【HSMP- 382x ， 482x表面贴装射频PIN开关和限幅二极管数据表说明/应用该HSMP- 3】,IC型号HSMP-482B-TR2G,HSMP-482B-TR2G PDF资料,HSMP-482B-TR2G经销商,ic,电子元器件-51电子网

HSMP- 382x ， 482x

表面贴装射频PIN开关和限幅二极管

数据表

说明/应用

该HSMP- 382x系列切换AP-优化

其中超低阻力是必需的褶皱。该

HSMP- 482x二极管是理想的限制和低电感

tance开关应用高达1.5千兆赫。

Spice模型不适用于PIN二极管的SPICE

不提供密钥PIN二极管特性，载流子

寿命。

特点

二极管的优化：

低电流开关

低失真衰减

功率限制/电路保护

表面贴装SOT -23和SOT- 323封装

单路和双路版本

可用的磁带和卷轴选项

低故障的时间（ FIT ）费率

[1]

LEAD -FREE

注意：

1。有关详细信息，请参阅表面贴装PIN可靠性

数据表。

封装引线码识别， SOT- 23 （顶视图）

单身

系列

封装引线码识别， SOT- 323 （顶视图）

双阳极

常见

阳极

常见

阴极

HSMP-482B

双阳极

HSMP-4820

绝对最大额定值

[1]

= +25°C

符号

英镑

参数

正向电流（ 1微秒脉冲）

峰值反向电压

结温

储存温度

热阻

[2]

单位

AMP

°C

° C / W

SOT-23

150

-65到150

500

SOT-323

150

-65到150

150

注意事项：

1.操作中过量的这些条件中的任何一个可能导致对永久损坏

装置。

2. T

= + 25 ° C，其中T

被定义为在所述封装引脚的温度下接触是

到电路板上制成。

电气规格牛逼

= 25°C

产品型号

HSMP-

3820

3822

3823

3824

测试条件

包

记号

CODE

领导

CODE

CON组fi guration

单身

系列

共阳极

共阴极

最低

击穿

电压V

(V)

最大

串联电阻

(Ω)

0.6

最大

总电容

（PF ）

0.8

= V

措施

≤ 10 μA

F = 100 MHz的

= 10毫安

F = 1 MHz的

= 20 V

高频（低电感， 500兆赫 - 3 GHz）的PIN二极管

部分

数

HSMP-

4820

482B

包

记号

CODE

领导

CODE

最低

击穿

电压

(V)

= V

措施

≤ 10 μA

最大

系列

阻力

(Ω)

0.6

= 10毫安

典型

总

电容

（PF ）

0.75

F = 1 MHz的

= 20 V

最大

总

电容

（PF ）

1.2

F = 1 MHz的

= 0 V

典型

总

电感

（ NH）

1.0

F = 500 MHz的 -

3 GHz的

CON组fi guration

双阳极

测试条件

在T典型参数

= 25°C

产品型号

HSMP-

382x

测试条件

串联电阻

(Ω)

1.5

F = 100 MHz的

= 10毫安

载流子寿命

- （ Ns个）

= 10毫安

反向恢复时间

（纳秒）

= 10 V

= 20毫安

90 ％恢复

总电容

（PF ）

0.60 @ 20 V

在T典型参数

= 25 ℃（除非另有说明），单二极管

- 反向恢复时间（纳秒）

100

- 正向电流（mA ）

= 2V

= 5V

= 10V

RF电阻（欧姆）

0.1

–50C

0.8

1.0

1.2

125C

0.01

0.2

0.4

25C

0.6

正向电流（mA ）

- 正向电压（毫安）

0.1

0.01

0.1

100

- 正向偏置电流（毫安）

图1.正向电流与正向电压。

图2.反向恢复时间与正向

目前的各种反向电压。

图3. RF电阻在25℃与正向偏置

电流。

1.4

120

输入截点（ DBM）

1.2

CW功率输出（ DBM）

电容（pF）

二极管安装为

系列衰减器的

115

50欧姆微带和

经过测试，在123兆赫

110

105

100

测量与外部

偏回归

1.5 GHz的

1.0

1.0 GHz的

0.8

0.6

- 反向电压（ V）

- 正向偏置电流（毫安）

CW POWER IN （ DBM）

图4.电容与反向电压。

图5.二次谐波输入截取点主场迎战

正向偏置电流。

图6.大信号传输的曲线

HSMP- 482x限制器。

典型应用为多个二极管产品

射频共

RF 1

RF 2

RF 1

RF 2

BIAS 1

BIAS 2

BIAS

图7.简单的单刀双掷开关，仅使用正电流。

图8.高隔离度SPDT开关，双偏置。

典型应用为多个二极管产品，

持续

射频共

BIAS

射频共

RF 1

RF 2

RF 1

BIAS

RF 2

图9.开关同时使用正负偏置电流。

图10.非常高隔离度SPDT开关，双偏置。

BIAS

图11.高隔离度单刀单掷开关（重复单元格的要求。

图12.功率限制使用HSMP- 3822二极管对。

详情请参见应用笔记1050 。

典型应用为HSMP- 482x低电感

系列

微带线串联的HSMP- 482x系列

为了利用低电感的充分利用

在HSMP- 482x系列时，串联使用它们

应用中，导致1 ，并导致2应连接

在一起，如图14所示。

1.5 nH的

0.8 pF的

0.3 nH的

图16.等效电路。

共平面波导分路连接的HSMP- 482x系列

共平面波导，与地面上的顶侧

在印刷电路板中，如图17所示。由于

它省去了通孔接地，它提供了

下分流寄生电感和高的最大

时相比，微带电路衰减。看

AN1050的细节。

共面波导

地平面

中心导体

地平面

图13.内部连接。

图14.电路板布局。

对于HSMP- 482x系列微带并联连接

在图15中，微带线的中心导体

被中断并导致了HSMP- 482x二极管1和2的

被放置在生成的间隙。这迫使0.5

导线1和2的nH的引线电感显示为部分

一个低通滤波器，减少分流寄生电感

和增加的最大可用衰减。

0.3 nH的并联电感的外部的二极管

由通孔创建的，并且是一个好的估计为

0.032"厚的材料。

50欧姆微带线

0.8 pF的

图17.电路板布局。

0.75 nH的

PAD地连接至

地面BY TWO

通孔

图18.等效电路。

图15.电路布局， HSMP- 482x限制器。

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