【HSMx-C680直角表面黏着封装ChipLED数据表描述该HSMx - C680系列的芯片型LED】,IC型号HSMH-C680,HSMH-C680 PDF资料,HSMH-C680经销商,ic,电子元器件-51电子网

HSMx-C680

直角表面黏着封装ChipLED

数据表

描述

该HSMx - C680系列的芯片型LED被设计成

照亮以直角向安装的方向。

当安装在一个印刷电路板，这些设备将发射

光在平行于板的方向上。

小型3.0 ×1.0× 2.0毫米足迹HSMx - C680的

被设计为应用在空间有限。这些

设备有四种颜色可供选择，并使用不着色，无

扩散光学。

该HSMx - C680系列零件都与IR

回流焊工艺而已。

特点

直角安装

兼容红外回流焊工艺

可提供的颜色种类繁多

可在178毫米（ 7“ ）卷筒直径8mm带

应用

LCD背光

键盘侧/背光

光管

直角指标

包装尺寸

3.0

1.0

0.3

2.0

0.3

设备选型指南

产品型号

HSMA-C680

HSMC-C680

HSMG-C680

HSMH-C680

HSML-C680

2.0

1.0

每卷颜色的部分

3000

AMBER的AlInGaP

的AlInGaP红色

GaP的绿光

AS的AlGaAs红色

ORANGE的AlInGaP

的GaP高效率红色， HER

黄色的GaP

HSMS-C680

HSMY-C680

0.25

阴极

（阳极

HSMH-C680)

0.88

0.25

阳极

（阴极

HSMH-C680)

R 0.45

加强焊接

（NON -PIN连接）

极性标志

阴极

阳极

注意事项：

HSMx - C680 LED是每JESD22- A114C.01标准1A级ESD敏感。请遵守appro-

priate处理和加工过程中的注意事项。请参考应用笔记AN- 1142的更多细节。

在T绝对最大额定值

= 25°C

参数

直流正向电流

功耗

反向电压（I

= 100毫安）

LED结温

工作温度范围

存储温度范围

焊接温度

的AlInGaP

-40到85°C

-40到85

°C

GAP

AS的AlGaAs

单位

°C

见回流焊温度曲线（图6 & 7 ）

在T电气特性

= 25°C

正向电压

（伏）

[1]

@ I

= 20mA下

产品型号

AMBER的AlInGaP

的AlInGaP红色

GaP的绿光

AS的AlGaAs红色

ORANGE的AlInGaP

HER的GaP

黄色的GaP

注意事项：

1. Vf的误差： ± 0.1V

反向击穿

（伏）

@ I

= 100毫安

马克斯。

2.4

2.6

2.4

2.6

热阻

J- P

（ ° C / W）

典型值。

500

300

500

300

典型值。

2.0

2.2

1.8

2.0

2.1

典型值。

在T光学特性

= 25°C

发光强度

V [1]

（ MCD ）

@ 20毫安

产品型号

AMBER的AlInGaP

的AlInGaP红色

GaP的绿光

AS的AlGaAs红色

ORANGE的AlInGaP

HER的GaP

黄色的GaP

分钟。

28.5

4.5

7.2

28.5

2.8

典型值。

76.9

62.3

13.3

30.7

108.6

5.1

9.3

色，优势

波长

[2]

（纳米）

典型

591

630

573

642

604

621

589

色，

峰值波长

LPEAK

[ （NM ）

典型

594

643

568

657

611

636

588

视角

1/2 [3]

（度）

典型

115

125

115

125

注意事项：

1.发光强度IV的测量是在所述空间辐射方向图的哪个可以不与LED的机械轴对准的峰值

封装。

2.主波长

LD ，

从在CIE色度图上来自和表示设备所感知的颜色。

1/2

是离轴角，光强是＆ frac12 ;的峰强度。

颜色斌限制

[1]

阿林的GaP琥珀

滨ID

公差： ± 1nm的

HER的GaP

占主导地位的波长（nm ）

最低

最大

582.0

584.5

587.0

589.5

592.0

594.5

584.5

587.0

589.5

592.0

594.5

597.0

滨ID

公差： ± 1nm的

占主导地位的波长（nm ）

最低

最大

620.0

635.0

黄色的GaP

滨ID

占主导地位的波长（nm ）

最低

最大

582.0

584.5

587.0

589.5

592.0

594.5

584.5

587.0

589.5

592.0

594.5

597.0

的AlInGaP红色

滨ID

公差： ± 1nm的

占主导地位的波长（nm ）

最低

最大

620.0

635.0

公差： ± 1nm的注意事项：

GaP的绿光

滨ID

公差： ± 1nm的

占主导地位的波长（nm ）

最低

最大

561.5

564.5

567.5

570.5

573.5

564.5

567.5

570.5

573.5

576.5

1.斌类别都建立了产品分级。制品

可能无法在所有类别可用。请联系您的安华高

代表当前掌握的信息箱。

光强度（I

）斌限制

[1]

滨ID

亮度（mcd ）

最低

最大

2.80

4.50

7.20

11.20

18.00

28.50

45.00

71.50

4.50

7.20

11.20

18.00

28.50

45.00

71.50

112.50

AS的AlGaAs HER

滨ID

公差： ± 1nm的

占主导地位的波长（nm ）

最低

最大

630.0

650.0

公差： ±15 ％

ORANGE的AlInGaP

滨ID

公差： ± 1nm的

占主导地位的波长（nm ）

最低

最大

597.0

600.0

603.0

606.0

609.0

612.0

600.0

603.0

606.0

609.0

612.0

615.0

注意事项：

1.斌类别都建立了产品分级。制品

可能无法在所有类别可用。请联系您的安华高

代表当前掌握的信息箱。

1.0

0.9

0.8

相对强度

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

480

530

580

630

680

波长 - 纳米

730

780

AMBER的AlInGaP

的AlInGaP红色

ORANGE的AlInGaP

相对强度

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

380

430

480

530

580

630

波长 - 纳米

680

730

780

黄色的GaP

GaP的绿光

AS的AlGaAs

HER的GaP

图1.相对强度与波长..

100

正向电流 - 毫安

100

的AlInGaP红色

黄色的GaP

HER的GaP

AS的AlGaAs红色

GaP的绿光

的AlInGaP

琥珀橙&

0.1

1.5

1.7

1.9

2.1

2.3

2.5

正向电压 - V

图2.正向电流与正向电压。

1.4

相对发光强度

（归一20毫安）

相对发光强度

（归一20毫安）

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

正向直流电流 - 毫安

ORANGE的AlInGaP

的AlInGaP红色&琥珀

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

正向直流电流 - 毫安

的GaP &的AlGaAs

图3.发光强度与正向电流。

最大正向电流 - 毫安

环境温度 - C

100

的AlInGaP

正向电流 - 毫安

100

环境温度 -

°C

图4.最大正向电流与环境温度。

10 - 30秒。

10秒。 MAX 。

温度

230 C最大。

140-160 C

4℃ /秒。

马克斯。

在2分钟内。

时间

4℃ /秒。 MAX 。

-3℃ /秒。 MAX 。

温度

217

°C

200

°C

150

°C

255 - 260

°C

° C /秒。

马克斯。

° C /秒。

马克斯。

° C /秒。

马克斯。

60 - 120秒。

时间

100秒。 MAX 。

（符合J- STD- 020C ）

图5 ..推荐的回流焊接温度曲线。

图6.推荐的无铅回流焊接温度曲线。

发射方向

图7.推荐焊接焊盘图形。

注意事项：

1.所有尺寸为毫米（英寸）。

2.公差是为±0.1mm （ ± 0.004英寸），除非另有说明。

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