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HSP45116A
数据表
2007年5月7日
FN4156.4
数控振荡器/
调制器
Intersil的HSP45116A结合了高性能
正交数控振荡器( NCO )和
高速16位复数乘法器/累加器( CMAC )
在单个IC上。这种功能组合允许
复数矢量由内部生成的相乘
( COS , SIN)向量的正交调制和
解调。如图所示的框图,该
HSP45116A被分为三个主要部分。相位/
频率控制部分氟化碳(PFCs )和正弦/余弦
部分一起形成一个复杂的NCO 。 CMAC的乘法
该正弦/余弦节的与外部的输出
复杂的矢量。
将输入的相位/频率控制部分组成
的微处理器接口和独立的控制线。
的PFCS的相位分辨率为32位,这导致了
频率分辨率高于0.013Hz在52MHz的更好。该
在PFC的输出正弦和余弦的说法。
复杂的正弦波的无杂散动态范围
超过-90dBc的更大。
从正弦/余弦节的输出向量是一个
输入到复数乘法器/累加器。该CMAC
由外部复杂的矢量乘以这个( COS , SIN)载体
并且可以累积的结果。将得到的复矢量
可通过两个20位输出端口,以维持
90dB的频谱纯度。此结果可积累
在内部实现一个累加和转储过滤器。
正交下变频器可实现
加载的中心频率成相位/频率
控制部分。被降频转换的信号与
CMAC的,其中由相乘的数据的矢量输入
从正弦/余弦节旋转矢量。由此产生的
复杂的输出是下变频信号。该位
为CMAC和复杂的输出位置和宽度
累加器(ACC)是可编程的。
特点
NCO与CMAC在一块芯片上
52MHz的版本
32位频率控制
16位相位调制
16位CMAC
0.013Hz调谐分辨率为52MHz的
可编程舍入选项
寄生频率分量< -90dBc
完全静态CMOS
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
频率合成
调制 - AM,FM , PSK , FSK , QAM
解调, PLL
移相器
极地笛卡尔转换
订购信息
产品型号
HSP45116AVC-52
最热
HSP45116AVC-52
TEMP 。范围(° C)
0至+70
0至+70
160 Ld的MQFP ( 28mmx28mm )
160 Ld的MQFP ( 28mmx28mm ) (无铅)
PKG 。 DWG 。 #
Q160.28x28
Q160.28x28
HSP45116AVC - 52Z (注) HSP45116AVC - 52Z
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类,可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2007版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HSP45116A
框图
向量输入
R
I
正弦/
余弦
争论
微处理器
接口
个人
控制信号的
PHASE /
频率
控制
部分
正弦/
余弦
部分
COS
CMAC
R
I
矢量输出
2
FN4156.4
2007年5月7日
HSP45116A
引脚
HSP45116A
( 160 LD MQFP )
顶视图
NC
V
CC
IMIN1
GND
IMIN2
IMIN3
IMIN4
IMIN5
IMIN6
IMIN7
IMIN8
IMIN9
IMIN10
IMIN11
IMIN12
V
CC
IMIN13
GND
IMIN14
IMIN15
IMIN16
IMIN17
IMIN18
IO19
IO18
IO17
IO16
IO15
V
CC
GND
IO14
IO13
IO12
IO11
IO10
GND
V
CC
IO9
IO8
IO7
160
159
158
157
156
155
154
153
152
151
150
149
148
147
146
145
144
143
142
141
140
139
138
137
136
135
134
133
132
131
130
129
128
127
126
125
124
123
122
121
IMIN0
RIN18
RIN17
RIN16
RIN15
RIN14
GND
RIN13
RIN12
RIN11
RIN10
RIN9
RIN8
RIN7
RIN6
RIN5
RIN4
RIN3
RIN2
GND
RIN1
V
CC
RIN0
SH1
SH0
ENPHREG
ENOFREG
PEAK
RBYTILD
BINFMT
GND
天工
V
CC
MOD1
MOD0
PACI
负载
PMSEL
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
120
119
118
117
116
115
114
113
112
111
110
109
108
107
106
105
104
103
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
NC
GND
IO6
IO5
IO4
IO3
GND
IO2
IO1
V
CC
IO0
RO19
GND
RO18
RO17
RO16
RO15
RO14
V
CC
RO13
RO12
RO11
GND
RO10
RO9
V
CC
RO8
RO7
GND
RO6
RO5
RO4
RO3
V
CC
RO2
RO1
RO0
GND
DET1
DET0
CLROFR
ENCFREG
ENPHAC
ENTIREG
ENI
MODPI/2PI
CS
GND
CLK
V
CC
AD1
AD0
WR
C15
C14
C13
C12
C11
C10
C9
C8
GND
C7
C6
C5
C4
C3
C2
C1
C0
OUTMUX1
OUTMUX0
GND
OER
RND
OEREXT
OEIEXT
OEI
PACO
NC
3
FN4156.4
2007年5月7日
HSP45116A
引脚说明
名字
V
CC
22, 34, 50, 87, 95,
102, 111, 124, 132,
145, 159
7, 20, 32, 48, 62, 73,
83, 92, 98, 108,
114, 119, 125, 131,
143, 157
54-61, 63-70
51, 52
47
53
TYPE
-
+ 5V电源输入。
描述
GND
-
电源地输入。
C0-15
AD0-1
CS
WR
I
I
I
I
控制输入总线装载相位和频率数据到PFCS 。 C15是MSB。
地址引脚,用于选择C0-15的数据目的地。 AD1是MSB。
片选(低电平有效) 。
写使能。数据移入在WR的上升沿被AD0-1选择输入寄存器
当CS为低。
时钟。所有的寄存器,除了控制寄存器时钟与WR ,都是主频(启用时)
由CLK的上升沿。
相位寄存器使能(低电平有效) 。由CLK登记在芯片上。当低电平有效,之后被
主频芯片上, ENPHREG实现了数据的时钟进入相位寄存器。
频率偏移寄存器使能(低电平有效) 。由CLK登记在芯片上。当激活时,后
作为其时钟芯片上, ENOFREG使频率的时钟偏移数据转换到频
偏移寄存器。
中心频率寄存器使能(低电平有效) 。由CLK登记在芯片上。当激活时,后
作为其时钟芯片上, ENCFREG使数据的时钟到中心频率寄存器。
相位累加器寄存器使能(低电平有效) 。由CLK登记在芯片上。当激活时,后
作为其时钟芯片上, ENPHAC使相位累加器寄存器的时钟。
时间间隔控制寄存器使能(低电平有效) 。由CLK登记在芯片上。当激活时,后
作为其时钟芯片上, ENTIREG使数据的时钟到时间累加寄存器。
实部和虚部数据输入寄存器( RIR , IIR )使能(低电平有效) 。以挂号芯片
CLK 。当激活时,作为其时钟芯片上后, ENI使数据的时钟到真实
假想的输入数据寄存器中。
π/2π
选择。当低,正弦和余弦ROM的寻址模2π ( 360
度) 。当高,最显着的地址位保持为低电平,使得ROM的寻址
π
(180度) 。此输入由时钟登记在芯片上。这种控制引脚被列入
进行FFT处理。
频率偏移寄存器输出的零(低有效)。由CLK登记在芯片上。当激活时,
作为其时钟芯片上后, CLROFR归零的频率偏移寄存器中的数据路径
到频率加法器。新的数据仍然可以读入频率偏移寄存器;
CLROFR不影响该寄存器的内容。
相位累加器负载控制(低电平有效) 。由CLK登记在芯片上。零反馈路径
在没有清除相位累加器寄存器中的相位累加器。
外部调制控制位。当与PMSEL线选择时,这些位加0 ,90,180 ,
或270度偏移的相位累加器的当前阶段。的相位的低14位
控制路径被设置为零。
这些位被装入相位寄存器时ENPHREG低。
MOD1
0
0
1
1
MOD0
0
1
0
1
相移(度)
0
90
270
180
CLK
49
I
ENPHREG
27
I
ENOFREG
28
I
ENCFREG
42
I
ENPHAC
43
I
ENTIREG
44
I
ENI
45
I
MODPI/2PI
46
I
CLROFR
41
I
负载
38
I
MOD0-1
35, 36
I
4
FN4156.4
2007年5月7日
HSP45116A
引脚说明
名字
PMSEL
(续)
TYPE
I
描述
相位调制选择线路。该行确定数据的来源移入阶段
注册。当高,相位控制寄存器中选择。当为低电平时,外部调制引脚
( MOD0-1 )被选择为最显著2比特和至少显著两个比特和所述至少
显著14位被设置为零。这种控制是由CLK的注册。
ROM绕道,定时器装载(低电平有效) 。由CLK注册。这个输入绕过该正弦/余弦
ROM中,以使16位相位加法器的输出和低16位的相位累加器的直接进入
到的CMAC的正弦和余弦输入端。它还使装载的定时器
累加器归零在累加器反馈登记。
相位累加器进位输入(低电平有效) 。在这个引脚上的低电平使相位累加器
由一个除数值中的相位累加器寄存器和频率递增
加法器。
相位累加器的进位输出。低电平有效和CLK注册。低此输出
表示该相位累加器已经超过佛罗里达州欠,即1正弦的端/余弦周期有
已经达到。
时间间隔蓄能器的进位输出。低电平有效,由CLK注册。这个输出变低
当由时间间隔累加器产生的进位。这个功能被提供到超时
控制活动,如同步寄存器时钟到数据的时间。
真正的输入数据总线。 RIN18是MSB。这是外部实分量成复
乘数。该总线的时钟频率为实际输入数据寄存器由CLK时ENI是断言。两公司
补充。
假想的输入数据总线。 IMIN18是MSB。这是外部虚分量进
复数乘法器。该总线的时钟频率为实际输入数据寄存器由CLK的时候是ENI
断言。二进制补码。
换档控制输入。这些行控制RIN的输入转换器和IIN输入复杂的
乘数。变速控制是常见于在两个总线的转换器。
SH1
0
0
1
1
SH0
0
1
0
1
选择的位
RIN0-15 , IMIN0-15
RIN1-16 , IMIN1-16
RIN2-17 , IMIN2-17
RIN3-18 , IMIN3-18
39
RBYTILD
30
I
PACI
37
I
PACO
79
O
天工
33
O
RIN0-18
2-6, 8-19, 21, 23
I
IMIN0-18
1, 138-142, 144,
146-156, 158
I
SH0-1
24, 25
I
26
I
累积/转储控制。该输入控制复杂的蓄电池及其控股
寄存器。当高,累加器累加和保持寄存器被禁用。当
低,在累加器反馈置零,以使蓄能器加载。
保持寄存器被使能时钟中的累积的结果。该输入是
由CLK注册。
BINFMT
31
I
此输入用于将2的补码输出转换为偏移二进制(无符号),用于
使用D / A转换器的应用程序。当低,位RO19和IO19从内部倒
2的补码表示。此输入由CLK注册。
这使得输入的峰值检测块浮动点检测的功能。当高,
最大比特生长在输出保持寄存器进行编码并输出的DET0-1引脚。
当峰值输入有效时,该块浮动点检测器输出将跟踪最大
增长保持寄存器,包括当时的峰值在保持寄存器中的数据
被激活。
PEAK
29
I
5
FN4156.4
2007年5月7日
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HSP45116AVC-52Z
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:755-88608527(高端电子元件渠道商)/83950895/83950890
联系人:蔡小姐/吴小姐/钱先生/朱先生
地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯
HSP45116AVC-52Z
INTERSIL
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QFP
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联系人:朱先生
地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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HSP45116AVC-52Z
INTERSIL
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联系人:Sante Zhang/Mollie
地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯
HSP45116AVC-52Z
INTERSIL
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电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
HSP45116AVC-52Z
INTERSIL
19+
5600
QFP
进口原装正品现货
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电话:0755-89697985
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地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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Renesas Electronics Corporation
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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Renesas Electronics Corporation
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