晶闸管产品目录
8
DO-35
DO-214AA
双边触发DIACS
HT和ST系列
8
概述
TECCOR的"HT"和"ST"一系列双边单IGBT的触发的提供
从27到70伏范围内的电压特性。
双向触发二极管半导体是一个全波或双向晶闸管。它
从阻塞到导通状态的任一极性被触发
施加电压时，只要施加的电压的幅度
超过DIAC的击穿电压额定值。
该行的Teccor单IGBT的特点玻璃钝化路口
确保长期器件的可靠性和参数的稳定性。
TECCOR的玻璃提供了对结坚固，可靠的屏障
污染。
本数据表中列出的DIAC规格标准
产品。特殊参数的选择，如紧公差
电压对称性可用。请咨询工厂
更多信息定制设计的应用程序。后缀RP
标志着磁带和卷轴包装。例如： HT32RP 。
特点
玻璃钝化结
宽电压范围的选择
环氧SMT封装
高温焊料接合片附着
DO- 35触发包
预镀锡引线
"ST"系列
"HT"系列
TECCOR电子
+1 972-580-7777
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8-1
双边触发DIACS
晶闸管产品目录
电气特性T
C
= 25°C
产品型号
V
BO
击穿电压
（正向和
反向）
V
BO
击穿电压
对称
V
BO
=
[ | +V
BO
| - | - V
BO
| ]
伏
DO-214AA
DO-35
HT-32
HT - 32A / HT- 5761
HT - 32B / HT- 5761A
HT-34B
HT-35
HT - 36A / HT- 5762
HT-36B
HT-40
HT-60
ST-34B
ST-35
ST-36A
ST-36B
ST-40
民
27
28
30
32
30
32
34
35
56
最大
37
36
34
36
40
40
38
45
70
最大
3 (1)
2 (1)
2 (1)
2 (1)
3 (1)
2 (1)
2 (1)
3 (1)
4
民
10 (2)
7 10mA时（ 4 ）
7 10mA时（ 4 ）
10 (2)
10 (2)
7 10mA时（ 4 ）
10 (2)
10 (2)
20 (2)
最大
25
25
25
25
25
25
25
25
25
最大
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
1.5
伏
V
BB
动态
Breakback
电压
(3)
|
V±
|
伏
I
BO
高峰转折
当前
at
转折
电压
μAMPS
I
TRM
峰值脉冲
当前
为10μs的
120 PPS
T
A
≤
40°C
安培
一般注意事项
铅焊料温度为+ 230 °C以下。为最长10秒.;
≥
16"分之1 （ 1.59毫米）的情况下。
看到这个目录的“封装尺寸”部分。
加载到
1500瓦
3.3 K
TRIAC
Q2015L5
200 K
120伏交流
60赫兹
G
MT1
MT2
电气规格说明
(1)
(2)
(3)
转折电压对称性尽可能接近1.0V可从
工厂对这些产品。
参见图8.4和8.5的测试电路和波形。
典型的开关时间是我测900纳秒
PK
（见图8.4）跨20Ω电阻（见图8.5 ） 。开关
时间定义为我的上升时间
PK
的10 ％至90％的点之间。
参见图8.7 。
0.1
F
100 V
(4)
HT-35
双边
TRIGGER
DIAC
双边触发DIAC规格
最大额定值，绝对最大值
最大的触发器触发电容： 0.1
F
设备损耗（在T
A
= -40°至+ 40 ℃） ： 250mW的供
DO- 35和300mW的用于DO- 214AA
减免上述+ 40 ° C： 3.6MW / ℃， DO - 35 ，并为3mW / ℃，
DO-214AA
温度范围
储存： -40 ° C至+ 125°C
工作（结） ： -40 ° C至+ 125°C
图8.1
采用典型的端交流开关元件可控硅全波相位控制电路
低电压DIACS
HT和ST系列热敏电阻
交界处领导 - R的
θ
JL
： ° C / W
结到环境[R
θ
JA
] ： ° C / W
（基于90 ℃，最高气温铅
DO- 214AA和85℃的DO- 35设备）
Y
S
DO-35
DO-214AA
100 [ 278 ] ° C / W
65 [200] ° C / W
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双边触发DIACS
10
5.0
重复峰值通态电流（I
TRM
） - 安培
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
.01
.005
.003
.002
.001
1
2
4
6
10
20
40 60 100
200
400 600 1000
2000
4000
10000
脉冲重复频率= 120 PPS
TA = 40℃
ST或HT- 32X ， -34x ， -35 ， -36x ， -40
HT- 5761 ， -5761A ， -5762
HT-60
安全工作
区域
基脉冲持续时间 - 微秒
图8.2
重复峰值通态电流与脉冲持续时间
+8
VBO变化的百分比 - ％
+6
+4
ST或HT- 32X ， 34X ， 35 ， 18倍， 40
HT- 5761 ， 5761A ， 5762
VC
+ VBO
V+
HT-60
+2
0
-VBO
0
t
V-
IL
+ IPK
0
t
-2
-4
-6
0
-40
-20
0
+20 +40 +60 +80 +100 +120 +140
-ipk
结温（Tj ） - C
典型的脉冲基宽度为10微秒。
图8.3
归V
BO
更改VS结温
图8.4
测试电路波形（见图8.5 ）。
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双边触发DIACS
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当前
47 k
*
100 k
D.U.T.
RL
VC
CT
O.1
F
IL
20
1%
-VBO
10mA
V
转折
当前
IBO
电压
+ VBO
转折
电压
VBO
120V RMS
60赫兹
*调整为每半周一次烧制。 D.U.T. =端交流开关元件
图8.5
电路用来测量端交流开关元件特性
（见图8.4 ）。
图8.7
的V-I特性
300
峰值输出电流（ IPK ） - 毫安
250
200
按照图8.5
20Ω的RL
CE
VI
)
150
TY
C
PI
AL
(35
V
DE
100
50
0
.01 .02 .03 .04 .05 .06 .07 .08 .09 .10
触发电容（ CT）， -
F
图8.6
峰值输出电流与触发电容
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