核事件探测器
V
B
8
9
HSN-3000
V
L
1
门槛
调整
V
H
14
10 k
探测器
（ PIN二极管）
2
NED
扩音器
脉冲定时器
10 k
逻辑
LATCH
位
6
LED
13
NEF
11
旗
RESET
7
5
4
12
GND
C
RC
旗
RESET
逻辑图
F
EATURES
:
检测电离辐射脉冲
100％测试/认证检测阈值电平
可调规避期
旗回忆事件发生
100％的可测试具有内置测试
检测阈值可调
+ 5V单电源工作
辐射硬度保证
符合MIL -PRF - 38534 H级
1
扁平封装（ F）或DIP （L ）封装
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ HSN -3000抗辐射杂种
核事件检测（ NED ）检测电离辐射脉冲
由核事件产生，如核引爆
武器，并迅速切换其输出从正常高
状态，以与更小的传播延迟时间比低电平状态
为20ns 。该低电平有效核事件检测信号（ NED ）是
用于引发各种规避的功能，从而
避免沮丧，电子元器件烧坏。在NED
输出也被用于启动硬件和软件两者恢
红霉素。核EVET标志信号（ NEF ）记得事件
发生，并用于实际的事件之间进行区分，并
上电。无论是国旗的信号输入复位或复位标志可
用于复位的NEF输出。这种高速， 14针杂交
检测器用于在电子系统中作为一个通用税务局局长
cumvention设备，以保护存储器，停止数据处理，并
驱动电源开关和信号夹子。
在HSN -3000保证通过三个关键操作
环境：电离剂量率[ 10
12
RAD （SI ） / S] ，伽玛总
剂量[ 10
6
拉德（Si）的]和中子通量[ 5×10
13
牛顿/厘米
2
] 。此外
化，该装置被设计在整个瞬态起作用
中子脉冲。混合动力的分立设计保证了控制的
响应于这些辐射的环境中，以及免疫
闭锁。每个HSN -3000的检测水平和功能
在电离剂量率环境中进行测试。证书是亲
vided每个序列杂交，报告辐射测试
结果，保证其性能。该器件还很多
合格的总剂量和中子的环境，以确保
性能。
将HSN- 3000的检测阈值之内的可调
2× 10范围内
5
拉德（硅） / s至2×10
7
RAD （SI ） /秒。该检测水平
可以通过麦克斯韦或预置由使用者调节。比少
在检测阈值30 ％的变化，可以预计在
整个工作温度范围内。
内存
R
ADIATION
H
ARDNESS
C
极特
:
剂量率（经营通） ： 1 ×10
12
Rad公司（SI ） /秒
总剂量： 1 ×10
6
Rad公司（SI ）
中子注： 5 ×10
13
牛顿/厘米
2
大致探测范围： 2 ×10
5
- 2 x 10
7
Rad公司（SI ） /秒
麦克斯韦技术指定，控制和测试
保证
1.
对于麦克斯韦技术通过微电子Teledyne公司制造
技术MIL-PRF- 38534 ， H级，无RHA
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核事件探测器
T
ABLE
2. E
LECTRICAL
C
极特
P
ARAMETER
标志RESET （引脚11 ）
S
YMBOL
V
IL
I
IL
t
PW
V
IH
I
IH
V
IL
I
IL
t
PW
V
OH
V
OL
t
D
V
OH
V
OL
V
L
= 20V ，我
OH
= -100 A
I
OL
= 10毫安
C
ONDITIONS
-55
°
<牛逼
A
＆ LT ; 125
°
C
V
IL
= 0.5V, V
H
= 5.5V
V
IL
= 0.5V
V
IH
= 4.0V
V
IL
= 0.5V
引脚9公开赛，V
IH
= 4.0V
V
L
= 20V ，我
OH
= -100 A
I
OL
= 10毫安
I
OL
= 100毫安
M
IN
--
--
250
4.0
--
--
--
10
18.5
--
--
--
18.5
--
M
AX
0.5
-30
--
5.5
25
0.5
10
--
--
0.6
1.0
20
--
0.6
HSN-3000
U
NIT
V
mA
ns
V
mA
V
A
s
V
G
ROUP
A
S
UBGROUP
7,8
1,2,3
9,10,11
7,8
1,2,3
7,8
1,2,3
9,10,11
1,2,3
1,2,3
内置测试（BIT ）
4,5
NED
辐射传播延迟时间
6
NEF
ns
V
1,2,3
1,2,3
内存
1.待机模式是设备的正常状态下，被定义为在“高”同时具有NED和NEF输出（引脚2和13）
状态。
2.标志设置模式下发生的事件已经检测后， BIT已经开始与NED输出超时（即，有
转变到“高”状态） ，使在低状态仅存输出的等量输出。
3.业务模式是在NED信号的超时时间的影响，其特征在于具有两个NED和NEF输出
所说的“低”状态，导致该装置的最大电流消耗。
4位电气特性并不能保证在辐射范围内。
5.位可能不符合规格时只有一个电阻器用于调节检测水平。在这种情况下使用BIT ，它是
注意，一个串联的电阻器/电容器组合使用。
6.保证，但未经测试过的温度。时间延迟，T
D
中，从放射线的上升沿测量的，在50 ％的点
脉冲到NED输出的大约10倍的检测电平的下降沿。
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0.600
0.015 ± 0.003
0.145最大
HSN-3000
顶视图
0.070 ± 0.002
0.795
0.600
0.100 TYP
0.100
典型值
0.500
民
14 13 12 11 10
9
8
0.495
1
2
3
4
5
6
7
14 13 12 11 10
1
2
3
4
5
9
6
8
7
0.300
0.495
0.145最大
0.795
0.010 ± 0.002
0.200
内存
扁平混合封装
HSN-3000F
所有的公差为± 0.005除非指定
0.016
迪亚
0.020
DIP封装的混合
HSN-3000L
M
器的机械
D
IMENSIONS
注：以英寸为单位的所有尺寸。
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