都在此禁用
写周期和EEPROM不会响应，直到写操作
完整（参照字节写入时序）。
·
页写
（ A C K = 0 ） ？
（E S）
的Ne x深 P·E R A TIO N
N 2 O
应答查询流程
·
写保护
16K的EEPROM能够一个16字节页写。
页写入操作被启动以同样的方式作为一个字节
写，但单片机不发送停止CON-
第一个数据字后DITION被移入，而是自动对焦
之三的EEPROM中确认接收到第一个的
数据字，微控制器可以传输多达15个
更多的数据字。该EEPROM将与回应
泽ロaftereachdatawordrece ived 。牛逼 ê
微控制器必须终止页写操作
一个停止条件（参见页写时序） 。
数据地址的低4位内部IN-
cremented在收到每一个数据字。
更高的数据字地址位不被递增
mented ，保持存储器的页地址。
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
的TA RT
A 2 A 1 A 0
读/写
A C K
该HT24LC16具有写保护功能及亲
当WP引脚编程将被抑制
与VCC连接。根据该模式， HT24LC16是
用作串行ROM 。
·
读操作
该HT24LC16支持三种读操作，
即当前地址读，随机地址读
和顺序读。在读操作执行，
读/写选择位应被设置为
1.
W 0路一个D D重新S S小
D A T A
P
A C K
A C K
S到P
字节写操作时序
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
的TA RT
A C K
A C K
A C K
W 0路一个D D重新S S小
D A T A
D A T A N + 1
D A T A N + X
P
A C K
S到P
页写时序
修订版1.30
4
2003年11月25日
HT24LC16
·
当前地址读
·
顺序读取
内部数据地址计数器保持
在上次访问的最后一个地址读取或写入OP-
关合作，加一。该地址保持有效
操作间只要芯片功耗就会维持
tained 。地址翻转过程中读出的从最后
最后的存储器页的字节，在第一的第一字节
页。地址翻转写操作期间从最后
当前页的字节的相同的第一个字节
页。一旦与读出设备的地址/写SE-
择位设置为1时移入和认可
EEPROM中的当前地址的数据是seri-
盟友同步输出。微控制器应响应
与一位
-NO
ACK信号（高），然后停止条件
化（参考电流读出时序） 。
·
随机读取
连续读由任一电流AD-发起
礼服读或随机地址读。后
单片机接收到一个数据字，它响应
确认。只要在EEPROM中重新
才能享有的确认，它会继续来增
换货的数据地址和串行时钟输出
下一组数据。当存储器地址
极限到达时，数据地址将翻转
并继续连续读操作。顺序
读操作结束时，微控制器
响应一个
-NO
ACK信号（高），然后加入一
停止条件。
自由读需要一个空字节写操作
在数据字地址，然后将时钟加载
并得到EEPROM应答。该
微控制器必须再生成另一个开始CON-
DITION 。主控器件的电流AD-
通过发送一个寄存器地址中读取礼服
读/写选择位为高。 EEPROM的应答响应
边缘设备地址和时钟串行输出
数据字。微控制器应具有响应
-NO
ACK信号（高电平），接着停止条件
（参照随机读出时序） 。
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
的TA RT
A 2 A 1 A 0
A C K
D A T A
S到P
P
N}÷ A C K
当前的读时序
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
的TA RT
A 2 A 1 A 0
W 0路一个D D重新S S小
S
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
D A T A
S到P
P
N}÷ A C K
A C K
A C K
的TA RT
A C K
随机读取时序
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
D A T A
D A T A N + 1
D A T A N + X
S到P
P
N}÷ A C K
的TA RT
A C K
A C K
连续读取时序
修订版1.30
5
2003年11月25日
QQ：2881677436 复制
