核事件探测器
HSN-2000
V
B
8
9
门槛
调整
V
H
14
V
L
1
10 k
探测器
（ PIN二极管）
2
NED
扩音器
脉冲定时器
10 k
逻辑
LATCH
位
6
LED
13
NEF
11
旗
RESET
7
5
4
12
GND
C
RC
旗
RESET
逻辑图
F
EATURES
:
检测电离辐射脉冲
经测试/认证检测阈值电平
可调规避期
100％的可测试具有内置测试
检测阈值可调
+ 5V单电源工作
设计，在抗辐射
符合MIL -PRF - 38534 H级
1
扁平封装（ F）或DIP （L ）封装
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ HSN- 2000抗辐射杂种
核事件检测（ NED ）检测电离辐射脉冲
由核事件产生，如核引爆
武器，并迅速切换，从正常的高输出
状态，以小于20的传播延迟时间为低电平状态
纳秒。活性低核事件检测信号（NED ）用于
以引发各种各样的规避功能，从而防止来自
荷兰国际集团心烦和电子元件烧坏。在NED输出
还用于初始化硬件和软件两者的恢复。这
高速， 14针杂交检测器用于在电子系统中
作为一个通用的规避装置，以保护存储器，
停止数据处理，和驱动电源开关以及
信号夹。
在HSN -2000被设计为通过三个关键envi-操作
境下：电离剂量率[ 10
12
RAD （SI ） / S] ，γ总剂量
[10
6
拉德（Si）的]和中子通量[ 5×10
13
牛顿/厘米
2
] 。此外，该
装置被设计在整个瞬态中子功能
脉搏。混合动力的分立设计保证了控制的响应
在这些辐射的环境中，以及抗闭锁能力。
每一个样品的检测水平和功能HSN-
2000年生产的很多是在电离剂量率测试环境
换货。证书提供报告的测试结果
生产批号。
在HSN -2000的检测阈值范围内可调
2× 10范围内
5
拉德（硅） / s至2×10
7
RAD （SI ） /秒。该检测水平
可以通过麦克斯韦或预置由使用者调节。比少
在检测阈值30 ％的变化，可以预计在
整个工作温度范围内。
内存
R
ADIATION
H
ARDNESS
C
极特
剂量率（经营通） ： 1个
Rad公司（SI ） /秒
总剂量： 1 ×10
6
Rad公司（SI ）
中子注： 5 ×10
13
牛顿/厘米
2
大致探测范围： 2 ×10
5
- 2 x 10
7
Rad公司（SI ） /秒
麦克斯韦技术指定，控制和测试
10
12
1.
对于麦克斯韦技术通过微电子Teledyne公司制造
技术MIL-PRF- 38534 ， H级，无RHA
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表2.注意事项
HSN-2000
1.待机模式的设备，定义为具有NED输出（引脚2 ）中的“高”状态的正常状态。
2.业务模式实际上是在NED信号，其特征在于具有“低”的NED输出的超时时间
状态，导致该装置的最大电流消耗。
3位电气特性并不能保证在辐射范围内。
4.位可能不符合规格时只有一个电阻器用于调节检测水平。在这种情况下使用BIT ，它是
注意，一个串联的电阻器/电容器组合使用。
5.保证，但未经测试过的温度。时间延迟，T
D
中，从放射线的上升沿测量的，在50 ％的点
脉冲到NED输出的大约10倍的检测电平的下降沿。
0.100
典型值
0.600
0.015 ± 0.003
0.145最大
顶视图
0.070 ± 0.002
0.500
民
0.795
0.600
0.100 TYP
内存
14 13 12 11 10
9
8
0.495
1
2
3
4
5
6
7
14 13 12 11 10
1
2
3
4
5
9
6
8
7
0.300
0.495
0.145最大
0.795
0.010 ± 0.002
0.200
0.016
迪亚
0.020
扁平混合封装
HSN-500F
所有的公差为± 0.005除非指定
DIP封装的混合
HSN-500L
M
器的机械
D
IMENSIONS
注：以英寸为单位的所有尺寸。
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未经麦克斯韦技术明确的书面批准。
对麦克斯韦技术的任何索赔必须在90天内从装运从麦克斯韦技之日起进行
nologies 。麦克斯韦科技的责任应仅限于更换损坏的部件。
产品订购选项
型号
HSN-2000
X
特征
选项详细信息
内存
包
L =双列直插式封装（ DIP ）
F =扁平封装
基本产品
命名法
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