HT24LC04
4K CMOS 2线串行EEPROM
特点
·
工作电压： 2.2V 5.5V
·
低功耗
-
操作： 5毫安最大。
-
待机： 5毫安最大。
·
内设机构： 512'8
·
2线串行接口
·
写周期时间：5ms最大。
·
自动擦除前写操作
·
部分页写允许
·
16字节页写模式
·
写操作具有内置计时器
·
硬件控制的写保护
·
40年的数据保留
·
10
6
擦除/写每个字周期
·
商用温度范围（ 0 ° C至+ 70 ° C）
·
8引脚DIP / SOP封装
概述
该HT24LC04是一个4K位串行读/写的非易失性
采用浮栅工艺的CMOS存储器件。
其4096的内存位被组织成512个字
与每个字为8位。该器件的应用进行了优化
在许多工业和商业应用，其中
低功耗和低电压操作是必不可少的。向上
四个HT24LC04设备可以连接到所述
同样的两线总线。该HT24LC04是保证
1M擦/写周期和40年的数据保存。
框图
引脚分配
A 0
A 1
A 2
X
S C L
S.D。一
I / O
0：N卓升
1。·克IC
D
E
C
H V P ü M·P
1
2
3
4
5
6
7
8
V C C
W P
S C L
S.D。一
V S S小
E E P R 0 M
一个RRA
P A G式B ü F
Y D权证
W P
M E M O对RY
0：N卓升
1。·克IC
H T 2 4 L C 0 4
8 D IP -A / S O·P -A
A 0 ~ A 2
V C C
V S S小
一个D D重新S S小
C 0加利德
发E 发E A M P
R / W C 0：N卓升
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1
2002年11月5日
HT24LC04
引脚说明
PIN号
1~3
4
5
6
7
8
引脚名称
A0~A2
VSS
SDA
SCL
WP
VCC
I / O
I
I / O
I
I
地址输入
负电源
串行数据输入/输出
串行时钟输入数据
写保护
正电源。
描述
绝对最大额定值
工作温度（商业） ........................................................................................................ 0 ° C至70℃
储存温度............................................................................................................................-50°C至125℃的
应用V
CC
电压相对于VSS ............................................. ..................................... V
SS
-0.3V
到V
CC
+6.0V
施加电压的任何引脚相对于VSS
.................................................................................................
V
SS
-0.3V
到V
CC
+0.3V
注意：这些压力额定值只。应力超过范围的规定下，
“绝对
最大Ratings可能
对器件造成实质性损害。该器件在超出其他条件功能操作
在规范中列出的，是不是暗示和长时间暴露在极端条件下可能会影响器件的可靠性
性。
直流特性
符号
V
CC
I
CC1
I
CC2
V
IL
V
IH
V
OL
I
LI
I
LO
I
STB1
I
STB2
C
IN
C
OUT
参数
工作电压
工作电流
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
待机电流
待机电流
输入电容（见注）
输出电容（见注）
测试条件
V
CC
5V
5V
条件
阅读在100kHz
写在100kHz
分钟。
2.2
-1
0.7V
CC
典型值。
TA = 0 ° C至70℃
马克斯。
5.5
2
5
0.3V
CC
V
CC
+0.5
0.4
1
1
5
4
6
8
单位
V
mA
mA
V
V
V
mA
mA
mA
mA
pF
pF
2.4V我
OL
=2.1mA
5V
5V
5V
V
IN
= 0或V
CC
V
OUT
= 0或V
CC
V
IN
= 0或V
CC
2.4V V
IN
= 0或V
CC
F = 1MHz的25
°
C
F = 1MHz的25
°
C
注：这些参数是周期性采样，但不是100 ％测试
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HT24LC04
·
启动条件
SDA与SCL为高至低的过渡是一个开始
条件必须先于任何其它指令
（请参阅启动和停止定义时序图） 。
·
停止条件
设备地址的第八位是读/写操作
选择位。如果此位为高启动读操作
并且，如果此位为低启动的写操作。
如果设备地址的比较成功的
EEPROM将输出一个零ACK位。如果不是，该芯片将
返回到待机状态。
1
0
1
0
A 2
A 1
A 0
读/写
SDA与SCL高电平低到高的转变是一个停止
条件。经过一个读操作，停止命令
将放置在一个备用电源模式的EEPROM （重
FER启动和停止定义时序图） 。
·
应答
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
所有地址和数据字被串行传送
向和从8位字的EEPROM中。该
EEPROM发送零，以确认它重新
可察觉的每个字。出现这种情况的第九期间
时钟周期。
D上的TA一个LLO瓦特E D
到c h的N G - é
S.D。一
写操作
·
字节写
S C L
的TA RT
C 0 N D ITIO
一个D D重新S S小
A C K N 2 O 4瓦特乐克é
V盖子
S到P
C 0 N D ITIO
写操作需要一个8位数据地址
继器件地址和其它确认
换货。在收到这个地址后， EEPROM会
再有，在第一个零，然后时钟响应
8位的数据字。接收到的8位数据字之后，该
EEPROM将输出一个零和DE-解决
虎钳，诸如微控制器，必须终止
写序列与一个停止条件。此时的
EEPROM进入内部定时写周期的
非易失性存储器。所有的输入过程中被禁用
这个写周期和EEPROM不会响应，直到
写操作完成（参见字节写入时序）。
·
页写
设备寻址
4K容量的EEPROM器件需要一个8位的AD-设备
下一个启动条件，使芯片的礼服字
用于读出或写入操作。器件地址
由一个固定的1 ，零序的第
四个最显著位（参照关系图表示
设备地址） 。这适用于所有的EEPROM的
装置。
接下来的3位是A2 ， A1和A0 AD-设备
着装位为1K / 2K EEPROM 。这三个位
必须比较其相应的硬连线输入
销。
在4K EEPROM只使用A2和A1 AD-设备
着装位与第三位作为存储器页地址
位。这两个器件地址位必须与相
相应的硬连线输入引脚。 A0引脚不
连接。
在4K设备能够16字节页写。
页写开始的字节写入相同，但
微控制器后，不发送停止条件
第一个数据字被时钟，相反，后
EEPROM中确认接收到的第一数据的
一句话，微控制器可以传输高达15
更多的数据字。该EEPROM将与回应
zeroaf德 - [R EA CH 在AW或博士ECE我已经 。吨他
微控制器必须终止页写SE-
quence一个停止条件。
数据地址的低4位内部IN-
cremented在收到每一个数据字。
更高的数据字地址位不被递增
mented ，保持存储器的页地址（重
FER页写时序） 。
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
的TA RT
A 2 A 1 A 0
读/写
A C K
W 0路一个D D重新S S小
D A T A
P
A C K
A C K
S到P
字节写操作时序
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
P
A C K
A C K
A C K
A C K
S到P
的TA RT
W 0路一个D D重新S S小
D A T A
D A T A N + 1
D A T A N + X
页写时序
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HT24LC04
·
应答查询
·
写保护
由于该设备不会写时承认
循环，这可用于确定当周期是
完成（此功能可用于最大化总线
吞吐量） 。一旦停止条件用于写的COM
命令已经发出从主，设备ini-
tiates内部定时的写周期。 ACK投票可以
立即启动。这包括主
发送起始条件的控制字节
对于一个写命令（R / W = 0）。如果该设备仍然忙
在写周期，那么没有ACK被返回。如果
完成的周期，则该设备将返回
那么ACK和主可以继续下一个
读或写命令。
发E N D W R ITE C 0 M M一N D
该HT24LC04可以用作一个串行ROM时
在WP引脚连接到VCC 。规划将
在H IB它编一个DT他EN轮胎我莫rywill是
写保护。
·
读操作
读操作被启动的方式相同的写入
除操作的读/写SE-
在装置地址字择位被置为1 。那里
三种读操作：当前地址读，随机
DOM地址读和连续读。
·
当前地址读
发E N D S到P C 0 N D ITIO
要在钨协德W R ITE 乐
TA RT发E N D S
发E N D C 0 TR LL B Y形TE
瓦特i个R / W = 0的
（ A C K = 0 ） ？
（E S）
的Ne x深 P·E R A TIO N
N 2 O
内部数据地址计数器保持
在上次访问的最后一个地址读取或写入OP-
关合作，加一。该地址保持有效
操作间只要芯片功耗就会维持
tained 。地址翻转过程中读出的从最后
最后的存储器页的字节，在第一的第一字节
页。地址翻转写操作期间从最后
当前页的字节的相同的第一个字节
页。一旦与读出设备的地址/写SE-
择位设置为1时移入和认可
EEPROM中的当前地址的数据是seri-
盟友同步输出。微控制器不响应
与输入零，但生成以下停止CON-
条件（参阅电流读出时序） 。
·
随机读取
应答查询流程
自由读需要一个空字节写操作
在数据字地址，然后将时钟加载
并得到EEPROM应答。该
微控制器必须再生成另一个开始CON-
DITION 。主控器件的电流AD-
通过发送一个寄存器地址中读取礼服
读/写选择位为高。 EEPROM的应答响应
边缘设备地址和时钟串行输出
数据字。微控制器不会响应
一个零，但并产生一个停止条件
（参照随机读出时序） 。
D A T A
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
的TA RT
A 2 A 1 A 0
A C K
S到P
P
N}÷ A C K
当前的读时序
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S.D。一
S
的TA RT
A 2
A 1 A 0
W 0路一个D D重新S S小
D E V IC ê A D ，D R ê S S小
S
A C K
的TA RT
D A T A
S到P
P
N}÷ A C K
A C K
A C K
随机读取时序
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