表面贴装射频肖特基
垒二极管
技术参数
HSMS- 282X系列
特点
低导通电压
（低至0.34 V ，1毫安）
低FIT （在失败时）
率*
六个西格玛质量水平
单，双和四
版本
独特的配置
表面贴装SOT- 363
包
封装引线码识别， SOT -23 / SOT -143
（ TOP VIEW ）
常见
常见
单身
3
系列
3
阳极
3
阴极
3
1
#0
2
1
#2
2
1
#3
2
1
#4
2
悬空
对
3
4
环
四
3
4
桥
四
3
4
CROSS -OVER
四
3
4
- 增加灵活性
- 节省电路板空间
- 降低成本
HSMS- 282K接地
中心信息提供多达
高10dB隔离
匹配的二极管
稳定的性能
更好的导热性
更高的功率耗散
1
#5
2
1
#7
2
1
#8
2
1
#9
2
包铅代码iDEN的
tification ， SOT- 323
（ TOP VIEW ）
单身
系列
包铅代码iDEN的
tification ， SOT- 363
（ TOP VIEW ）
高隔离度
PAIR无关
6
5
4
悬空
TRIO
6
5
4
提供无铅选项
*
欲了解更多信息，请参阅
表面贴装肖特基
可靠性数据表。
B
常见
阳极
C
常见
阴极
1
2
3
K
常见
阴极QUAD
6
5
4
1
2
3
L
常见
阳极QUAD
6
5
4
E
F
1
2
说明/应用
这些肖特基二极管
专为设计
模拟和数字应用。
该系列提供了广泛的
规格及包装
配置，以提供
设计师很大的灵活性。典型
这些肖特基应用
二极管混频，探测，
开关，采样，夹紧，
和波形整形。该
HSMS- 282X系列二极管是
最好的最全面的选择
应用，具有低系列
性，低的正向电压
目前所有的水平和良好的RF
的特点。
需要注意的是安捷伦的制造业
技术保证骰子发现
在对和四边形是取自
邻近的位置在晶片上，
保证了最高程度的
匹配。
M
3
1
2
N
3
桥
四
6
5
4
6
环
四
5
4
1
2
P
3
1
2
R
3
2
引脚连接和
包装标志
1
2
3
6
5
4
绝对最大额定值
[1]
T
C
= 25°C
符号参数
I
f
P
IV
T
j
T
英镑
θ
jc
单位SOT -23 / SOT -143 SOT- 323 / SOT- 363
1
15
150
-65到150
500
1
15
150
-65到150
150
正向电流（ 1
s
脉冲）放大器
峰值反向电压
V
结温
储存温度
热阻
[2]
°C
°C
° C / W
注意事项：
1.包装标识规定
定位和识别。
2.请参见“电气规范”
适当的包装标识。
电气规格牛逼
C
= 25
°
C，单二极管
[4]
部分
包
号标记的铅
HSMS
[5]
CODE
CODE
2820
2822
2823
2824
2825
2827
2828
2829
282B
282C
282E
282F
282K
282L
282M
282N
282P
282R
C0
[3]
C2
[3]
C3
[3]
C4
[3]
C5
[3]
C7
[3]
C8
[3]
C9
[3]
C0
[7]
C2
[7]
C3
[7]
C4
[7]
CK
[7]
CL
[7]
HH
[7]
NN
[7]
CP
[7]
OO
[7]
0
2
3
4
5
7
8
9
B
C
E
F
K
L
M
N
P
R
最大
最小最大正向
正向击穿
电压
电压
电压
V
F
(V) @
V
BR
(V)
V
F
（毫伏）
I
F
（MA ）
15
340
0.5
10
最大
反向
典型
泄漏
最大
动态
I
R
（ NA） @电容电阻
V
R
(V)
C
T
（PF ）
R
D
()
[6]
100
1
1.0
12
测试条件
注意事项：
1.
V
F
在双二极管和四边形的15 mV（最大值）为1 mA 。
2.
C
TO
对于二极管对和四边形为0.2 pF的最大值。
3.包装标识代码是白色的。
4.有效的载流子寿命（ τ）为所有这些二极管为5 mA时测得与克拉考尔法100ps的最大。
标题5.见“四电容”。
6. R
D
= R
S
+ 5.2
在25℃和我
f
= 5毫安。
7.包装标识代码激光标记。
GUx
注意事项：
1.操作中过量的这些条件中的任何一个可以导致永久性的损坏
该设备。
2. T
C
= + 25 ° C，其中T
C
被定义为在所述封装引脚，其中温度
接触形成于所述电路板。
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
PAIR无关
四戒
[5]
四桥
[5]
交叉四
单身
系列
共阳极
共阴极
高隔离度
PAIR无关
悬空三重奏
共阴极四
共阳极四
四桥
四戒
I
R
= 100
A
I
F
= 1毫安
[1]
V
F
= 0 V
F = 1 MHz的
[2]
I
F
= 5毫安
4
典型性能，T
C
= 25
°
℃（除非另有说明） ，单二极管
100
I
F
- 正向电流（mA ）
C
T
- 电容（pF ）
I
R
- 反向电流（ NA）
10
T
A
= +125°C
T
A
= +75°C
T
A
= +25°C
T
A
= –25°C
100,000
1
10,000
0.8
1000
0.6
1
100
0.4
0.1
10
1
0
5
0.01
0
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
V
F
- 正向电压（ V）
T
A
= +125°C
T
A
= +75°C
T
A
= +25°C
10
15
0.2
0
0
2
4
6
8
V
R
- 反向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图1.正向电流与
在正向电压的温度。
图2.反向电流与
反向电压的温度。
图3.总电容与
反向电压。
V
F
- 正向电压差（MV ）
1000
30
30
100
1.0
10
I
F
（左轴）
10
100
I
F
（左轴）
10
10
1
V
F
（右轴）
1
V
F
（右轴）
1
0.1
1
10
100
0.3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.3
1.4
1
0.10
0.15
0.20
0.1
0.25
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
V
F
- 正向电压（ V）
图4.动态电阻与
正向电流。
图5.典型的V
f
全场比赛，双系列
和四边形的混频器偏置电平。
图6.典型的V
f
全场比赛，双系列
在检测器偏置电平。
1
10
10
V
O
=输出电压（V）的
V
O
=输出电压（V）的
DC偏压= 3
A
0.1
-25°C
+25°C
+75°C
0.1
0.01
+25°C
转换损耗（dB ）
1
9
8
0.01
RF在18 nH的HSMS- 282B武
3.3 nH的
100 pF的
100 K
0
0.001
0.0001
1E-005
-20
在RF
68
HSMS-282B
Vo
100 pF的
7
4.7 K
20
30
6
0
2
4
6
8
10
12
本振功率（dBm ）
0.001
-40
-30
-20
-10
-10
0
10
P
in
- 输入功率（dBm ）
P
in
- 输入功率（dBm ）
图7.典型输出电压 -
输入功率，小信号探测器
工作在850兆赫。
图8.典型输出电压 -
输入功率，大信号探测器
工作频率为915MHz 。
图9.典型变频损耗与
L.O.驱动器， 2.0千兆赫（参考AN997 ） 。
V
F
- 正向电压差（MV ）
R
D
- 动态电阻（ Ω ）
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（ μA ）
表面贴装射频肖特基
垒二极管
技术参数
HSMS- 282X系列
特点
低导通电压
（低至0.34 V ，1毫安）
低FIT （在失败时）
率*
六个西格玛质量水平
单，双和四
版本
独特的配置
表面贴装SOT- 363
包
封装引线码识别， SOT -23 / SOT -143
（ TOP VIEW ）
常见
常见
单身
3
系列
3
阳极
3
阴极
3
1
#0
2
1
#2
2
1
#3
2
1
#4
2
悬空
对
3
4
环
四
3
4
桥
四
3
4
CROSS -OVER
四
3
4
- 增加灵活性
- 节省电路板空间
- 降低成本
HSMS- 282K接地
中心信息提供多达
高10dB隔离
匹配的二极管
稳定的性能
更好的导热性
更高的功率耗散
*欲了解更多信息，请参阅
表面贴装肖特基可靠性
数据表。
1
#5
2
1
#7
2
1
#8
2
1
#9
2
封装引线码
鉴定， SOT- 323
（ TOP VIEW ）
单身
系列
封装引线码
鉴定， SOT- 363
（ TOP VIEW ）
高隔离度
PAIR无关
6
5
4
悬空
TRIO
6
5
4
B
常见
阳极
C
常见
阴极
1
2
3
K
常见
阴极QUAD
6
5
4
1
2
3
L
常见
阳极QUAD
6
5
4
说明/应用
这些肖特基二极管
专为设计
模拟和数字应用。
该系列提供了广泛的
规格及包装
配置，以提供
设计师很大的灵活性。典型
这些肖特基应用
二极管混频，探测，
开关，采样，夹紧，
和波形整形。该
HSMS- 282X系列二极管是
E
F
1
2
最好的最全面的选择
应用，具有低系列
性，低的正向电压
目前所有的水平和良好的RF
的特点。
需要注意的是安捷伦的制造业
技术保证骰子发现
在对和四边形是取自
邻近的位置在晶片上，
保证了最高程度的
匹配。
1
M
3
1
2
N
3
桥
四
6
5
4
6
环
四
5
4
1
2
P
3
1
2
R
3
引脚连接和
包装标志
1
2
3
6
5
4
绝对最大额定值
[1]
T
C
= 25°C
符号参数
I
f
P
IV
T
j
T
英镑
θ
jc
峰值反向电压
结温
储存温度
热阻
[2]
单位SOT -23 / SOT -143 SOT- 323 / SOT- 363
1
15
150
-65到150
500
1
15
150
-65到150
150
V
°C
°C
° C / W
正向电流（ 1
s
脉冲）放大器
注意事项：
1.包装标识规定
定位和识别。
2.请参见“电气规范”
适当的包装标识。
电气规格牛逼
C
= 25
°
C，单二极管
[4]
部分
包
号标记的铅
HSMS
[5]
CODE
CODE
2820
2822
2823
2824
2825
2827
2828
2829
282B
282C
282E
282F
282K
282L
282M
282N
282P
282R
C0
[3]
C2
[3]
C3
[3]
C4
[3]
C5
[3]
C7
[3]
C8
[3]
C9
[3]
C0
[7]
C2
[7]
C3
[7]
C4
[7]
CK
[7]
CL
[7]
HH
[7]
NN
[7]
CP
[7]
OO
[7]
0
2
3
4
5
7
8
9
B
C
E
F
K
L
M
N
P
R
最大
最小最大正向
正向击穿
电压
电压
电压
V
F
(V) @
V
BR
(V)
V
F
（毫伏）
I
F
（MA ）
15
340
0.5
10
最大
反向
典型
泄漏
最大
动态
I
R
（ NA） @电容电阻
V
R
(V)
C
T
（PF ）
R
D
()
[6]
100
1
1.0
12
测试条件
注意事项：
1.
V
F
在双二极管和四边形的15 mV（最大值）为1 mA 。
2.
C
TO
对于二极管对和四边形为0.2 pF的最大值。
3.包装标识代码是白色的。
4.有效的载流子寿命（ τ）为所有这些二极管为5 mA时测得与克拉考尔法100ps的最大。
标题5.见“四电容”。
6. R
D
= R
S
+ 5.2
在25℃和我
f
= 5毫安。
7.包装标识代码激光标记。
GUx
注意事项：
1.操作中过量的这些条件中的任何一个可以导致永久性的损坏
该设备。
2. T
C
= + 25 ° C，其中T
C
被定义为在所述封装引脚，其中温度
接触形成于所述电路板。
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
PAIR无关
四戒
[5]
四桥
[5]
交叉四
单身
系列
共阳极
共阴极
高隔离度
PAIR无关
悬空三重奏
共阴极四
共阳极四
四桥
四戒
I
R
= 100
A
I
F
= 1毫安
[1]
V
F
= 0 V
F = 1 MHz的
[2]
I
F
= 5毫安
2
典型性能，T
C
= 25
°
℃（除非另有说明） ，单二极管
100
I
F
- 正向电流（mA ）
C
T
- 电容（pF ）
I
R
- 反向电流（ NA）
10
T
A
= +125
C
C
T
A
= +75
C
T
A
= +25
T
A
= –25
C
100,000
1
10,000
0.8
1000
0.6
1
100
0.4
0.1
10
1
0
5
0.01
0
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
V
F
- 正向电压（ V）
T
A
= +125
C
C
T
A
= +75
C
T
A
= +25
10
15
0.2
0
0
2
4
6
8
V
R
- 反向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图1.正向电流与
在正向电压的温度。
图2.反向电流与
反向电压的温度。
图3.总电容与
反向电压。
V
F
- 正向电压差（MV ）
1000
30
30
100
1.0
10
I
F
（左轴）
10
100
I
F
（左轴）
10
10
1
V
F
（右轴）
1
V
F
（右轴）
1
0.1
1
10
100
0.3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.3
1.4
1
0.10
0.15
0.20
0.1
0.25
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
V
F
- 正向电压（ V）
图4.动态电阻与
正向电流。
图5.典型的V
f
全场比赛，双系列
和四边形的混频器偏置电平。
图6.典型的V
f
全场比赛，双系列
在检测器偏置电平。
1
10
10
V
O
=输出电压（V）的
V
O
=输出电压（V）的
DC偏压= 3
A
0.1
-25°C
+25°C
+75°C
0.1
0.01
+25°C
转换损耗（dB ）
1
9
8
0.01
RF在18 nH的HSMS- 282B武
3.3 nH的
100 pF的
100 K
0
0.001
0.0001
1E-005
-20
在RF
68
HSMS-282B
Vo
100 pF的
7
4.7 K
20
30
6
0
2
4
6
8
10
12
本振功率（dBm ）
0.001
-40
-30
-20
-10
-10
0
10
P
in
- 输入功率（dBm ）
P
in
- 输入功率（dBm ）
图7.典型输出电压 -
输入功率，小信号探测器
工作在850兆赫。
图8.典型输出电压 -
输入功率，大信号探测器
工作频率为915MHz 。
图9.典型变频损耗与
L.O.驱动器， 2.0千兆赫（参考AN997 ） 。
4
V
F
- 正向电压差（MV ）
R
D
- 动态电阻（ ）
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（ μA ）
表面贴装射频肖特基
垒二极管
技术参数
HSMS- 282X系列
特点
低导通电压
（低至0.34 V ，1毫安）
低FIT （在失败时）
率*
六个西格玛质量水平
单，双和四
版本
独特的配置
表面贴装SOT- 363
包
封装引线码识别， SOT -23 / SOT -143
（ TOP VIEW ）
常见
常见
单身
3
系列
3
阳极
3
阴极
3
1
#0
2
1
#2
2
1
#3
2
1
#4
2
悬空
对
3
4
环
四
3
4
桥
四
3
4
CROSS -OVER
四
3
4
- 增加灵活性
- 节省电路板空间
- 降低成本
HSMS- 282K接地
中心信息提供多达
高10dB隔离
匹配的二极管
稳定的性能
更好的导热性
更高的功率耗散
*欲了解更多信息，请参阅
表面贴装肖特基可靠性
数据表。
1
#5
2
1
#7
2
1
#8
2
1
#9
2
封装引线码
鉴定， SOT- 323
（ TOP VIEW ）
单身
系列
封装引线码
鉴定， SOT- 363
（ TOP VIEW ）
高隔离度
PAIR无关
6
5
4
悬空
TRIO
6
5
4
B
常见
阳极
C
常见
阴极
1
2
3
K
常见
阴极QUAD
6
5
4
1
2
3
L
常见
阳极QUAD
6
5
4
说明/应用
这些肖特基二极管
专为设计
模拟和数字应用。
该系列提供了广泛的
规格及包装
配置，以提供
设计师很大的灵活性。典型
这些肖特基应用
二极管混频，探测，
开关，采样，夹紧，
和波形整形。该
HSMS- 282X系列二极管是
E
F
1
2
最好的最全面的选择
应用，具有低系列
性，低的正向电压
目前所有的水平和良好的RF
的特点。
需要注意的是安捷伦的制造业
技术保证骰子发现
在对和四边形是取自
邻近的位置在晶片上，
保证了最高程度的
匹配。
1
M
3
1
2
N
3
桥
四
6
5
4
6
环
四
5
4
1
2
P
3
1
2
R
3
引脚连接和
包装标志
1
2
3
6
5
4
绝对最大额定值
[1]
T
C
= 25°C
符号参数
I
f
P
IV
T
j
T
英镑
θ
jc
峰值反向电压
结温
储存温度
热阻
[2]
单位SOT -23 / SOT -143 SOT- 323 / SOT- 363
1
15
150
-65到150
500
1
15
150
-65到150
150
V
°C
°C
° C / W
正向电流（ 1
s
脉冲）放大器
注意事项：
1.包装标识规定
定位和识别。
2.请参见“电气规范”
适当的包装标识。
电气规格牛逼
C
= 25
°
C，单二极管
[4]
部分
包
号标记的铅
HSMS
[5]
CODE
CODE
2820
2822
2823
2824
2825
2827
2828
2829
282B
282C
282E
282F
282K
282L
282M
282N
282P
282R
C0
[3]
C2
[3]
C3
[3]
C4
[3]
C5
[3]
C7
[3]
C8
[3]
C9
[3]
C0
[7]
C2
[7]
C3
[7]
C4
[7]
CK
[7]
CL
[7]
HH
[7]
NN
[7]
CP
[7]
OO
[7]
0
2
3
4
5
7
8
9
B
C
E
F
K
L
M
N
P
R
最大
最小最大正向
正向击穿
电压
电压
电压
V
F
(V) @
V
BR
(V)
V
F
（毫伏）
I
F
（MA ）
15
340
0.5
10
最大
反向
典型
泄漏
最大
动态
I
R
（ NA） @电容电阻
V
R
(V)
C
T
（PF ）
R
D
()
[6]
100
1
1.0
12
测试条件
注意事项：
1.
V
F
在双二极管和四边形的15 mV（最大值）为1 mA 。
2.
C
TO
对于二极管对和四边形为0.2 pF的最大值。
3.包装标识代码是白色的。
4.有效的载流子寿命（ τ）为所有这些二极管为5 mA时测得与克拉考尔法100ps的最大。
标题5.见“四电容”。
6. R
D
= R
S
+ 5.2
在25℃和我
f
= 5毫安。
7.包装标识代码激光标记。
GUx
注意事项：
1.操作中过量的这些条件中的任何一个可以导致永久性的损坏
该设备。
2. T
C
= + 25 ° C，其中T
C
被定义为在所述封装引脚，其中温度
接触形成于所述电路板。
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
PAIR无关
四戒
[5]
四桥
[5]
交叉四
单身
系列
共阳极
共阴极
高隔离度
PAIR无关
悬空三重奏
共阴极四
共阳极四
四桥
四戒
I
R
= 100
A
I
F
= 1毫安
[1]
V
F
= 0 V
F = 1 MHz的
[2]
I
F
= 5毫安
2
典型性能，T
C
= 25
°
℃（除非另有说明） ，单二极管
100
I
F
- 正向电流（mA ）
C
T
- 电容（pF ）
I
R
- 反向电流（ NA）
10
T
A
= +125
C
C
T
A
= +75
C
T
A
= +25
T
A
= –25
C
100,000
1
10,000
0.8
1000
0.6
1
100
0.4
0.1
10
1
0
5
0.01
0
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
V
F
- 正向电压（ V）
T
A
= +125
C
C
T
A
= +75
C
T
A
= +25
10
15
0.2
0
0
2
4
6
8
V
R
- 反向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图1.正向电流与
在正向电压的温度。
图2.反向电流与
反向电压的温度。
图3.总电容与
反向电压。
V
F
- 正向电压差（MV ）
1000
30
30
100
1.0
10
I
F
（左轴）
10
100
I
F
（左轴）
10
10
1
V
F
（右轴）
1
V
F
（右轴）
1
0.1
1
10
100
0.3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.3
1.4
1
0.10
0.15
0.20
0.1
0.25
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
V
F
- 正向电压（ V）
图4.动态电阻与
正向电流。
图5.典型的V
f
全场比赛，双系列
和四边形的混频器偏置电平。
图6.典型的V
f
全场比赛，双系列
在检测器偏置电平。
1
10
10
V
O
=输出电压（V）的
V
O
=输出电压（V）的
DC偏压= 3
A
0.1
-25°C
+25°C
+75°C
0.1
0.01
+25°C
转换损耗（dB ）
1
9
8
0.01
RF在18 nH的HSMS- 282B武
3.3 nH的
100 pF的
100 K
0
0.001
0.0001
1E-005
-20
在RF
68
HSMS-282B
Vo
100 pF的
7
4.7 K
20
30
6
0
2
4
6
8
10
12
本振功率（dBm ）
0.001
-40
-30
-20
-10
-10
0
10
P
in
- 输入功率（dBm ）
P
in
- 输入功率（dBm ）
图7.典型输出电压 -
输入功率，小信号探测器
工作在850兆赫。
图8.典型输出电压 -
输入功率，大信号探测器
工作频率为915MHz 。
图9.典型变频损耗与
L.O.驱动器， 2.0千兆赫（参考AN997 ） 。
4
V
F
- 正向电压差（MV ）
R
D
- 动态电阻（ ）
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（ μA ）
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