表面贴装PIN二极管
采用SOT -323 （ SC - 70 3引脚）
技术参数
HSMP-381B/C/E/F
HSMP-386B/C/E/F
HSMP-389B/C/E/F
HSMP- 481B ， -482B ， -489B
特点
二极管优化：
低电流开关
低失真衰减
超低失真开关
微波频率
手术
表面贴装SOT- 323
(SC-70)Package
单和对版本
磁带和卷轴选项
可用的
低故障的时间（ FIT ）
率*
*欲了解更多信息，请参阅
表面贴装PIN可靠性
数据表。
封装引线码
鉴定
（ TOP VIEW ）
单身
系列
说明/应用
该HSMP - 381B / C / E / F系列
专为低设计
变形衰减器应用程序。
该HSMP - 386B / C / E / F系列是一个
通用PIN二极管
专为低电流衰减
器和低成本的交换机。该
HSMP - 389B / C / E / F系列
用于开关应用优化
系统蒸发散在低的地方低电阻
电流，和低电容是
所需。
该HSMP- 48XB系列是特别
产品具有超低
在SOT-寄生电感
323包，专门设计
使用的频率上
比上限高得多
对于传统的SOT- 323 PIN
二极管。该HSMP- 481B二极管是一种
低失真衰减PIN
设计用于操作至3千兆赫。
该HSMP- 482B二极管是理想的
限制和低电感
开关应用最多
1.5 GHz的。该HSMP- 489B是
对于低电流开关的优化
荷兰国际集团申请到3 GHz 。
B
常见
阳极
C
常见
阴极
E
双阳极
F
双阴极
482B / 489B
481B
绝对最大额定值
[1]
, T
C
= + 25°C
符号参数
I
f
P
iv
T
J
T
英镑
θ
jc
单位绝对最大
1
同为V
BR
150
-65到150
300
正向电流（ 1
s
脉冲）放大器
峰值反向电压
V
结温
°C
储存温度
°C
[2]
热阻
° C / W
注意事项：
1.操作中过量的这些条件下，可能会导致在任一
永久损坏设备。
2. T
C
= 25℃ ，其中T
C
被定义为在包中的温度
销在哪里接触形成于电路板。
3
电气规格，T
C
= + 25°C时，每个二极管，
持续
典型参数
产品型号
HSMP-
381A系列
386A系列
389A系列
测试条件
总电阻载流子寿命
R
T
()
τ
（纳秒）
75
22
3.8
I
F
= 1毫安
F = 100 MHz的
1500
500
200*
I
F
= 50毫安
T
R
= 250毫安
I
F
= 10毫安*
I
R
= 6毫安*
反向恢复时间
T
rr
（纳秒）
300
80
—
V
R
= 10 V
I
F
= 20毫安
90 ％恢复
总电容
（PF ）
0.27
0.20
—
50 V
注意：
1.包装标识代码激光标记。
高频（低电感， 500兆赫 - 3 GHz的PIN二极管
部分
数
HSMP-
481B
482B
489B
最小最大
典型
最大
典型
包
击穿系列
总
总
总
记号
电压电阻电容电容电感
代码配置V
BR
(V)
R
S
()
C
T
（PF ）
C
T
（PF ）
L
T
（ NH）的应用
EB
FA
GA
双阴极
双阳极
双阳极
100
50
100
V
R
= V
BR
措施
I
R
≤
10
A
3.0
0.6*
2.5**
I
F
= 100毫安
I
F
= 10毫安*
I
F
= 5毫安**
0.35
0.75*
0.33**
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 20 V*
V
R
= 5 V**
0.4
1.0
0.375*
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 5 V*
1.0
1.0*
1.0
F = 500 MHz的 -
3 GHz的
V
R
= 20 V*
衰减器
限
开关
测试条件
4
典型性能，T
C
= 25°C
0.45
总电容（ pF）的
0.40
0.35
1兆赫
0.30
0.25
0.20
frequency>100兆赫
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
30兆赫
总电容（ pF）的
0.35
10000
HSMP - 381B / C / E / F ， -481B
0.30
1兆赫
0.25
100兆赫
0.20
1 GHz的
RF电阻（欧姆）
1000
100
HSMP-
386B/C/E/F
HSMP-482B
10
1
HSMP - 389B / C / E / F ， -489B
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
反向电压（ V）
反向电压（ V）
0.1
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
图1.射频电容与反向
偏见， HSMP - 381B / C / E / F系列。
图2.射频电容与反向
偏见， HSMP - 386B / C / E / F系列。
图3.总RF电阻在
25 ℃，与正向偏置电流。
10000
总RF电阻（欧姆）
1000
C
T
- 电容（pF ）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
HSMP-482B
输入截点（ DBM）
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= –55°C
1.4
HSMP-381B/C/E/F
HSMP-386B/C/E/F
HSMP-389B/C/E/F
120
二极管安装为
110系列衰减器
一个50Ω微带
100测试在123兆赫
90
80
70
60
50
40
1000
100
10
HSMP-381B/C/E/F
100
10
1.0
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
0
0
10
20
30
40
50
V
R
- 反向电压（ V）
二极管的射频电阻（欧姆）
图4. RF电阻与正向
偏置电流为HSMP - 381B / C / E / F
系列和HSMP- 481B 。
图5.电容与反向
电压在1 MHz 。
图6.二次谐波输入
截取点与射频二极管
电阻衰减器二极管。
T
rr
- 反向恢复时间（纳秒）
输入截点（ DBM）
二极管安装为
115系列交换机中
一个50Ω微带
110测试在123兆赫
105
HSMP-3880
HSMP-389B/C/E/F
100
95
90
85
1
HSMP-386B/C/E/F
10
30
V
R
= 2V
V
R
= 5V
10
V
R
= 10 V
T
rr
- 反向恢复时间（ NS）
120
100
1000
V
R
= 5V
100
V
R
= 10V
V
R
= 20V
1
10
20
正向电流（mA ）
30
10
10
20
正向电流（mA ）
30
I
F
- 正向偏置电流（毫安）
图7.二阶谐波输入
截取点与正向偏置
电流开关二极管。
图8.反向恢复时间 -
正向电流的各种反
电压。 HSMP- 482B 。
图9.反向恢复时间 -
正向电流的各种反
电压。 HSMP - 386B / C / E / F系列。
5
典型性能，T
C
= 25°C
T
rr
- 反向恢复时间（纳秒）
200
I
F
- 正向电流（mA ）
100
I
F
- 正向电流（mA ）
100
160
V
R
= –2V
120
10
10
1
1
80
V
R
= –5V
40
V
R
= –10V
0
10
15
20
25
30
0.1
0.1
125°C 25°C –50°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
125°C
0
0.2
0.4
25°C –50°C
0.6
0.8
1.0
1.2
正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（毫安）
V
F
- 正向电压（毫安）
图10.典型的反向恢复
时间与反向电压。
HSMP - 389B / C / E / F系列。
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图11.正向电流与
正向电压。 HSMP - 381B / C / E / F
系列和HSMP- 481B 。
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图12.正向电流与
正向电压。 HSMP- 482B 。
10
10
1
1
0.1
125°C
0
0.2
25°C –50°C
0.4
0.6
0.8
0.1
0.01
1.0
1.2
0.01
125°C 25°C –50°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
- 正向电压（ V）
V
F
- 正向电压（ V）
图13.正向电流与
正向电压。 HSMP - 386B / C / E / F
系列。
图14.正向电流与
正向电压。 HSMP - 389B / C / E / F
系列和HSMP- 489B 。
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