HTMOS
TM
高温产品
高温QUAD
运算放大器连接器
特点
规定在-55 + 225℃
单或分离电源操作
共模输入电压范围
包括负轨
低输入偏置和失调参数
输入/输出过载保护
ESD保护电路
无锁定的设计与介质隔离
密封14引脚陶瓷DIP
HT1104
应用
井下油井
涡轮发动机控制
航空电子
工业过程控制
核反应堆
电力转换
重型内燃机
概述
该HT1104单片四通道运算放大器是
多才多艺的表演者在极宽的温度
范围内。它是制作与霍尼韦尔的介电异
迟来高温线性（ HTMOS ）过程，并且是
专为SE-系统中使用的操作设计
韦雷高温环境。所有部件被烧毁
中在250℃下，以消除婴儿死亡率。
这些放大器提供有保证的性能比
在整个-55至+ 225 °C温度范围。通常情况下，部分
在高达+ 300 ℃的一年，有降额perfor-
曼斯。该HT1104将单和分割操作
耗材。高温应用，如反式
能器接口，放大，有源滤波，并且信号
缓冲都可能与HT1104 。
封装引脚
出1
1
1
4
14
出4
- IN 1
2
13
- 在4
-
+
+ IN 1
3
-
+
12
+ IN 4
顶视图
V+
4
11
V-
+ IN 2
5
10
+ IN 3
+
-
- IN 2
6
2
输出2
7
3
+
-
9
- 在3
8
OUT 3
14引脚CERDIP
θJC
= 7 ° C / W
固体电子学中心 12001国道55 ，普利茅斯，MN 55441 （ 800 ） 323-8295 http://www.ssec.honeywell.com
HT1104
简化的原理图
（每扩增fi er ）
V+
BIAS
1x
OUT
+ IN
-IN
1x
V-
包装细节
Q
A
L
E
B1
B
e
E1
C
D
A
B
C
D
E
0.150 （最大）
0.018 ± 0.002
0.010 ± 0.002
0.700 ± 0.010
0.295 REF
E1
B1
e
L
Q
0.300 ± 0.010
0.047 ± 0.002
0.100 ± 0.005
0.125到0.180
0.035 ± 0.010
以英寸所有尺寸
引线镀金镍
绝对最大额定值（ 1 ）
总电源电压（V +至V-） ......................................... ... 13 V
输入电压................................................ .. - 0.5 V
DD
+0.5 V
输出短路持续时间连续....................................
输入电流（每输入） ............................................ .....
±5
mA
输出电流（每路输出） ..........................................
±50
mA
存储温度............................................ -65到+ 325℃
焊接温度（附件10秒） ........................... 355 ℃，
（ 1 ）强调超过上述所列可能导致永久性损坏。这些都是强调
收视率而已，而操作这些级别是不是暗示。频繁或延长曝光
在绝对最大条件下可能会影响器件的可靠性。
订购信息
HT1104DC
- 表示封装类型
D =标准DIP
对于封装选择，请致电霍尼韦尔
- 表示筛查水平
C =商用
B =高温B类
2
HT1104
电气特性
S ymbol
V
DD
I
DD
V
O
I
O
V
IO
P arame之三
电源电压（ 2 ）
电源电流（总包）
马克斯。输出电压欧亚克
输出短路电流
输入失调电压
Vs
±5V,
R = 10kΩ的，C = 20pF的
漏/源（ 3 ）
@ 25°C
-55 + 225℃
温度漂移（ 4 ）
漂移时间（ 4 ）
FO = 10赫兹
FO = 1千赫
F = 0至10赫兹
@ 25°C
-55 + 225℃
@ 25°C
-55 + 225℃
VS =
±5V
R = 10kΩ的，C = 20pF的
-VS
R = 10kΩ的，C = 20pF的，25°C
R = 10kΩ的，C = 20pF的，25°C
C = 20pF的
C = 20pF的
15
2
10
100
200
30
8
0.01
5
0.01
10
-Vs
115
95
95
1.4
1.4
60
50
8
2000
100
80
80
7
15
2 (25°C)
-4.8
条件（ 1 ）
典型值
民
5.0
最大
11
6.5 (225°C)
+4.8
单位
V
mA
V
mA
mV
mV
μV/°C
μV /年
内华达州/
√Hz的
内华达州/
√Hz的
V,
p-p
nA
10
nA
10
+ VS -2.2
V
dB
dB
dB
V /微秒
兆赫
°C
dB
V
N
噪声（4）
I
IO
I
IB
V
CM
A
VOL
CMRR
PSRR
SR
UGB
M
AM
ESD
(1)
(2)
(3)
(4)
输入失调电流
输入偏置电流
输入电压范围
开环增益
共模抑制比
电源抑制比
压摆率（ 4 ）
单位增益带宽（ 4 ）
相位裕度（ 4 ）
增益裕度（ 4 ）
ESD保护（ 4 ）
除非另有说明，规范申请
±
5V电源从-55到+ 225 ℃。
推荐耗材
±5V
或0-10V 。联系厂家进行低电压操作规范。
等级为四单一放大器。对于稳态偏置条件下， 10毫安是建议最大。
这些参数由设计保证，而不是在每个设备上进行测试。人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。
压摆率与温度的关系
6
电源电流与温度的关系
7
VSUP=±5.0V
5
6
VSUP=±5.0V
所有输入在GND
摆率（ V / μs的）
4
电源电流（mA ）
5
摆下
3
4
杀最多
2
3
1
2
0
-100 -50
0
50
100 150 200 250 300
1
-100 -50
0
50
100 150 200 250 300
环境温度（ ℃）
环境温度（ ℃）
3
HT1104
开环增益
相位与频率的关系
50
40
30
开环增益（dB ）
收益
VSUP=±5.0V
RL=10k
CL=1,000pF
TA=25°C
开环增益
相位与频率的关系
-45
50
40
收益
VSUP=±5.0V
RL=10k
CL=1,000pF
TA=225°C
-45
-90
开环增益（dB ）
30
20
10
0
-10
-20
-30
-40
相
-90
20
相
相位（ ° ）
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
104
-135
-135
相位（ ° ）
-180
-180
-225
-225
105
106
-270
7
10
-50
104
105
106
-270
7
10
频率（Hz）
频率（Hz）
共模抑制
比与频率的关系
120
开环增益与频率的关系
150
TA=25°C
125
TA=25°C
110
开环增益（dB ）
共模抑制比（分贝）
100
75
50
25
0
-25
VDD=5.0V
VSS=-5.0V
RL=10k
CL=20pF
TA=225°C
100
TA=225°C
90
80
101
102
103
104
-50
10- 2 0- 1 00 101 102 103 104 105 106 107
1
1
频率（Hz）
频率（Hz）
5
HTMOS
TM
高温产品
高温QUAD
运算放大器连接器
特点
规定在-55 + 225℃
单或分离电源操作
共模输入电压范围
包括负轨
低输入偏置和失调参数
输入/输出过载保护
ESD保护电路
无锁定的设计与介质隔离
密封14引脚陶瓷DIP
HT1104
应用
井下油井
涡轮发动机控制
航空电子
工业过程控制
核反应堆
电力转换
重型内燃机
概述
该HT1104单片四通道运算放大器是
多才多艺的表演者在极宽的温度
范围内。它是制作与霍尼韦尔的介电异
迟来高温线性（ HTMOS ）过程，并且是
专为SE-系统中使用的操作设计
韦雷高温环境。所有部件被烧毁
中在250℃下，以消除婴儿死亡率。
这些放大器提供有保证的性能比
在整个-55至+ 225 °C温度范围。通常情况下，部分
在高达+ 300 ℃的一年，有降额perfor-
曼斯。该HT1104将单和分割操作
耗材。高温应用，如反式
能器接口，放大，有源滤波，并且信号
缓冲都可能与HT1104 。
封装引脚
出1
1
1
4
14
出4
- IN 1
2
13
- 在4
-
+
+ IN 1
3
-
+
12
+ IN 4
顶视图
V+
4
11
V-
+ IN 2
5
10
+ IN 3
+
-
- IN 2
6
2
输出2
7
3
+
-
9
- 在3
8
OUT 3
14引脚CERDIP
θJC
= 7 ° C / W
固体电子学中心 12001国道55 ，普利茅斯，MN 55441 （ 800 ） 323-8295 http://www.ssec.honeywell.com
HT1104
简化的原理图
（每扩增fi er ）
V+
BIAS
1x
OUT
+ IN
-IN
1x
V-
包装细节
Q
A
L
E
B1
B
e
E1
C
D
A
B
C
D
E
0.150 （最大）
0.018 ± 0.002
0.010 ± 0.002
0.700 ± 0.010
0.295 REF
E1
B1
e
L
Q
0.300 ± 0.010
0.047 ± 0.002
0.100 ± 0.005
0.125到0.180
0.035 ± 0.010
以英寸所有尺寸
引线镀金镍
绝对最大额定值（ 1 ）
总电源电压（V +至V-） ......................................... ... 13 V
输入电压................................................ .. - 0.5 V
DD
+0.5 V
输出短路持续时间连续....................................
输入电流（每输入） ............................................ .....
±5
mA
输出电流（每路输出） ..........................................
±50
mA
存储温度............................................ -65到+ 325℃
焊接温度（附件10秒） ........................... 355 ℃，
（ 1 ）强调超过上述所列可能导致永久性损坏。这些都是强调
收视率而已，而操作这些级别是不是暗示。频繁或延长曝光
在绝对最大条件下可能会影响器件的可靠性。
订购信息
HT1104DC
- 表示封装类型
D =标准DIP
对于封装选择，请致电霍尼韦尔
- 表示筛查水平
C =商用
B =高温B类
2
HT1104
电气特性
S ymbol
V
DD
I
DD
V
O
I
O
V
IO
P arame之三
电源电压（ 2 ）
电源电流（总包）
马克斯。输出电压欧亚克
输出短路电流
输入失调电压
Vs
±5V,
R = 10kΩ的，C = 20pF的
漏/源（ 3 ）
@ 25°C
-55 + 225℃
温度漂移（ 4 ）
漂移时间（ 4 ）
FO = 10赫兹
FO = 1千赫
F = 0至10赫兹
@ 25°C
-55 + 225℃
@ 25°C
-55 + 225℃
VS =
±5V
R = 10kΩ的，C = 20pF的
-VS
R = 10kΩ的，C = 20pF的，25°C
R = 10kΩ的，C = 20pF的，25°C
C = 20pF的
C = 20pF的
15
2
10
100
200
30
8
0.01
5
0.01
10
-Vs
115
95
95
1.4
1.4
60
50
8
2000
100
80
80
7
15
2 (25°C)
-4.8
条件（ 1 ）
典型值
民
5.0
最大
11
6.5 (225°C)
+4.8
单位
V
mA
V
mA
mV
mV
μV/°C
μV /年
内华达州/
√Hz的
内华达州/
√Hz的
V,
p-p
nA
10
nA
10
+ VS -2.2
V
dB
dB
dB
V /微秒
兆赫
°C
dB
V
N
噪声（4）
I
IO
I
IB
V
CM
A
VOL
CMRR
PSRR
SR
UGB
M
AM
ESD
(1)
(2)
(3)
(4)
输入失调电流
输入偏置电流
输入电压范围
开环增益
共模抑制比
电源抑制比
压摆率（ 4 ）
单位增益带宽（ 4 ）
相位裕度（ 4 ）
增益裕度（ 4 ）
ESD保护（ 4 ）
除非另有说明，规范申请
±
5V电源从-55到+ 225 ℃。
推荐耗材
±5V
或0-10V 。联系厂家进行低电压操作规范。
等级为四单一放大器。对于稳态偏置条件下， 10毫安是建议最大。
这些参数由设计保证，而不是在每个设备上进行测试。人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。
压摆率与温度的关系
6
电源电流与温度的关系
7
VSUP=±5.0V
5
6
VSUP=±5.0V
所有输入在GND
摆率（ V / μs的）
4
电源电流（mA ）
5
摆下
3
4
杀最多
2
3
1
2
0
-100 -50
0
50
100 150 200 250 300
1
-100 -50
0
50
100 150 200 250 300
环境温度（ ℃）
环境温度（ ℃）
3
HT1104
开环增益
相位与频率的关系
50
40
30
开环增益（dB ）
收益
VSUP=±5.0V
RL=10k
CL=1,000pF
TA=25°C
开环增益
相位与频率的关系
-45
50
40
收益
VSUP=±5.0V
RL=10k
CL=1,000pF
TA=225°C
-45
-90
开环增益（dB ）
30
20
10
0
-10
-20
-30
-40
相
-90
20
相
相位（ ° ）
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
104
-135
-135
相位（ ° ）
-180
-180
-225
-225
105
106
-270
7
10
-50
104
105
106
-270
7
10
频率（Hz）
频率（Hz）
共模抑制
比与频率的关系
120
开环增益与频率的关系
150
TA=25°C
125
TA=25°C
110
开环增益（dB ）
共模抑制比（分贝）
100
75
50
25
0
-25
VDD=5.0V
VSS=-5.0V
RL=10k
CL=20pF
TA=225°C
100
TA=225°C
90
80
101
102
103
104
-50
10- 2 0- 1 00 101 102 103 104 105 106 107
1
1
频率（Hz）
频率（Hz）
5
QQ：2880707522 复制
