HTMOS
TM
高温产品
初步
高温QUAD超低
HT1104Z
输入偏置电流运算放大器
特点
规定在-55 + 225℃
单或分离电源操作
共模输入电压范围
包括负轨
低输入偏置和失调参数
输入/输出过载保护
高输入阻抗和超低偏置电流
无锁定的设计与介质隔离
密封14引脚陶瓷DIP
应用
井下油井
涡轮发动机控制
航空电子
工业过程控制
核反应堆
电力转换
重型内燃机
概述
该HT1104Z单片四通道运算放大器是
多才多艺的表演者在极宽的温度
范围内。它是制作与霍尼韦尔的介电异
迟来高温线性（ HTMOS ）过程，并且是
专为SE-系统中使用的操作设计
韦雷高温环境。所有部件被烧毁
中在250℃下，以消除婴儿死亡率。
这些放大器提供有保证的性能比
在整个-55至+ 225 °C温度范围。通常情况下，部分
在高达+ 300 ℃的一年，有降额perfor-
曼斯。该HT1104Z将单和分割操作
耗材。高温应用，如反式
能器接口，放大，有源滤波，并且信号
缓冲都是可能的HT1104Z 。
该HT1104Z是HT1104与ESD的选项
保护电路去掉，以实现高输入阻抗
ANCE 。这种较高的阻抗也提供了HT1104Z
具有超低偏置电流。
封装引脚
出1
1
1
4
14
出4
- IN 1
2
13
- 在4
-
+
+ IN 1
3
-
+
12
+ IN 4
顶视图
V+
4
11
V-
+ IN 2
5
10
+ IN 3
+
-
- IN 2
6
2
输出2
7
3
+
-
9
- 在3
8
OUT 3
14引脚CERDIP
θJC
= 7 ° C / W
固体电子学中心 12001国道55 ，普利茅斯，MN 55441 （ 800 ） 323-8295 http://www.ssec.honeywell.com
HT1104Z
简化的原理图
（每扩增fi er ）
V+
BIAS
1x
OUT
+ IN
-IN
1x
V-
包装细节
Q
A
L
E
B1
B
e
E1
C
D
A
B
C
D
E
0.150 （最大）
0.018 ± 0.002
0.010 ± 0.002
0.700 ± 0.010
0.295 REF
E1
B1
e
L
Q
0.300 ± 0.010
0.047 ± 0.002
0.100 ± 0.005
0.125到0.180
0.035 ± 0.010
以英寸所有尺寸
引线镀金镍
绝对最大额定值（ 1 ）
总电源电压（V +至V-） ......................................... ... 13 V
输入电压................................................ .. - 0.5 V
DD
+0.5 V
输出短路持续时间连续....................................
输入电流（每输入） ............................................ .....
±5
mA
输出电流（每路输出） ..........................................
±50
mA
存储温度............................................ -65到+ 325℃
焊接温度（附件10秒） ........................... 355 ℃，
ESD保护（ 2 ） ............................................. ................ 500 V
（ 1 ）强调超过上述所列可能导致永久性损坏。这些都是强调
收视率而已，而操作这些级别是不是暗示。频繁或延长曝光
在绝对最大条件下可能会影响器件的可靠性。
（ 2 ）保证所设计的人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
订购信息
HT1104ZDC
- 表示封装类型
D =标准DIP
对于封装选择，请致电霍尼韦尔
- 表示筛查水平
C =商用
B =高温B类
霍尼韦尔公司保留更改本文以提高可靠性，功能或设计的任何产品或技术的权利。霍尼韦尔公司不承担任何责任
因应用或使用本文所描述的任何产品或电路的;它也没有传达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
900217
4-98
帮助你控制你的世界
HTMOS
TM
高温产品
初步
高温QUAD超低
HT1104Z
输入偏置电流运算放大器
特点
规定在-55 + 225℃
单或分离电源操作
共模输入电压范围
包括负轨
低输入偏置和失调参数
输入/输出过载保护
高输入阻抗和超低偏置电流
无锁定的设计与介质隔离
密封14引脚陶瓷DIP
应用
井下油井
涡轮发动机控制
航空电子
工业过程控制
核反应堆
电力转换
重型内燃机
概述
该HT1104Z单片四通道运算放大器是
多才多艺的表演者在极宽的温度
范围内。它是制作与霍尼韦尔的介电异
迟来高温线性（ HTMOS ）过程，并且是
专为SE-系统中使用的操作设计
韦雷高温环境。所有部件被烧毁
中在250℃下，以消除婴儿死亡率。
这些放大器提供有保证的性能比
在整个-55至+ 225 °C温度范围。通常情况下，部分
在高达+ 300 ℃的一年，有降额perfor-
曼斯。该HT1104Z将单和分割操作
耗材。高温应用，如反式
能器接口，放大，有源滤波，并且信号
缓冲都是可能的HT1104Z 。
该HT1104Z是HT1104与ESD的选项
保护电路去掉，以实现高输入阻抗
ANCE 。这种较高的阻抗也提供了HT1104Z
具有超低偏置电流。
封装引脚
出1
1
1
4
14
出4
- IN 1
2
13
- 在4
-
+
+ IN 1
3
-
+
12
+ IN 4
顶视图
V+
4
11
V-
+ IN 2
5
10
+ IN 3
+
-
- IN 2
6
2
输出2
7
3
+
-
9
- 在3
8
OUT 3
14引脚CERDIP
θJC
= 7 ° C / W
固体电子学中心 12001国道55 ，普利茅斯，MN 55441 （ 800 ） 323-8295 http://www.ssec.honeywell.com
HT1104Z
简化的原理图
（每扩增fi er ）
V+
BIAS
1x
OUT
+ IN
-IN
1x
V-
包装细节
Q
A
L
E
B1
B
e
E1
C
D
A
B
C
D
E
0.150 （最大）
0.018 ± 0.002
0.010 ± 0.002
0.700 ± 0.010
0.295 REF
E1
B1
e
L
Q
0.300 ± 0.010
0.047 ± 0.002
0.100 ± 0.005
0.125到0.180
0.035 ± 0.010
以英寸所有尺寸
引线镀金镍
绝对最大额定值（ 1 ）
总电源电压（V +至V-） ......................................... ... 13 V
输入电压................................................ .. - 0.5 V
DD
+0.5 V
输出短路持续时间连续....................................
输入电流（每输入） ............................................ .....
±5
mA
输出电流（每路输出） ..........................................
±50
mA
存储温度............................................ -65到+ 325℃
焊接温度（附件10秒） ........................... 355 ℃，
ESD保护（ 2 ） ............................................. ................ 500 V
（ 1 ）强调超过上述所列可能导致永久性损坏。这些都是强调
收视率而已，而操作这些级别是不是暗示。频繁或延长曝光
在绝对最大条件下可能会影响器件的可靠性。
（ 2 ）保证所设计的人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
订购信息
HT1104ZDC
- 表示封装类型
D =标准DIP
对于封装选择，请致电霍尼韦尔
- 表示筛查水平
C =商用
B =高温B类
霍尼韦尔公司保留更改本文以提高可靠性，功能或设计的任何产品或技术的权利。霍尼韦尔公司不承担任何责任
因应用或使用本文所描述的任何产品或电路的;它也没有传达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
900217
4-98
帮助你控制你的世界
QQ：2881677436 复制
