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HSMP- 381x ， 481x
表面贴装射频PIN
低失真衰减器二极管
数据表
说明/应用
该HSMP- 381x系列具体来说专为低显示
失真衰减器应用程序。该HSMP- 481x产品
拥有超低的寄生电感在SOT -23和
SOT- 323封装。他们具体来说设计用于
在频率上比上限高得多
对于传统的二极管。
Spice模型不适用于PIN二极管的SPICE
不提供密钥PIN二极管特性，载流子
寿命。
特点
x
二极管的优化：
- 低失真衰减
- 微波频率工作
x
表面贴装封装
单，双版本
- 磁带和卷轴可用选项
x
低故障的时间（ FIT ）费率
[1]
x
无铅
注意：
1。有关详细信息，请参阅表面贴装PIN可靠性数据
表。
包铅代码Identi网络阳离子，
SOT-23
（ TOP VIEW ）
单身
3
系列
3
包铅代码Identi网络阳离子，
SOT-323
（ TOP VIEW ）
单身
系列
1
#0
2
1
#2
2
B
常见
阳极
C
常见
阴极
常见
阳极
3
常见
阴极
3
1
#3
2
1
#4
2
E
双阴极
F
反向
系列
3
双
阴极
3
1
#5
2
1
2
4810
481B
绝对最大额定值
[1]
T
C
= +25°C
符号
I
f
P
IV
T
j
T
英镑
T
jc
参数
正向电流（ 1微秒脉冲）
峰值反向电压
结温
储存温度
热阻
[2]
单位
AMP
V
°C
°C
° C / W
SOT-23
1
同为V
BR
150
-65到150
500
SOT-323
1
同为V
BR
150
-65到150
150
注意事项：
1.操作超过这些条件的任何一个可能导致器件的永久性损坏。
2. T
C
= + 25 ° C，其中T
C
是德音响定义为在所述封装引脚，其中接触是由所述电路板的温度。
电气连接特定的阳离子牛逼
C
= + 25 ° C（每二极管）
传统的二极管
最低
击穿
电压V
BR
(V)
最大
总
电容
C
T
（PF ）
最低
阻力
at
I
F
= 0.01毫安，
RH（ Ω ）
最大
阻力
at
I
F
= 20mA时，
R
L
(Ω)
最大
阻力
at
I
F
= 100mA时
室温（ Ω ）
阻力
at
I
F
= 1mA时，
R
M
(Ω)
部分
数
HSMP-
3810
3812
3813
3814
3815
381B
381C
381E
381F
包
记号
CODE
E0
E2
E3
E4
E5
E0
E2
E3
E4
领导
CODE
0
2
3
4
5
B
C
E
F
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
反向串联
单身
系列
共阳极
共阴极
100
0.35
1500
10
3.0
48 70
测试条件
V
R
= V
BR
措施
I
R
=为10uA
V
R
= 50V
F = 1MHz的
I
F
= 0.01毫安我
F
= 20mA下
F = 100MHz的F = 100MHz的
I
F
= 100毫安
F = 100MHz的
I
F
= 1毫安
F = 100MHz的
高频（低电感， 500兆赫 - 3 GHz）的PIN二极管
部分
数
HSMP-
4810
481B
包
记号
CODE
EB
EB
领导
CODE
B
B
CON组fi guration
双阴极
双阴极
最低
击穿
电压
V
BR
(V)
100
V
R
= V
BR
措施
I
R
≤ 10μA
最大
系列
阻力
R
S
(Ω)
3
I
F
= 100毫安
f=
100MHz
系列
阻力
I
F
= 1mA时，
R
M
(Ω)
48 - 70
I
F
= 1毫安
F = 100MHz的
典型
总
电容
C
T
（PF ）
0.35
V
R
= 50V
F = 1MHz的
最大
总
电容
C
T
（PF ）
0.4
V
R
= 50V
F = 1MHz的
典型
总
电感
L
T
（ NH）
1
f=
500MHz
- 3GHz的
测试条件
2
在T典型参数
C
= 25°C
产品型号
HSMP-
381x
测试条件
串联电阻
R
S
(Ω)
53
I
F
= 1毫安
F = 100 MHz的
载流子寿命
W
（纳秒）
1500
I
F
= 50毫安
I
R
= 250毫安
反向恢复时间
T
rr
（纳秒）
300
V
R
= 10 V
I
F
= 20毫安
90 ％恢复
总
电容
C
T
（PF ）
0.27 @ 50 V
F = 1 MHz的
在T典型参数
C
= 25 ℃（除非另有说明） ，单二极管
0.45
10000
T
A
= +85 C
T
A
= +25 C
T
A
= –55 C
120
0.40
0.35
1兆赫
0.30
0.25
0.20
frequency>100兆赫
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
1
0.01
0.1
1
10
100
30兆赫
1000
输入截点（ DBM）
总电容（ pF）的
RF电阻（欧姆）
二极管安装为
110系列衰减器
在一个50欧姆微带
100和测试，在123兆赫
90
80
70
60
50
40
1000
100
10
100
10
反向电压（ V）
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
二极管的射频电阻（欧姆）
图1.射频电容与反向
偏见。
图2. RF电阻与正向
偏置电流， F = 100MHz的
图3.第2次谐波输入
截取点与射频二极管
性。
100
I
F
- 正向电流（mA ）
典型应用为多个二极管产品
不同的偏压
10
1
0.1
125 C 25 C –50 C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
- 正向电压（毫安）
输入
射频输入/输出
图4.正向电流与正向
电压。
固定
BIAS
电压
图5.四个二极管
π
衰减器。请参见应用笔记1048
了解详细信息。
注意事项：
使用过程中最初的产品特性有限样本3.典型值推导，可能不能代表整体的分布。
3
典型应用为HSMP- 481x低电感系列
微带线串联的HSMP- 481x系列
以采取的低电感的充分利用
HSMP- 481x系列时，在一系列应用中使用它们，
既导致1 ，并导致2应连接在一起，
在图7中所示。
3
1
HSMP-481x
2
图6.内部连接。
图7.电路布局。
对于HSMP- 481x系列微带并联连接
在图8中，微带的中心导体
线路中断，并导致了HSMP- 481x的1和2
串联二极管被放置在生成的间隙。这种力量
导线1和2的1.5 nH的引线电感显示为
一个低通滤波器的一部分，减少了分流
寄生电感和增大的最大可用
衰减。外部的0.3 nHof并联电感
二极管由导通孔创建的，并且是一种很好的估计
为0.032"厚的材料。
50欧姆微带线
R
j
0.3 pF的
1.5 nH的
1.5 nH的
0.3 nH的
0.08
PAD地连接至
地面BY TWO
通孔
R
j
+ 2.5
I
b0.9
0.3 nH的
图8.电路布局。
图9.等效电路。
4
典型应用为HSMP- 481x低电感系列（续）
共平面波导分路连接的HSMP- 481x
系列
共面波导，与地面上的顶面
印刷电路板中，如图10所示。由于它消除
止数据需要进行通孔接地， IT运FF器下分流器
寄生电感和高的最大衰减
时相比，微带电路。
共面波导
地平面
中心导体
地平面
等效电路模型
HSMP- 381x芯片*
R
s
R
j
2.5
Ω
C
j
R
T
= 2.5 + R
j
C
T
= C
P
+ C
j
R
j
=
80
Ω
I
0.9
I =正向偏置电流，单位为mA
0.18 pF的*
*测量-20 V
*请参阅AN1124的包款。
图10.电路板布局。
R
j
0.3 pF的
0.75 nH的
图11.等效电路。
5
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