在T绝对最大额定值
A
= 25
°
C
参数
直流正向电流
[1]
功耗
反向电压(I
R
= 100
A)
LED结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
HSMX-C650
HSMF-C655
25
65
5
95
-25到+80
-30至+85
HSMX-C670
20
50
5
95
-25到+80
-30至+85
单位
mA
mW
V
°C
°C
°C
见SMT回流焊曲线,如图6
注意事项:
1.减额直线,如图4的温度高于25°C时表示。
在T光学特性
A
= 25
°
C
发光的
强度
I
V
( MCD )
@ I
F
20毫安
[1]
分钟。
典型值。
6.3
1.6
1.6
1.6
4.0
1.6
4.0
16.0
5.0
4.0
5.0
9.0
5.0
9.0
PEAK
波长
λ
PEAK
(纳米)
典型值。
650
639
606
584
566
639
566
色,
优势
波长
λ
d[2]
(纳米)
典型值。
639
626
604
586
571
626
571
VIEWING
角
2
θ
1
/
2
度
[3]
典型值。
155
155
155
155
155
155
155
部分
数
HSMH-C650
HSMH-C670
HSMS-C650
HSMS-C670
HSMD-C650
HSMD-C670
HSMY-C650
HSMY-C670
HSMG-C650
HSMG-C670
HSMF-C655
颜色
DH的AlGaAs红色
高效率
红
橙
黄
绿色
高效率
红
绿色
注意事项:
1.发光强度,我
V
被测量的空间辐射方向图的哪个可以不与对准的峰值
灯封装的机械轴。
2.主波长
λ
d
中,从在CIE色度图上来自和表示设备所感知的颜色。
3.
θ
1
/
2
是离轴角,其中所述发光强度为1/2的峰强度。
4.芯片LED提供的8毫米压纹带178毫米( 7英寸)直径的卷轴,每卷3000设备。最小订单
数量和订单incremenets是唯一的卷轴数量。
1-214
30
黄
I
F
- 正向电流 - 毫安
1.6
1.4
相对发光强度
(归一20毫安)
25
橙
20
铝镓砷
红
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
15
HER
绿色
10
5
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
F
- 正向电压 - V
0
5
10
15
20
25
I
DC
- 正向直流电流 - 毫安
图2.正向电流与正向电压。
图3.相对发光强度与正向直流
电流。
40
35
I
F
- 正向电流 - 毫安
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度 -
°C
图4.最大直流电流与环境
温度。
10°
20°
30°
0°
1.0
50°
.6
60°
.4
70°
.2
80°
90°
10° 20° 30° 40° 50° 60° 70° 80° 90° 100°
角
图5.强度与角度。
1-216
归一化强度
40°
.8