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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第238页 > HSMP-381B
表面贴装射频引脚为低电平
失真二极管衰减器
技术参数
HSMP- 381x系列和
HSMP- 481x系列
特点
二极管优化:
- 低失真衰减
- 微波频率
手术
表面贴装封装
单,双版本
磁带和卷轴选项
可用的
低故障的时间( FIT )
[1]
提供无铅选项
注意:
1。有关详细信息,请参阅
表面贴装PIN可靠性数据
表。
封装引线码
鉴定, SOT -23
( TOP VIEW )
单身
3
系列
3
封装引线码
鉴定, SOT- 323
( TOP VIEW )
单身
系列
1
#0
2
1
#2
2
B
常见
阳极
C
常见
阴极
常见
阳极
3
常见
阴极
3
1
#3
2
1
#4
2
E
双阴极
F
双阴极
3
说明/应用
该HSMP- 381x系列
专为低设计
变形衰减器应用
系统蒸发散。该HSMP- 481x产品
拥有超低的寄生
电感采用SOT -23和
SOT- 323封装。他们是
使用在专门设计
频率上多
比上限高
传统的二极管。
Spice模型不可用
为PIN二极管作为SPICE不
提供一种用于键PIN二极管
特征,载流子寿命。
1
2
4810
481B
2
绝对最大额定值
[1]
T
C
= +25°C
符号参数
I
f
P
IV
T
j
T
英镑
θ
jc
单位
SOT-23
1
同为V
BR
150
-65到150
500
SOT-323
1
同为V
BR
150
-65到150
150
正向电流( 1
s
脉冲)放大器
峰值反向电压
V
结温
°C
储存温度
°C
热阻
[2]
° C / W
注意事项:
1.操作中过量的这些条件中的任何一个可以导致永久性的损坏
该设备。
2. T
C
= + 25 ° C,其中T
C
被定义为在所述封装引脚,其中温度
接触形成于所述电路板。
电气规格牛逼
C
= + 25 ° C(每二极管)
传统的二极管
部分
HSMP-
3810
3812
3813
3814
381B
381C
381E
381F
记号
CODE
E0
[1]
E2
[1]
E3
[1]
E4
[1]
E0
[2]
E2
[2]
E3
[2]
E4
[2]
最低
最大
最大
最低
击穿
电压
电阻电容电阻
V
BR
(V)
R
T
()
C
T
(PF )
R
H
()
100
3.0
0.35
1500
最大
阻力
R
L
()
10
领导
代码配置
0
2
3
4
B
C
E
F
单身
系列
共阳极
共阴极
单身
系列
共阳极
共阴极
测试条件
V
R
= V
BR
措施
I
R
10
A
I
F
= 100毫安
F = 100 MHz的
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
I
R
= 0.01毫安
F = 100 MHz的
I
F
= 20毫安
F = 100 MHz的
高频(低电感, 500兆赫 - 3 GHz)的PIN二极管
部分
HSMP-
4810
481B
记号
CODE
EB
EB
最低
最大
典型
最大
典型
击穿
系列
电压
电容电阻电容电感
V
BR
(V)
R
S
()
C
T
(PF )
C
T
(PF )
L
T
( NH)
100
V
R
= V
BR
措施
I
R
10
A
3.0
I
F
= 100毫安
0.35
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
0.4
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 0 V
1.0
F = 500 MHz的 -
3 GHz的
领导
CODE
B
[1]
B
[2]
CON组fi guration
双阴极
双阴极
测试条件
注意事项:
1.包装标记代码为白色。
2.包装激光标记。
3
在T典型参数
C
= 25°C
产品型号
HSMP-
381x
测试条件
串联电阻
R
S
()
75
I
F
= 1毫安
F = 100 MHz的
载流子寿命
τ
(纳秒)
1500
I
F
= 50毫安
I
R
= 250毫安
反向恢复时间
T
rr
(纳秒)
300
V
R
= 10 V
I
F
= 20毫安
90 %恢复
总电容
C
T
(PF )
0.27 @ 50 V
F = 1 MHz的
在T典型参数
C
= 25 ℃(除非另有说明) ,单二极管
0.45
总电容( pF)的
10000
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= –55°C
输入截点( DBM)
120
RF电阻(欧姆)
0.40
0.35
1兆赫
0.30
0.25
0.20
frequency>100兆赫
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
30兆赫
1000
二极管安装为
110系列衰减器
在一个50欧姆微带
100和测试,在123兆赫
90
80
70
60
50
40
1000
100
10
100
10
1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压( V)
I
F
- 正向偏置电流(毫安)
二极管的射频电阻(欧姆)
图1.射频电容与反向
偏见。
图2. RF电阻与正向
偏置电流。
图3.第2次谐波输入
截取点与射频二极管
性。
100
I
F
- 正向电流(mA )
典型应用为多个二极管产品
不同的偏压
10
1
0.1
125°C 25°C –50°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
- 正向电压(毫安)
输入
射频输入/输出
图4.正向电流与
正向电压。
固定
BIAS
电压
图5.四个二极管
π
衰减器。请参见应用笔记1048
了解详细信息。
4
典型应用为HSMP- 481x低电感系列
微带系列
连接的
HSMP- 481x系列
为了充分利用
的低电感
在使用HSMP- 481x系列
他们在一系列的应用程序,
既导致1 ,并导致2应
连接在一起,如图
图7 。
1
HSMP-481x
3
2
图6.内部连接。
图7.电路布局。
微带分流
用于连接
HSMP- 481x系列
在图8中,该中心
微带导体
线路中断并且
导致1和2的
HSMP- 481x系列二极管
放置在生成的间隙。
这迫使1.5 nH的铅
引线电感1和2以
显示为一个低通部分
滤波器,减小分流
寄生电感和
增加最大
可衰减。该
0.3 nHof并联电感
外部的二极管被创建
通过该通孔,并且是一个好
估计为0.032"厚的材料。
50欧姆微带线
1.5 nH的
1.5 nH的
R
j
0.3 pF的
PAD地连接至
地面BY TWO
通孔
0.3 nH的
0.08
I
b0.9
R
j
+ 2.5
0.3 nH的
图8.电路布局。
图9.等效电路。
5
典型应用为HSMP- 481x低电感系列(续)
共面波导
并联连接的
HSMP- 481x系列
共平面波导,用
地面上的顶面
印刷电路板中,示出
在图10中因为它消除
需要通过通孔接地,
它提供了较低的并联寄生
电感和更高的最大
衰减时相比
微带电路。
共面波导
地平面
中心导体
地平面
图10.电路板布局。
R
j
0.3 pF的
0.75 nH的
图11.等效电路。
等效电路模型
HSMS- 381x芯片*
R
s
R
j
2.5
C
j
R
T
= 2.5 + R
j
0.18 pF的*
C
T
= C
P
+ C
j
*测量-20 V
80
R
j
=
0.9
I
I =正向偏置电流,单位为mA
*请参阅AN1124的包款。
表面贴装PIN二极管
采用SOT -323 ( SC - 70 3引脚)
技术参数
HSMP-381B/C/E/F
HSMP-386B/C/E/F
HSMP-389B/C/E/F
HSMP- 481B , -482B , -489B
特点
二极管优化:
低电流开关
低失真衰减
超低失真开关
微波频率
手术
表面贴装SOT- 323
(SC-70)Package
单和对版本
磁带和卷轴选项
可用的
低故障的时间( FIT )
率*
*欲了解更多信息,请参阅
表面贴装PIN可靠性
数据表。
封装引线码
鉴定
( TOP VIEW )
单身
系列
说明/应用
该HSMP - 381B / C / E / F系列
专为低设计
变形衰减器应用程序。
该HSMP - 386B / C / E / F系列是一个
通用PIN二极管
专为低电流衰减
器和低成本的交换机。该
HSMP - 389B / C / E / F系列
用于开关应用优化
系统蒸发散在低的地方低电阻
电流,和低电容是
所需。
该HSMP- 48XB系列是特别
产品具有超低
在SOT-寄生电感
323包,专门设计
使用的频率上
比上限高得多
对于传统的SOT- 323 PIN
二极管。该HSMP- 481B二极管是一种
低失真衰减PIN
设计用于操作至3千兆赫。
该HSMP- 482B二极管是理想的
限制和低电感
开关应用最多
1.5 GHz的。该HSMP- 489B是
对于低电流开关的优化
荷兰国际集团申请到3 GHz 。
B
常见
阳极
C
常见
阴极
E
双阳极
F
双阴极
482B / 489B
481B
绝对最大额定值
[1]
, T
C
= + 25°C
符号参数
I
f
P
iv
T
J
T
英镑
θ
jc
单位绝对最大
1
同为V
BR
150
-65到150
300
正向电流( 1
s
脉冲)放大器
峰值反向电压
V
结温
°C
储存温度
°C
[2]
热阻
° C / W
注意事项:
1.操作中过量的这些条件下,可能会导致在任一
永久损坏设备。
2. T
C
= 25℃ ,其中T
C
被定义为在包中的温度
销在哪里接触形成于电路板。
2
电气规格,T
C
= + 25°C时,每个二极管
PIN二极管衰减器
部分套餐
号标记的铅
HSMP-码
[1]
代码配置
381B
381C
381E
381F
E0
E2
E3
E4
B
C
E
F
单身
系列
共阳极
共阴极
最小值最大值最大值最小值最大值
击穿
电压电阻电容电阻电阻
V
BR
(V)
R
T
()
C
T
(PF )
R
H
()
R
L
()
100
3.0
0.35
1500
10
测试条件
V
R
= V
BR
措施
I
R
10
A
I
F
= 100毫安
F = 100 MHz的
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
I
R
= 0.01毫安我
F
= 20毫安
F = 100 MHz的F = 100 MHz的
PIN通用二极管
部分
HSMP-
386B
386C
386E
386F
记号
CODE
[1]
L0
L2
L3
L4
最低
击穿
电压
V
BR
(V)
50
典型
阻力
R
T
()
3.0
1.5*
典型
电容
C
T
(PF )
0.20
领导
CODE
B
C
E
F
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
测试条件
V
R
= V
BR
措施
I
R
10
A
I
F
= 10毫安
F = 100 MHz的
I
F
= 100毫安*
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
PIN开关二极管
部分
HSMP-
记号
CODE
[1]
最低
击穿
电压
V
BR
(V)
100
最大
阻力
R
T
()
2.5
最大
电容
C
T
(PF )
0.30
领导
CODE
B
C
E
F
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
389B
G0
389C
G2
389E
G3
389F
G4
测试条件
V
R
= V
BR
措施
I
R
10
A
I
F
= 5毫安
F = 100 MHz的
V
R
= 5 V
F = 1 MHz的
3
电气规格,T
C
= + 25°C时,每个二极管,
持续
典型参数
产品型号
HSMP-
381A系列
386A系列
389A系列
测试条件
总电阻载流子寿命
R
T
()
τ
(纳秒)
75
22
3.8
I
F
= 1毫安
F = 100 MHz的
1500
500
200*
I
F
= 50毫安
T
R
= 250毫安
I
F
= 10毫安*
I
R
= 6毫安*
反向恢复时间
T
rr
(纳秒)
300
80
V
R
= 10 V
I
F
= 20毫安
90 %恢复
总电容
(PF )
0.27
0.20
50 V
注意:
1.包装标识代码激光标记。
高频(低电感, 500兆赫 - 3 GHz的PIN二极管
部分
HSMP-
481B
482B
489B
最小最大
典型
最大
典型
击穿系列
记号
电压电阻电容电容电感
代码配置V
BR
(V)
R
S
()
C
T
(PF )
C
T
(PF )
L
T
( NH)的应用
EB
FA
GA
双阴极
双阳极
双阳极
100
50
100
V
R
= V
BR
措施
I
R
10
A
3.0
0.6*
2.5**
I
F
= 100毫安
I
F
= 10毫安*
I
F
= 5毫安**
0.35
0.75*
0.33**
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 20 V*
V
R
= 5 V**
0.4
1.0
0.375*
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 5 V*
1.0
1.0*
1.0
F = 500 MHz的 -
3 GHz的
V
R
= 20 V*
衰减器
开关
测试条件
4
典型性能,T
C
= 25°C
0.45
总电容( pF)的
0.40
0.35
1兆赫
0.30
0.25
0.20
frequency>100兆赫
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
30兆赫
总电容( pF)的
0.35
10000
HSMP - 381B / C / E / F , -481B
0.30
1兆赫
0.25
100兆赫
0.20
1 GHz的
RF电阻(欧姆)
1000
100
HSMP-
386B/C/E/F
HSMP-482B
10
1
HSMP - 389B / C / E / F , -489B
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
反向电压( V)
反向电压( V)
0.1
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- 正向偏置电流(毫安)
图1.射频电容与反向
偏见, HSMP - 381B / C / E / F系列。
图2.射频电容与反向
偏见, HSMP - 386B / C / E / F系列。
图3.总RF电阻在
25 ℃,与正向偏置电流。
10000
总RF电阻(欧姆)
1000
C
T
- 电容(pF )
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
HSMP-482B
输入截点( DBM)
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= –55°C
1.4
HSMP-381B/C/E/F
HSMP-386B/C/E/F
HSMP-389B/C/E/F
120
二极管安装为
110系列衰减器
一个50Ω微带
100测试在123兆赫
90
80
70
60
50
40
1000
100
10
HSMP-381B/C/E/F
100
10
1.0
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- 正向偏置电流(毫安)
0
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压( V)
二极管的射频电阻(欧姆)
图4. RF电阻与正向
偏置电流为HSMP - 381B / C / E / F
系列和HSMP- 481B 。
图5.电容与反向
电压在1 MHz 。
图6.二次谐波输入
截取点与射频二极管
电阻衰减器二极管。
T
rr
- 反向恢复时间(纳秒)
输入截点( DBM)
二极管安装为
115系列交换机中
一个50Ω微带
110测试在123兆赫
105
HSMP-3880
HSMP-389B/C/E/F
100
95
90
85
1
HSMP-386B/C/E/F
10
30
V
R
= 2V
V
R
= 5V
10
V
R
= 10 V
T
rr
- 反向恢复时间( NS)
120
100
1000
V
R
= 5V
100
V
R
= 10V
V
R
= 20V
1
10
20
正向电流(mA )
30
10
10
20
正向电流(mA )
30
I
F
- 正向偏置电流(毫安)
图7.二阶谐波输入
截取点与正向偏置
电流开关二极管。
图8.反向恢复时间 -
正向电流的各种反
电压。 HSMP- 482B 。
图9.反向恢复时间 -
正向电流的各种反
电压。 HSMP - 386B / C / E / F系列。
5
典型性能,T
C
= 25°C
T
rr
- 反向恢复时间(纳秒)
200
I
F
- 正向电流(mA )
100
I
F
- 正向电流(mA )
100
160
V
R
= –2V
120
10
10
1
1
80
V
R
= –5V
40
V
R
= –10V
0
10
15
20
25
30
0.1
0.1
125°C 25°C –50°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
125°C
0
0.2
0.4
25°C –50°C
0.6
0.8
1.0
1.2
正向电流(mA )
V
F
- 正向电压(毫安)
V
F
- 正向电压(毫安)
图10.典型的反向恢复
时间与反向电压。
HSMP - 389B / C / E / F系列。
100
I
F
- 正向电流(mA )
图11.正向电流与
正向电压。 HSMP - 381B / C / E / F
系列和HSMP- 481B 。
100
I
F
- 正向电流(mA )
图12.正向电流与
正向电压。 HSMP- 482B 。
10
10
1
1
0.1
125°C
0
0.2
25°C –50°C
0.4
0.6
0.8
0.1
0.01
1.0
1.2
0.01
125°C 25°C –50°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
- 正向电压( V)
V
F
- 正向电压( V)
图13.正向电流与
正向电压。 HSMP - 386B / C / E / F
系列。
图14.正向电流与
正向电压。 HSMP - 389B / C / E / F
系列和HSMP- 489B 。
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