【HSMF-C114表面贴装三色芯片LED数据表描述该HSMF - C114三色芯片型LED被设计在一】,IC型号HSMF-C114,HSMF-C114 PDF资料,HSMF-C114经销商,ic,电子元器件-51电子网

HSMF-C114

表面贴装三色芯片LED

数据表

描述

该HSMF - C114三色芯片型LED被设计

在一个超小型封装的miniaturiza -化。这是

的先河，实现这样的小包装

并且是最薄的包在该行业

三色包。提供了自由具有任何

从3个主要的混合组合的颜色

的颜色，这将产生各种各样的颜色，以适应

每一个应用程序和产品的主题。

小尺寸，窄的足迹，并且低调

使这个LED非常适合背光，状态

指示，以及前面板照明应用。

为了方便取放操作时，该

型ChipLED附带的磁带和卷轴， 4000单位

每卷。该软件包是具有兼容回流焊

焊接并通过色彩和强度分级。

特点

共阳极

小型1.6× 1.5× 0.35毫米包

扩散光学

红/绿/蓝颜色组合

可在8毫米磁带上的7"卷轴直径

高亮度使用的AlInGaP和InGaN死亡

技术

兼容回流焊

应用

背光

状态指示灯

前面板指示灯

办公自动化，家用电器，工业

设备

注意事项：

HSMF - C114 LED是每JESD22- A114C.01 1A级ESD敏感。请注意

处理和加工过程中适当的预防措施。请参考应用笔记AN- 1142的

其他详细信息。

包装尺寸

阳极大关

1.50

(0.059)

1.60

(0.063)

常见

阳极

1.10

(0.043)

环氧散光

PC板

0.12

(0.005)

0.35

(0.014)

红

绿色

蓝

0.40

0.15

(0.016

0.006)

阳极大关

0.50

(0.020)

0.40

(0.016)

注意事项：

1.所有单位为毫米（英寸）尺寸。

2.宽容

0.1毫米（ ± 0.004英寸），除非另有说明。

在T绝对最大额定值

= 25°C

参数

的AlInGaP红色

绿的InGaN

InGaN蓝光

直流正向电流

[1,3]

功耗

[1]

直流正向电流

[2]

功耗

[2]

反向电压（I

= 100

LED结温

工作温度范围

-30到85

存储温度范围

-40到85

焊接温度

见回流焊温度曲线（图7 & 8 ）

注意事项：

1.适用于使用单颗LED点亮。

2.适用于当所有3个LED灯同时亮了起来。

3.减免直线，如图4所示。

4.驱动电流大于5毫安被推荐为最佳的长期性能。

单位

°C

在T电气特性

= 25°C

正向电压V

（伏）

[1]

@ I

= 20毫安

典型值。

马克斯。

1.9

2.4

3.4

3.9

3.4

3.9

反向击穿

（伏特） @我

= 100

分钟。

电容

C（ PF） @ V

= 0中，f = 1 MHz的

典型值。

产品型号

的AlInGaP红色

绿的InGaN

InGaN蓝光

注意：

1. V

公差：

0.1 V.

在T光学特性

= 25°C

发光强度

V[1]

（ MCD ） @ 20毫安

分钟。

典型值。

28.5

150.0

45.0

180.0

28.5

70.0

PEAK

波长

PEAK

（纳米）

典型

637

523

468

色，优势

波长

d[2]

（纳米）

典型

626

525

470

视角

1/2[3]

（度）

典型

100

145

发光的

ê FFI cacy

（流明/瓦特）

典型

155

477

产品型号

的AlInGaP红色

绿的InGaN

InGaN蓝光

注意事项：

1.发光强度我

处测得的空间辐射方向图的哪个可以不与LED的机械轴对准的峰值

封装。

2.主波长

中，从在CIE色度图上来自和表示设备所感知的颜色。

1/2

是离轴角，其中所述发光强度为1/2的峰强度。

注意事项：

1.上述的光

表现特定网络阳离子

在时的情况下有效。

单个LED的亮了起来。

2.将上述产物

规格不

提供的任何担保

混色，颜色

随着时间的一致性，或

均匀发光

强度，当超过1个

LED亮起。

3.请参考安华

科技公司

应用

简介AB D- 007

了解更多

细节/说明

驱动部分平行

电路。

光强度（I

）斌限制

[1]

亮度（mcd ）

滨ID

最低

最大

0.11

0.18

0.29

0.45

0.72

1.10

1.80

2.80

4.50

7.20

11.20

18.00

28.50

45.00

71.50

112.50

180.00

285.00

450.00

公差：

15%

注意：

1.斌类别建立

产品分类。产品不得

在所有类别的可用。请联系

安华的代表信息

目前可用的垃圾桶。

的AlInGaP红色的颜色斌限制

[1]

大教堂。波长（nm ）

滨ID

最低

最大

—

620.0

635.0

公差：

1牛米

的InGaN绿色区限制

[1]

滨ID

大教堂。波长（nm ）

最低

最大

515.0

520.0

525.0

530.0

535.0

公差：

1牛米

InGaN蓝光颜色斌限制

[1]

滨ID

大教堂。波长（nm ）

最低

最大

460.0

465.0

470.0

475.0

480.0

公差：

1牛米

注意：

1.斌类别建立

产品分类。产品不得

在所有类别的可用。请联系

安华的代表信息

目前可用的垃圾桶。

1.2

100

- 正向电流 - 毫安

1.2

1.0

相对强度

氮化铟镓

蓝

氮化铟镓

绿色

的AlInGaP

红

0.8

0.6

0.4

0.2

400

的AlInGaP红色

相对强度

0.8

0.6

绿的InGaN

& BLUE

0.4

的AlInGaP红色

0.2

绿的InGaN

& BLUE

0.1

450

500

550

600

650

700

波长 - 纳米

1.6

2.1

2.6

3.1

- 正向电压 - V

- 正向电流 - 毫安

图1.相对强度与波长。

图2.正向电流与正向电压。

发光强度与正向电流。

图3.发光强度与正向

电流。

F最大。

- 最大正向电流 - 毫安

1.2

1.0

相对强度

80 90

0.8

0.6

0.4

0.2

-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10

- 环境温度 -

°C

角位移 - DEGREES（ ° ）

图4.最大正向电流随

环境温度。

图5.相对强度与角度（的AlInGaP红色）。

1.2

1.0

相对强度

0.8

0.6

0.4

0.2

-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10

角位移 - DEGREES（ ° ）

图6.相对强度与角度（氮化铟镓绿色和蓝色）。

10至30秒。

温度

10秒。 MAX 。

温度

230 ° C最大。

140-160°C

4°C/SEC.

马克斯。

在2分钟内。

时间

4℃ /秒。 MAX 。

–3°C/SEC.

马克斯。

217

°C

200

°C

150

°C

255 - 260

°C

° C /秒。

马克斯。

° C /秒。

马克斯。

° C /秒。

马克斯。

60 - 120秒。

100秒。 MAX 。

时间

（符合J- STD- 020C ）

图7.推荐的回流焊接温度曲线。

图8.推荐的无铅回流焊接温度曲线。

查看更多HSMF-C114PDF信息

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型号

厂家

批号

数量

封装

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电话：0755-83223003

联系人：朱

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联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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13500

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深圳市芯福林电子科技有限公司

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电话：0755-82574045

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原装正品

深圳诚思涵科技有限公司

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