2
绝对最大额定值
[1]
T
A
= 25°C
符号
I
f
P
t
P
iv
T
j
T
英镑
参数
正向电流（ 1毫秒脉冲）
器件总功耗
峰值反向电压
结温
储存温度
单位绝对最大
AMP
mW
[2]
—
°C
°C
1
250
同为V
BR
150
-65到150
注意事项：
1.操作中过量的这些条件中的任何一个可以导致永久性的损坏
此设备。
2. CW功率消耗在T
领导
= 25°C 。降额至零，在最大额定温度。
PIN二极管衰减器
电气规格牛逼
A
= 25 ° C（每二极管）
最近的
相当于最低
最大
最大
最小最大
轴向引线击穿
系列
总
高
低
产品型号
电压
电阻电容电阻电阻
5082-
V
BR
(V)
R
S
()
C
T
（PF ）
R
H
()
R
L
()
3080
100
2.0
0.37
1000
8
部分
数
HSMP-
3800
3802
3804
3810
3812
3813
3814
包
记号
CODE
[1]
D0
D2
D4
E0
E2
E3
E4
领导
代码配置
0
2
4
0
2
3
4
单身
系列
共阴极
单身
系列
共阳极
共阴极
3081
100
3.0
0.35
1500
10
测试条件
V
R
= V
BR
措施
I
R
≤
10
A
I
F
= 100毫安
F = 100 MHz的
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
I
F
= 0.01毫安我
F
= 20毫安
F = 100 MHz的F = 100 MHz的
PIN开关二极管
电气规格牛逼
A
= 25°C
最近的
当量
轴向引线
产品型号
5082-
3188
最低
击穿
电压
V
BR
(V)
50
最大
系列
阻力
R
S
()
0.6*
最大
总
电容
C
T
（PF ）
0.8*
最大
分流模式
谐波
失真
HMD （ DBC）
—
部分
数
HSMP-
3820
3822
3823
3824
3880
3890
3892
3893
3894
3895
包
记号
CODE
[1]
F0
F2
F3
F4
S0
G0
G2
G3
G4
G5
领导
代码配置
0
2
3
4
0
0
2
3
4
5
单身
系列
共阳极
共阴极
单身
单身
系列
共阳极
共阴极
PAIR无关
—
—
100
100
6.5
2.5
0.40
0.30**
–55
—
测试条件
V
R
= V
BR
措施
I
R
≤
10
A
I
F
= 5毫安
F = 100 MHz的
I
F
= 10毫安*
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 20 V*
V
R
= 5 V**
2 f
o,
Z
o
= 50 W
f
o
= 400兆赫
P
in
= +30 dBm的
0 V BIAS
注意：
1.包装标记代码为白色。
3
PIN通用二极管，电气规格牛逼
A
= 25°C
最近的
当量
轴向引线
产品型号
5082-
3077
最低
击穿
电压
V
BR
(V)
200
最大
系列
阻力
R
S
()
1.5
最大
总
电容
C
T
（PF ）
0.3
部分
数
HSMP-
3830
3832
3833
3834
包
记号
CODE
[1]
K0
K2
K3
K4
领导
CODE
0
2
3
4
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
测试条件
V
R
= V
BR
措施
I
R
≤
10毫安
I
F
= 100毫安
F = 100 MHz的
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
高频（低电感， 500兆赫 - 3 GHz）的PIN二极管，电气规格牛逼
A
= 25°C
部分
数
HSMP-
4810
4820
4890
包
记号
CODE
EB
FA
GA
最低
突破性
下
电压
V
BR
(V)
100
50
100
V
R
= V
BR
措施
I
R
≤
10
A
最大
系列
电阻
tance
R
S
()
3.0
0.6*
2.5**
I
F
= 100毫安
I
F
= 10毫安*
I
F
= 5毫安**
典型
总
电容
tance
C
T
（PF ）
0.35
0.75*
0.33
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 20 V*
最大
总
电容
tance
C
T
（PF ）
0.4
1.0
0.375
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 0 V
典型
总
电感
tance
L
T
（ NH）
1.0
1.0*
1.0
F = 500 MHz的 -
3 GHz的
V
R
= 20 V*
领导
CODE
B
A
A
CON连接G-
uration
双
阴极
双阳极
双阳极
应用程序
阳离子
衰减
ATOR
限
开关
PIN通用二极管，典型规格牛逼
A
= 25°C
产品型号
HSMP-
3860
3862
3863
3864
测试条件
CODE
记号
CODE
[1]
L0
L2
L3
L4
领导
CODE
0
2
3
4
最低
击穿
电压V
BR
(V)
50
典型系列
阻力
R
S
()
3.0/1.5*
典型的总
电容
C
T
（PF ）
0.20
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
V
R
= V
BR
措施
I
R
≤
10
A
I
F
= 10毫安
F = 100 MHz的
*I
F
= 100毫安
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
在T典型参数
A
= 25°C
产品型号
HSMP-
380X
381X
382X
383X
388X
389X
测试条件
串联电阻
R
S
()
55
75
1.5
20
3.8
3.8
I
F
= 1毫安
F = 100 MHz的
I
F
= 10毫安*
载流子寿命
τ
（纳秒）
1800
1500
70*
500
2500
200*
I
F
= 50毫安
I
R
= 250毫安
I
F
= 10毫安*
I
R
= 6毫安*
反向恢复时间
T
rr
（纳秒）
500
300
7
80
550
–
V
R
= 10 V
I
F
= 20毫安
90 ％恢复
总电容
C
T
（PF ）
0.32 @ 50 V
0.27 @ 50 V
0.60 @ 20 V
0.20 @ 50 V
0.30 @ 50 V
0.20 @ 5 V
注意：
1.包装标记代码为白色。
4
在T典型参数
A
= 25 ℃（除非另有说明） ，单二极管
0.45
总电容（ pF）的
0.35
总电容（ pF）的
10000
0.40
0.35
1兆赫
0.30
0.25
0.20
frequency>100兆赫
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
30兆赫
HSMP- 381x ， / HSMP- 4810
电阻（欧姆）
0.30
1兆赫
0.25
100兆赫
0.20
1 GHz的
1000
HSMP- 383x ， -386x
100
10
1
HSMP- 382x ， -4820
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
反向电压（ V）
反向电压（ V）
0.1
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
图1.射频电容与反向
偏见， HSMP- 3810系列。
图2.射频电容与反向
偏见， HSMP- 3830系列。
图3电阻，在25 ℃对
正向偏置电流。
3000
1000
RF电阻（欧姆）
10000
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= –55°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= –55°C
1.4
1.2
电容（pF）
RF电阻（欧姆）
1000
1
0.8
0.6
0.4
0.2
HSMP-382X
100
100
10
10
HSMP-3880
HSMP-3800
HSMP-381X
HSMP-3830
1
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
0
0
10
20
HSMP-3890
30
40
50
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
V
R
- 反向电压（ V）
图4. RF电阻与正向
偏置电流为HSMP -3800 。
图5. RF电阻与正向
偏置电流为HSMP- 3810 /
HSMP-4810.
图6.电容与反向
电压。
输入截点（ DBM）
输入截点（ DBM）
二极管安装为
110系列衰减器
在一个50欧姆微带
100和测试，在123兆赫
90
80
70
60
50
40
1000
100
10
HSMP-3810
HSMP-3830
二极管安装为
系列衰减器的
115
50欧姆微带和
经过测试，在123兆赫
110
105
HSMP-3880
100
HSMP-3820
95
HSMP-3830
90
HSMP-3890
85
1
10
30
T
rr
- 反向恢复时间（纳秒）
120
120
100
HSMP-382X
V
R
= 2V
V
R
= 5V
10
V
R
= 10V
HSMP-3830
1
10
20
正向电流（mA ）
30
二极管的射频电阻（欧姆）
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
图7.二阶谐波输入
截取点与射频二极管
电阻衰减器二极管。
图8.二次谐波输入
截取点与正向偏置
电流开关二极管。
图9.反向恢复时间 -
正向电流的各种反
电压。 HSMP- 3820系列。
绝对最大额定值
[1]
T
C
= +25°C
符号
I
f
P
IV
T
j
T
英镑
θ
jc
参数
正向电流（ 1微秒脉冲）
峰值反向电压
结温
储存温度
热阻
[2]
单位
AMP
V
°C
°C
° C / W
SOT-23
1
50
150
-65到150
500
SOT-323
1
50
150
-65到150
150
注意事项：
1.操作中过量的这些条件中的任何一个可能导致对永久损坏
装置。
2. T
C
= + 25 ° C，其中T
C
被定义为在所述封装引脚的温度下接触是
到电路板上制成。
电气规格牛逼
C
= 25°C
产品型号
HSMP-
3820
3822
3823
3824
测试条件
包
记号
CODE
F0
F2
F3
F4
领导
CODE
0
2
3
4
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
最低
击穿
电压V
BR
(V)
50
最大
串联电阻
R
S
(Ω)
0.6
最大
总电容
C
T
（PF ）
0.8
V
R
= V
BR
措施
I
R
≤ 10 μA
F = 100 MHz的
I
F
= 10毫安
F = 1 MHz的
V
R
= 20 V
高频（低电感， 500兆赫 - 3 GHz）的PIN二极管
部分
数
HSMP-
4820
482B
包
记号
CODE
FA
FA
领导
CODE
A
A
最低
击穿
电压
V
BR
(V)
50
V
R
= V
BR
措施
I
R
≤ 10 μA
最大
系列
阻力
R
S
(Ω)
0.6
I
F
= 10毫安
典型
总
电容
C
T
（PF ）
0.75
F = 1 MHz的
V
R
= 20 V
最大
总
电容
C
T
（PF ）
1.2
F = 1 MHz的
V
R
= 0 V
典型
总
电感
L
T
（ NH）
1.0
F = 500 MHz的 -
3 GHz的
CON组fi guration
双阳极
双阳极
测试条件
在T典型参数
C
= 25°C
产品型号
HSMP-
382x
测试条件
串联电阻
R
S
(Ω)
1.5
F = 100 MHz的
I
F
= 10毫安
载流子寿命
- （ Ns个）
70
I
F
= 10毫安
反向恢复时间
T
rr
（纳秒）
7
V
R
= 10 V
I
F
= 20毫安
90 ％恢复
总电容
C
T
（PF ）
0.60 @ 20 V
2
典型应用为多个二极管产品，
持续
射频共
BIAS
射频共
RF 1
RF 2
RF 1
BIAS
RF 2
图9.开关同时使用正负偏置电流。
图10.非常高隔离度SPDT开关，双偏置。
BIAS
图11.高隔离度单刀单掷开关（重复单元格的要求。
图12.功率限制使用HSMP- 3822二极管对。
详情请参见应用笔记1050 。
4
QQ：2881677436 复制
