表面贴装PIN二极管
采用SOT -323 （ SC - 70 3引脚）
技术参数
HSMP-381B/C/E/F
HSMP-386B/C/E/F
HSMP-389B/C/E/F
HSMP- 481B ， -482B ， -489B
特点
二极管优化：
低电流开关
低失真衰减
超低失真开关
微波频率
手术
表面贴装SOT- 323
(SC-70)Package
单和对版本
磁带和卷轴选项
可用的
低故障的时间（ FIT ）
率*
*欲了解更多信息，请参阅
表面贴装PIN可靠性
数据表。
封装引线码
鉴定
（ TOP VIEW ）
单身
系列
说明/应用
该HSMP - 381B / C / E / F系列
专为低设计
变形衰减器应用程序。
该HSMP - 386B / C / E / F系列是一个
通用PIN二极管
专为低电流衰减
器和低成本的交换机。该
HSMP - 389B / C / E / F系列
用于开关应用优化
系统蒸发散在低的地方低电阻
电流，和低电容是
所需。
该HSMP- 48XB系列是特别
产品具有超低
在SOT-寄生电感
323包，专门设计
使用的频率上
比上限高得多
对于传统的SOT- 323 PIN
二极管。该HSMP- 481B二极管是一种
低失真衰减PIN
设计用于操作至3千兆赫。
该HSMP- 482B二极管是理想的
限制和低电感
开关应用最多
1.5 GHz的。该HSMP- 489B是
对于低电流开关的优化
荷兰国际集团申请到3 GHz 。
B
常见
阳极
C
常见
阴极
E
双阳极
F
双阴极
482B / 489B
481B
绝对最大额定值
[1]
, T
C
= + 25°C
符号参数
I
f
P
iv
T
J
T
英镑
θ
jc
单位绝对最大
1
同为V
BR
150
-65到150
300
正向电流（ 1
s
脉冲）放大器
峰值反向电压
V
结温
°C
储存温度
°C
[2]
热阻
° C / W
注意事项：
1.操作中过量的这些条件下，可能会导致在任一
永久损坏设备。
2. T
C
= 25℃ ，其中T
C
被定义为在包中的温度
销在哪里接触形成于电路板。
3
电气规格，T
C
= + 25°C时，每个二极管，
持续
典型参数
产品型号
HSMP-
381A系列
386A系列
389A系列
测试条件
总电阻载流子寿命
R
T
()
τ
（纳秒）
75
22
3.8
I
F
= 1毫安
F = 100 MHz的
1500
500
200*
I
F
= 50毫安
T
R
= 250毫安
I
F
= 10毫安*
I
R
= 6毫安*
反向恢复时间
T
rr
（纳秒）
300
80
—
V
R
= 10 V
I
F
= 20毫安
90 ％恢复
总电容
（PF ）
0.27
0.20
—
50 V
注意：
1.包装标识代码激光标记。
高频（低电感， 500兆赫 - 3 GHz的PIN二极管
部分
数
HSMP-
481B
482B
489B
最小最大
典型
最大
典型
包
击穿系列
总
总
总
记号
电压电阻电容电容电感
代码配置V
BR
(V)
R
S
()
C
T
（PF ）
C
T
（PF ）
L
T
（ NH）的应用
EB
FA
GA
双阴极
双阳极
双阳极
100
50
100
V
R
= V
BR
措施
I
R
≤
10
A
3.0
0.6*
2.5**
I
F
= 100毫安
I
F
= 10毫安*
I
F
= 5毫安**
0.35
0.75*
0.33**
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 20 V*
V
R
= 5 V**
0.4
1.0
0.375*
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 5 V*
1.0
1.0*
1.0
F = 500 MHz的 -
3 GHz的
V
R
= 20 V*
衰减器
限
开关
测试条件
4
典型性能，T
C
= 25°C
0.45
总电容（ pF）的
0.40
0.35
1兆赫
0.30
0.25
0.20
frequency>100兆赫
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
30兆赫
总电容（ pF）的
0.35
10000
HSMP - 381B / C / E / F ， -481B
0.30
1兆赫
0.25
100兆赫
0.20
1 GHz的
RF电阻（欧姆）
1000
100
HSMP-
386B/C/E/F
HSMP-482B
10
1
HSMP - 389B / C / E / F ， -489B
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
反向电压（ V）
反向电压（ V）
0.1
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
图1.射频电容与反向
偏见， HSMP - 381B / C / E / F系列。
图2.射频电容与反向
偏见， HSMP - 386B / C / E / F系列。
图3.总RF电阻在
25 ℃，与正向偏置电流。
10000
总RF电阻（欧姆）
1000
C
T
- 电容（pF ）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
HSMP-482B
输入截点（ DBM）
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= –55°C
1.4
HSMP-381B/C/E/F
HSMP-386B/C/E/F
HSMP-389B/C/E/F
120
二极管安装为
110系列衰减器
一个50Ω微带
100测试在123兆赫
90
80
70
60
50
40
1000
100
10
HSMP-381B/C/E/F
100
10
1.0
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
0
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压（ V）
二极管的射频电阻（欧姆）
图4. RF电阻与正向
偏置电流为HSMP - 381B / C / E / F
系列和HSMP- 481B 。
图5.电容与反向
电压在1 MHz 。
图6.二次谐波输入
截取点与射频二极管
电阻衰减器二极管。
T
rr
- 反向恢复时间（纳秒）
输入截点（ DBM）
二极管安装为
115系列交换机中
一个50Ω微带
110测试在123兆赫
105
HSMP-3880
HSMP-389B/C/E/F
100
95
90
85
1
HSMP-386B/C/E/F
10
30
V
R
= 2V
V
R
= 5V
10
V
R
= 10 V
T
rr
- 反向恢复时间（ NS）
120
100
1000
V
R
= 5V
100
V
R
= 10V
V
R
= 20V
1
10
20
正向电流（mA ）
30
10
10
20
正向电流（mA ）
30
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
图7.二阶谐波输入
截取点与正向偏置
电流开关二极管。
图8.反向恢复时间 -
正向电流的各种反
电压。 HSMP- 482B 。
图9.反向恢复时间 -
正向电流的各种反
电压。 HSMP - 386B / C / E / F系列。
5
典型性能，T
C
= 25°C
T
rr
- 反向恢复时间（纳秒）
200
I
F
- 正向电流（mA ）
100
I
F
- 正向电流（mA ）
100
160
V
R
= –2V
120
10
10
1
1
80
V
R
= –5V
40
V
R
= –10V
0
10
15
20
25
30
0.1
0.1
125°C 25°C –50°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
125°C
0
0.2
0.4
25°C –50°C
0.6
0.8
1.0
1.2
正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（毫安）
V
F
- 正向电压（毫安）
图10.典型的反向恢复
时间与反向电压。
HSMP - 389B / C / E / F系列。
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图11.正向电流与
正向电压。 HSMP - 381B / C / E / F
系列和HSMP- 481B 。
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图12.正向电流与
正向电压。 HSMP- 482B 。
10
10
1
1
0.1
125°C
0
0.2
25°C –50°C
0.4
0.6
0.8
0.1
0.01
1.0
1.2
0.01
125°C 25°C –50°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
- 正向电压（ V）
V
F
- 正向电压（ V）
图13.正向电流与
正向电压。 HSMP - 386B / C / E / F
系列。
图14.正向电流与
正向电压。 HSMP - 389B / C / E / F
系列和HSMP- 489B 。
2
封装引线码
鉴定， SOT -23
（ TOP VIEW ）
单身
系列
封装引线码
鉴定， SOT- 323
（ TOP VIEW ）
单身
系列
封装引线码
鉴定， SOT- 363
（ TOP VIEW ）
悬空
TRIO
6
5
4
#0
常见
阳极
#2
常见
阴极
B
常见
阳极
C
1
2
3
常见
阴极
L
#3
#4
E
F
绝对最大额定值
[1]
T
C
= +25°C
符号
I
f
P
IV
T
j
T
英镑
θ
jc
参数
正向电流（ 1
s
脉冲）
峰值反向电压
结温
储存温度
热
阻力
[2]
单位
AMP
V
°C
°C
° C / W
SOT-23
1
50
150
-65到150
500
SOT-323
1
50
150
-65到150
150
ESD警告：
操作注意事项应该是
注意避免静电放电。
注意事项：
1.操作中过量的这些条件中的任何一个可以导致永久性的损坏
该设备。
2. T
C
= + 25 ° C，其中T
C
被定义为在所述封装引脚，其中温度
接触形成于所述电路板。
电气规格牛逼
C
= 25℃时，每个二极管
PIN通用二极管，典型规格牛逼
A
= 25°C
产品型号
HSMP-
3860
3862
3863
3864
386B
386C
386E
386F
386L
测试条件
包
记号
CODE
L0
[1]
L2
[1]
L3
[1]
L4
[1]
L0
[2]
L2
[2]
L3
[2]
L4
[2]
LL
[2]
领导
CODE
0
2
3
4
B
C
E
F
L
最低
典型
典型
击穿
串联电阻的总电容
电压V
BR
(V)
R
S
()
C
T
（PF ）
50
3.0/1.5*
0.20
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
单身
系列
共阳极
共阴极
悬空三重奏
V
R
= V
BR
措施
I
R
≤
10
A
I
F
= 10毫安
F = 100 MHz的
I
F
= 100毫安*
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
注意事项：
1.包装标识代码激光标记。
5
典型应用为多个二极管产品
（续）
BIAS
“ON”时
“关”的
1
6
5
4
1
1
+V
0
2
0
+V
1
在RF
2
3
RF OUT
2
图11.高隔离度单刀单掷开关
（重复单元格为必填） 。
图12. HSMP- 386L未连接的三重奏用在
正电压，高压隔离开关。
1
2
3
3
2
1
2
“ON”时
“关”的
1
0
0
2
+V
–V
0
4
5
6
b1
b2
b3
1
3
2
1
1
4
在RF
5
6
RF OUT
图13. HSMP- 386L用在SP3T开关。
图14. HSMP- 386L未连接的三重奏用在
双电压，高压隔离开关。
订购信息
指定型号和后续的选项。例如：
HSMP - 386x - XXX
散装或卷带式选项
产品型号; X =铅代码
表面贴装PIN
选项说明
-BLK =散装， 100个。每个防静电袋
-TR1 =卷带式，每7"卷轴3000的设备
-TR2 =卷带式，每13"卷轴万设备
磁带和缫丝符合电子工业RS - 481 ， “大坪
表面贴装元件的自动布局。 “
无铅选项，部件号将具有字符"G"在
最后，如。 -TR2G为10K PC无铅卷轴。
2
封装引线码
鉴定， SOT -23
（ TOP VIEW ）
单身
系列
封装引线码
鉴定， SOT- 323
（ TOP VIEW ）
单身
系列
封装引线码
鉴定， SOT- 363
（ TOP VIEW ）
悬空
TRIO
6
5
4
#0
常见
阳极
#2
常见
阴极
B
常见
阳极
C
1
2
3
常见
阴极
L
#3
#4
E
F
绝对最大额定值
[1]
T
C
= +25°C
符号
I
f
P
IV
T
j
T
英镑
θ
jc
参数
正向电流（ 1
s
脉冲）
峰值反向电压
结温
储存温度
热
阻力
[2]
单位
AMP
V
°C
°C
° C / W
SOT-23
1
50
150
-65到150
500
SOT-323
1
50
150
-65到150
150
ESD警告：
操作注意事项应该是
注意避免静电放电。
注意事项：
1.操作中过量的这些条件中的任何一个可以导致永久性的损坏
该设备。
2. T
C
= + 25 ° C，其中T
C
被定义为在所述封装引脚，其中温度
接触形成于所述电路板。
电气规格牛逼
C
= 25℃时，每个二极管
PIN通用二极管，典型规格牛逼
A
= 25°C
产品型号
HSMP-
3860
3862
3863
3864
386B
386C
386E
386F
386L
测试条件
包
记号
CODE
L0
[1]
L2
[1]
L3
[1]
L4
[1]
L0
[2]
L2
[2]
L3
[2]
L4
[2]
LL
[2]
领导
CODE
0
2
3
4
B
C
E
F
L
最低
典型
典型
击穿
串联电阻的总电容
电压V
BR
(V)
R
S
()
C
T
（PF ）
50
3.0/1.5*
0.20
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
单身
系列
共阳极
共阴极
悬空三重奏
V
R
= V
BR
措施
I
R
≤
10
A
I
F
= 10毫安
F = 100 MHz的
I
F
= 100毫安*
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
注意事项：
1.包装标识代码激光标记。
5
典型应用为多个二极管产品
（续）
BIAS
“ON”时
“关”的
1
6
5
4
1
1
+V
0
2
0
+V
1
在RF
2
3
RF OUT
2
图11.高隔离度单刀单掷开关
（重复单元格为必填） 。
图12. HSMP- 386L未连接的三重奏用在
正电压，高压隔离开关。
1
2
3
3
2
1
2
“ON”时
“关”的
1
0
0
2
+V
–V
0
4
5
6
b1
b2
b3
1
3
2
1
1
4
在RF
5
6
RF OUT
图13. HSMP- 386L用在SP3T开关。
图14. HSMP- 386L未连接的三重奏用在
双电压，高压隔离开关。
订购信息
指定型号和后续的选项。例如：
HSMP - 386x - XXX
散装或卷带式选项
产品型号; X =铅代码
表面贴装PIN
选项说明
-BLK =散装， 100个。每个防静电袋
-TR1 =卷带式，每7"卷轴3000的设备
-TR2 =卷带式，每13"卷轴万设备
磁带和缫丝符合电子工业RS - 481 ， “大坪
表面贴装元件的自动布局。 “
HSMP-386x
表面贴装PIN二极管
数据表
说明/应用
The HSMP-386x series of general purpose PIN diodes are
专为两类应用程序。第一个是衰减
ators其中电流消耗是最重要的
设计考虑。第二应用此
串联二极管的是在开关，其中低电容是
驾驶设计的问题。
该HSMP- 386x系列的总电容（C
T
）和总重
sistance （R
T
）是典型规格。对于应用程序
需要保证的性能，通用HSMP-
383x series is recommended.
Spice模型不适用于PIN二极管的SPICE
不提供密钥PIN二极管特性，载流子
寿命。
特点
在表面贴装封装独特的配置
- 增加了灵活性
- 节省电路板空间
- 降低成本
开关
- 低失真开关
- 低电容
衰减
- 低电流的衰减更少的功率
消费
匹配二极管的一贯表现
对于高功率更好的导热性
耗散
低故障的时间（ FIT ）费率
[1]
LEAD -FREE
注意：
1。有关详细信息，请参阅表面贴装PIN可靠性数据
表。
Pin Connections and Package Marking, SOT-363
1
2
3
6
5
4
勒克司
注意事项：
1.包装标记为导向，识别和日期代码。
2.请参见“电气规范”进行适当的包装标识。
封装引线码识别，
SOT-23, SOT-143
（ TOP VIEW ）
单身
系列
封装引线码识别，
SOT-323
（ TOP VIEW ）
单身
系列
封装引线码识别，
SOT-363
（ TOP VIEW ）
悬空
TRIO
6
5
4
#0
常见
阳极
#2
常见
阴极
B
常见
阳极
C
常见
阴极
1
2
L
3
#3
环
四
3
4
#4
E
F
1
#7
2
正在开发中
绝对最大额定值
[1]
T
C
= +25°C
符号
I
f
P
IV
T
j
T
英镑
q
jc
参数
Forward Current (1 s Pulse)
峰值反向电压
结温
储存温度
热？电阻
[2]
单位
AMP
V
°C
°C
° C / W
SOT-23
1
50
150
-65 to 150
500
SOT-323
1
50
150
-65 to 150
150
ESD警告：
注意事项应注意避免
静电放电。
注意事项：
1.操作超过这些条件的任何一个可能导致器件的永久性损坏。
2. T
C
= +25°C, where T
C
被定义为在所述封装引脚，其中的接触是由至温度
在电路板上。
电气规格牛逼
C
= 25°C, each diode
PIN通用二极管，典型规格牛逼
A
= 25°C
部件编号
HSMP-
3860
3862
3863
3864
386B
386C
386E
386F
386L
包装
标记
代码“
L0
L2
L3
L4
L0
L2
L3
L4
LL
铅
代码“
0
2
3
4
B
C
E
F
L
配置？
单身
系列
共阳极
共阴极
单身
系列
共阳极
共阴极
悬空三重奏
最低？
击穿
电压： V
BR
(V)
50
Typical-
串联电阻
R
S
()
3.0/1.5*
典型
总电容
C
T
？ （PF ）
0.20
美国东部时间条件
T
V
R
= V
BR
测量
I
R
≤ 10 A
I
F
= 10 mA
f = 100 MHz
I
F
= 100 mA*
V
R
= 50 V
f = 1 MHz
2
HSMP-386x Typical Parameters at T
C
= 25°C
部件编号
HSMP-
386x
总电阻
R
T
()
22
I
F
= 1 mA
f = 100 MHz
载流子寿命
T（ NS ）
500
I
F
= 50 mA
T
R
= 250 mA
反向恢复时间
T
rr
（纳秒）
80
V
R
= 10 V
I
F
= 20 mA
90% Recovery
总电容
C
T
？ （PF ）
0.20
V
R
= 50 V
f = 1 MHz
美国东部时间条件
T
典型性能，T
C
= 25°C, each diode
0.35
1000
电阻（欧姆）
0.30
1兆赫
0.25
100兆赫
0.20
1 GHz的
100
输入截点（ DBM）
总电容（ pF）的
T
A
= +85 C
T
A
= +25 C
T
A
= –55 C
120
二极管安装为
系列交换机中的一个
115
50和微带
经过测试，在123兆赫
110
105
100
95
90
85
1
10
30
10
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
偏置电流（mA ）
图1.射频电容与反向偏置。
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
图2.典型的RF电阻与正向偏压
电流。
图3.第2次谐波输入截取点
与正向偏置电流的开关二极管。
T
rr
- 反向恢复时间（纳秒）
1000
100
I
F
- 正向电流（mA ）
10
V
R
= 5 V
100
V
R
= 10 V
V
R
= 20 V
1
0.1
125 C 25 C –50 C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
10
20
正向电流（mA ）
30
0.01
V
F
- 正向电压（毫安）
图4.反向恢复时间与正向
目前的各种反向电压。
图5.正向电流与正向
电压。
等效电路模型
HSMP-386x Chip*
R
s
R
j
1.5
C
j
0.12 pF的
R
T
= 1.5 + R
j
C
T
= C
P
+ C
j
12
R
j
=
0.9
I
I =正向偏置电流，单位为mA
*请参阅AN1124的包款
3
典型应用为多个二极管产品
射频共
射频共
RF 1
BIAS 1
RF 2
BIAS 2
RF 1
RF 2
BIAS
BIAS
Figure 6. Simple SPDT Switch, Using Only Positive Current.
Figure 7. High Isolation SPDT Switch, Dual Bias.
射频共
BIAS
射频共
RF 1
RF 2
RF 1
BIAS
RF 2
Figure 8. Switch Using Both Positive and Negative Current.
不同的偏压
Figure 9. Very High Isolation SPDT Switch, Dual Bias.
输入
射频输入/输出
固定
BIAS
电压
图10.四个二极管的P衰减。参见AN1048获取详细信息。
Figure 10. Four Diode π Attenuator. See AN1048 for details.
4
典型应用为多个二极管产品
（续）
BIAS
“ON”时
“关”的
1
6
5
4
1
1
+V
0
2
0
+V
1
在RF
2
3
RF OUT
2
图11.高隔离度单刀单掷开关
Figure 11. High Isolation SPST Switch
（重复单元格为必填） 。
（重复单元格为必填） 。
1
2
3
2
1
3
Figure 12. HSMP-386L Unconnected Trio used in a Positive Voltage,
高压隔离开关。
2
“ON”时
“关”的
1
0
0
2
+V
–V
0
4
5
6
1
b1
b2
b3
3
2
1
1
4
在RF
5
6
RF OUT
Figure 13. HSMP-386L used in a SP3T Switch.
Figure 14. HSMP-386L Unconnected Trio used in a Dual Voltage,
高压隔离开关。
5
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