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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第1022页 > HSMP-3814
表面贴装PIN二极管
技术参数
HSMP- 38XX和
HSMP- 48XX系列
特点
二极管优化:
低电流开关
低失真衰减
超低失真
开关
微波频率
手术
表面贴装SOT -23和
SOT- 143封装
单路和双路版本
磁带和卷轴选项
可用的
低故障的时间( FIT )
[1]
注意:
1。有关详细信息,请参阅
表面贴装PIN可靠性数据
表。
所需。该HSMP- 48XX系列
特殊产品特色
在极低的寄生电感
采用SOT -23封装,特别是
设计用于在频率
这是比要高得多
常规上限
SOT- 23 PIN二极管。该
HSMP- 4810二极管是一种低失真
化衰减PIN设计
操作到3GHz 。该
HSMP- 4820二极管是理想的
限制和低电感
开关应用最多
1.5 GHz的。该HSMP- 4890是
对于低电流开关的优化
荷兰国际集团申请到3 GHz 。
该HSMP- 386x系列通用
目的PIN二极管被设计
两种类型的应用。
第一个是衰减器,其中
电流消耗是最
重要的设计考虑因素。
第二应用此
串联二极管的是在开关
其中,成本低的驱动
问题的设计。
该HSMP- 386x系列共
电容(C
T
)和总
电阻(R
T
)是典型的
规格。对于应用程序
这需要保证perfor-
曼斯,通用
HSMP- 383X系列是中建议
谁料。对于低失真
封装引线码
鉴定
单身
#0
系列
常见
阳极
#2
常见
阴极
#3
悬空
#4
双阳极
#5
双阴极
说明/应用
该HSMP- 380X和HSMP- 381X
系列是特别设计
低失真衰减器应用
系统蒸发散。该HSMP- 382X系列
用于开关应用优化
系统蒸发散,其中超低电阻是
所需。该HSMP- 3880开关
ing二极管是一种超低失真
设备对更高功率优化
从50MHz到应用
1.5 GHz的。该HSMP- 389X系列
用于开关应用优化
系统蒸发散在低的地方低电阻
电流和低电容的
#A
#B
衰减器,在HSMP- 380X或
-381X系列建议。
对于高性能的交换
应用中, HSMP- 389X
一系列建议。
Spice模型不可用
为PIN二极管作为SPICE不
提供一种用于键PIN二极管
特征,载流子寿命。
2
绝对最大额定值
[1]
T
A
= 25°C
符号
I
f
P
t
P
iv
T
j
T
英镑
参数
正向电流( 1毫秒脉冲)
器件总功耗
峰值反向电压
结温
储存温度
单位绝对最大
AMP
mW
[2]
°C
°C
1
250
同为V
BR
150
-65到150
注意事项:
1.操作中过量的这些条件中的任何一个可以导致永久性的损坏
此设备。
2. CW功率消耗在T
领导
= 25°C 。降额至零,在最大额定温度。
PIN二极管衰减器
电气规格牛逼
A
= 25 ° C(每二极管)
最近的
相当于最低
最大
最大
最小最大
轴向引线击穿
系列
产品型号
电压
电阻电容电阻电阻
5082-
V
BR
(V)
R
S
()
C
T
(PF )
R
H
()
R
L
()
3080
100
2.0
0.37
1000
8
部分
HSMP-
3800
3802
3804
3810
3812
3813
3814
记号
CODE
[1]
D0
D2
D4
E0
E2
E3
E4
领导
代码配置
0
2
4
0
2
3
4
单身
系列
共阴极
单身
系列
共阳极
共阴极
3081
100
3.0
0.35
1500
10
测试条件
V
R
= V
BR
措施
I
R
10
A
I
F
= 100毫安
F = 100 MHz的
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
I
F
= 0.01毫安我
F
= 20毫安
F = 100 MHz的F = 100 MHz的
PIN开关二极管
电气规格牛逼
A
= 25°C
最近的
当量
轴向引线
产品型号
5082-
3188
最低
击穿
电压
V
BR
(V)
50
最大
系列
阻力
R
S
()
0.6*
最大
电容
C
T
(PF )
0.8*
最大
分流模式
谐波
失真
HMD ( DBC)
部分
HSMP-
3820
3822
3823
3824
3880
3890
3892
3893
3894
3895
记号
CODE
[1]
F0
F2
F3
F4
S0
G0
G2
G3
G4
G5
领导
代码配置
0
2
3
4
0
0
2
3
4
5
单身
系列
共阳极
共阴极
单身
单身
系列
共阳极
共阴极
PAIR无关
100
100
6.5
2.5
0.40
0.30**
–55
测试条件
V
R
= V
BR
措施
I
R
10
A
I
F
= 5毫安
F = 100 MHz的
I
F
= 10毫安*
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 20 V*
V
R
= 5 V**
2 f
o,
Z
o
= 50 W
f
o
= 400兆赫
P
in
= +30 dBm的
0 V BIAS
注意:
1.包装标记代码为白色。
3
PIN通用二极管,电气规格牛逼
A
= 25°C
最近的
当量
轴向引线
产品型号
5082-
3077
最低
击穿
电压
V
BR
(V)
200
最大
系列
阻力
R
S
()
1.5
最大
电容
C
T
(PF )
0.3
部分
HSMP-
3830
3832
3833
3834
记号
CODE
[1]
K0
K2
K3
K4
领导
CODE
0
2
3
4
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
测试条件
V
R
= V
BR
措施
I
R
10毫安
I
F
= 100毫安
F = 100 MHz的
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
高频(低电感, 500兆赫 - 3 GHz)的PIN二极管,电气规格牛逼
A
= 25°C
部分
HSMP-
4810
4820
4890
记号
CODE
EB
FA
GA
最低
突破性
电压
V
BR
(V)
100
50
100
V
R
= V
BR
措施
I
R
10
A
最大
系列
电阻
tance
R
S
()
3.0
0.6*
2.5**
I
F
= 100毫安
I
F
= 10毫安*
I
F
= 5毫安**
典型
电容
tance
C
T
(PF )
0.35
0.75*
0.33
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 20 V*
最大
电容
tance
C
T
(PF )
0.4
1.0
0.375
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 0 V
典型
电感
tance
L
T
( NH)
1.0
1.0*
1.0
F = 500 MHz的 -
3 GHz的
V
R
= 20 V*
领导
CODE
B
A
A
CON连接G-
uration
阴极
双阳极
双阳极
应用程序
阳离子
衰减
ATOR
开关
PIN通用二极管,典型规格牛逼
A
= 25°C
产品型号
HSMP-
3860
3862
3863
3864
测试条件
CODE
记号
CODE
[1]
L0
L2
L3
L4
领导
CODE
0
2
3
4
最低
击穿
电压V
BR
(V)
50
典型系列
阻力
R
S
()
3.0/1.5*
典型的总
电容
C
T
(PF )
0.20
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
V
R
= V
BR
措施
I
R
10
A
I
F
= 10毫安
F = 100 MHz的
*I
F
= 100毫安
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
在T典型参数
A
= 25°C
产品型号
HSMP-
380X
381X
382X
383X
388X
389X
测试条件
串联电阻
R
S
()
55
75
1.5
20
3.8
3.8
I
F
= 1毫安
F = 100 MHz的
I
F
= 10毫安*
载流子寿命
τ
(纳秒)
1800
1500
70*
500
2500
200*
I
F
= 50毫安
I
R
= 250毫安
I
F
= 10毫安*
I
R
= 6毫安*
反向恢复时间
T
rr
(纳秒)
500
300
7
80
550
V
R
= 10 V
I
F
= 20毫安
90 %恢复
总电容
C
T
(PF )
0.32 @ 50 V
0.27 @ 50 V
0.60 @ 20 V
0.20 @ 50 V
0.30 @ 50 V
0.20 @ 5 V
注意:
1.包装标记代码为白色。
4
在T典型参数
A
= 25 ℃(除非另有说明) ,单二极管
0.45
总电容( pF)的
0.35
总电容( pF)的
10000
0.40
0.35
1兆赫
0.30
0.25
0.20
frequency>100兆赫
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
30兆赫
HSMP- 381x , / HSMP- 4810
电阻(欧姆)
0.30
1兆赫
0.25
100兆赫
0.20
1 GHz的
1000
HSMP- 383x , -386x
100
10
1
HSMP- 382x , -4820
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
反向电压( V)
反向电压( V)
0.1
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- 正向偏置电流(毫安)
图1.射频电容与反向
偏见, HSMP- 3810系列。
图2.射频电容与反向
偏见, HSMP- 3830系列。
图3电阻,在25 ℃对
正向偏置电流。
3000
1000
RF电阻(欧姆)
10000
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= –55°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= –55°C
1.4
1.2
电容(pF)
RF电阻(欧姆)
1000
1
0.8
0.6
0.4
0.2
HSMP-382X
100
100
10
10
HSMP-3880
HSMP-3800
HSMP-381X
HSMP-3830
1
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
100
I
F
- 正向偏置电流(毫安)
0
0
10
20
HSMP-3890
30
40
50
I
F
- 正向偏置电流(毫安)
V
R
- 反向电压( V)
图4. RF电阻与正向
偏置电流为HSMP -3800 。
图5. RF电阻与正向
偏置电流为HSMP- 3810 /
HSMP-4810.
图6.电容与反向
电压。
输入截点( DBM)
输入截点( DBM)
二极管安装为
110系列衰减器
在一个50欧姆微带
100和测试,在123兆赫
90
80
70
60
50
40
1000
100
10
HSMP-3810
HSMP-3830
二极管安装为
系列衰减器的
115
50欧姆微带和
经过测试,在123兆赫
110
105
HSMP-3880
100
HSMP-3820
95
HSMP-3830
90
HSMP-3890
85
1
10
30
T
rr
- 反向恢复时间(纳秒)
120
120
100
HSMP-382X
V
R
= 2V
V
R
= 5V
10
V
R
= 10V
HSMP-3830
1
10
20
正向电流(mA )
30
二极管的射频电阻(欧姆)
I
F
- 正向偏置电流(毫安)
图7.二阶谐波输入
截取点与射频二极管
电阻衰减器二极管。
图8.二次谐波输入
截取点与正向偏置
电流开关二极管。
图9.反向恢复时间 -
正向电流的各种反
电压。 HSMP- 3820系列。
5
典型参数
(续)
反向恢复时间(纳秒)
HSMP-3830
V
R
= 5V
V
R
= 10V
T
RR
- 反向恢复时间( NS)
T
rr
- 反向恢复时间( NS)
1000
V
R
= 5V
100
V
R
= 10V
V
R
= 20V
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
200
160
V
R
= –2V
120
80
V
R
= 20V
V
R
= –5V
V
R
= –10V
15
20
25
30
40
0
10
10
10
20
正向电流(mA )
30
100
10
15
20
25
30
正向电流(mA )
正向电流(mA )
图10.反向恢复时间 -
正向电流的各种反
电压。 HSMP- 3830系列。
100
I
F
- 正向电流(mA )
图11.典型的反向恢复
时间与反向电压。 HSMP- 3880
系列。
100
I
F
- 正向电流(mA )
图12.典型的反向恢复
时间与反向电压。 HSMP- 3890
系列。
100
I
F
- 正向电流(mA )
HSMP-3800
10
HSMP-3810
HSMP-4810
10
HSMP-382X
HSMP-482X
10
1
1
1
0.1
125°C
0.01
0
0.2
0.4
25°C –50°C
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
125°C 25°C –50°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
125°C 25°C –50°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
- 正向电压(毫安)
V
F
- 正向电压(毫安)
V
F
- 正向电压(毫安)
图13.正向电流与
正向电压。 HSMP- 3800系列。
图14.正向电流与
正向电压。 HSMP- 3810和
HSMP- 4810系列。
图15.正向电流与
正向电压。 HSMP- 3820和
HSMP- 4820系列。
100
I
F
- 正向电流(mA )
I
F
- 正向电流(mA )
100
I
F
- 正向电流(mA )
100
HSMP-3830
10
10
10
1
1
1
0.1
125°C 25°C –50°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
- 正向电压(毫安)
0.1
125°C
0.01
0
0.2
0.4
25°C –55°C
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
125°C 25°C
0
0.2
0.4
0.6
–55°C
0.8
1.0
1.2
0.01
V
F
- 正向电流(mA )
V
F
- 正向电压(毫安)
图16.正向电流与
正向电压。 HSMP- 3830系列。
图17.正向电流与
正向电压。 HSMP- 3880系列。
图18.正向电流与
正向电压。 HSMP- 3890和
HSMP- 4890系列。
表面贴装射频引脚为低电平
失真二极管衰减器
技术参数
HSMP- 381x系列和
HSMP- 481x系列
特点
二极管优化:
- 低失真衰减
- 微波频率
手术
表面贴装封装
单,双版本
磁带和卷轴选项
可用的
低故障的时间( FIT )
[1]
提供无铅选项
注意:
1。有关详细信息,请参阅
表面贴装PIN可靠性数据
表。
封装引线码
鉴定, SOT -23
( TOP VIEW )
单身
3
系列
3
封装引线码
鉴定, SOT- 323
( TOP VIEW )
单身
系列
1
#0
2
1
#2
2
B
常见
阳极
C
常见
阴极
常见
阳极
3
常见
阴极
3
1
#3
2
1
#4
2
E
双阴极
F
双阴极
3
说明/应用
该HSMP- 381x系列
专为低设计
变形衰减器应用
系统蒸发散。该HSMP- 481x产品
拥有超低的寄生
电感采用SOT -23和
SOT- 323封装。他们是
使用在专门设计
频率上多
比上限高
传统的二极管。
Spice模型不可用
为PIN二极管作为SPICE不
提供一种用于键PIN二极管
特征,载流子寿命。
1
2
4810
481B
2
绝对最大额定值
[1]
T
C
= +25°C
符号参数
I
f
P
IV
T
j
T
英镑
θ
jc
单位
SOT-23
1
同为V
BR
150
-65到150
500
SOT-323
1
同为V
BR
150
-65到150
150
正向电流( 1
s
脉冲)放大器
峰值反向电压
V
结温
°C
储存温度
°C
热阻
[2]
° C / W
注意事项:
1.操作中过量的这些条件中的任何一个可以导致永久性的损坏
该设备。
2. T
C
= + 25 ° C,其中T
C
被定义为在所述封装引脚,其中温度
接触形成于所述电路板。
电气规格牛逼
C
= + 25 ° C(每二极管)
传统的二极管
部分
HSMP-
3810
3812
3813
3814
381B
381C
381E
381F
记号
CODE
E0
[1]
E2
[1]
E3
[1]
E4
[1]
E0
[2]
E2
[2]
E3
[2]
E4
[2]
最低
最大
最大
最低
击穿
电压
电阻电容电阻
V
BR
(V)
R
T
()
C
T
(PF )
R
H
()
100
3.0
0.35
1500
最大
阻力
R
L
()
10
领导
代码配置
0
2
3
4
B
C
E
F
单身
系列
共阳极
共阴极
单身
系列
共阳极
共阴极
测试条件
V
R
= V
BR
措施
I
R
10
A
I
F
= 100毫安
F = 100 MHz的
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
I
R
= 0.01毫安
F = 100 MHz的
I
F
= 20毫安
F = 100 MHz的
高频(低电感, 500兆赫 - 3 GHz)的PIN二极管
部分
HSMP-
4810
481B
记号
CODE
EB
EB
最低
最大
典型
最大
典型
击穿
系列
电压
电容电阻电容电感
V
BR
(V)
R
S
()
C
T
(PF )
C
T
(PF )
L
T
( NH)
100
V
R
= V
BR
措施
I
R
10
A
3.0
I
F
= 100毫安
0.35
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
0.4
V
R
= 50 V
F = 1 MHz的
V
R
= 0 V
1.0
F = 500 MHz的 -
3 GHz的
领导
CODE
B
[1]
B
[2]
CON组fi guration
双阴极
双阴极
测试条件
注意事项:
1.包装标记代码为白色。
2.包装激光标记。
3
在T典型参数
C
= 25°C
产品型号
HSMP-
381x
测试条件
串联电阻
R
S
()
75
I
F
= 1毫安
F = 100 MHz的
载流子寿命
τ
(纳秒)
1500
I
F
= 50毫安
I
R
= 250毫安
反向恢复时间
T
rr
(纳秒)
300
V
R
= 10 V
I
F
= 20毫安
90 %恢复
总电容
C
T
(PF )
0.27 @ 50 V
F = 1 MHz的
在T典型参数
C
= 25 ℃(除非另有说明) ,单二极管
0.45
总电容( pF)的
10000
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= –55°C
输入截点( DBM)
120
RF电阻(欧姆)
0.40
0.35
1兆赫
0.30
0.25
0.20
frequency>100兆赫
0.15
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
30兆赫
1000
二极管安装为
110系列衰减器
在一个50欧姆微带
100和测试,在123兆赫
90
80
70
60
50
40
1000
100
10
100
10
1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压( V)
I
F
- 正向偏置电流(毫安)
二极管的射频电阻(欧姆)
图1.射频电容与反向
偏见。
图2. RF电阻与正向
偏置电流。
图3.第2次谐波输入
截取点与射频二极管
性。
100
I
F
- 正向电流(mA )
典型应用为多个二极管产品
不同的偏压
10
1
0.1
125°C 25°C –50°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F
- 正向电压(毫安)
输入
射频输入/输出
图4.正向电流与
正向电压。
固定
BIAS
电压
图5.四个二极管
π
衰减器。请参见应用笔记1048
了解详细信息。
4
典型应用为HSMP- 481x低电感系列
微带系列
连接的
HSMP- 481x系列
为了充分利用
的低电感
在使用HSMP- 481x系列
他们在一系列的应用程序,
既导致1 ,并导致2应
连接在一起,如图
图7 。
1
HSMP-481x
3
2
图6.内部连接。
图7.电路布局。
微带分流
用于连接
HSMP- 481x系列
在图8中,该中心
微带导体
线路中断并且
导致1和2的
HSMP- 481x系列二极管
放置在生成的间隙。
这迫使1.5 nH的铅
引线电感1和2以
显示为一个低通部分
滤波器,减小分流
寄生电感和
增加最大
可衰减。该
0.3 nHof并联电感
外部的二极管被创建
通过该通孔,并且是一个好
估计为0.032"厚的材料。
50欧姆微带线
1.5 nH的
1.5 nH的
R
j
0.3 pF的
PAD地连接至
地面BY TWO
通孔
0.3 nH的
0.08
I
b0.9
R
j
+ 2.5
0.3 nH的
图8.电路布局。
图9.等效电路。
5
典型应用为HSMP- 481x低电感系列(续)
共面波导
并联连接的
HSMP- 481x系列
共平面波导,用
地面上的顶面
印刷电路板中,示出
在图10中因为它消除
需要通过通孔接地,
它提供了较低的并联寄生
电感和更高的最大
衰减时相比
微带电路。
共面波导
地平面
中心导体
地平面
图10.电路板布局。
R
j
0.3 pF的
0.75 nH的
图11.等效电路。
等效电路模型
HSMS- 381x芯片*
R
s
R
j
2.5
C
j
R
T
= 2.5 + R
j
0.18 pF的*
C
T
= C
P
+ C
j
*测量-20 V
80
R
j
=
0.9
I
I =正向偏置电流,单位为mA
*请参阅AN1124的包款。
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