HSMBJSAC5.0通HSMBJSAC50
500 WATT低电容
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
描述
该HSMBJSAC吨
ransient电压抑制器（ TVS）系列的额定功率为500
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
瓦提供了一个额外的整流元件，如图4以实现
在数据或信号线应用的低电容。低电容
小于30 pF的评级可被用于保护更高频率
在电感式开关的环境或电气系统中的应用
涉及每IEC61000-4-5二次雷电影响以及
RTCA / DO- 160D或ARINC- 429机载航空电子设备。如果双向
需要保护， 2 HSMBJSAC器件反并联配置
需要如图6由于其非常快的响应时间，它们
还提供了对于每IEC61000-4-2和IEC61000-4-4 ESD和EFT保护
分别。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
DO-214AA
见包笔记
特点
单向低电容TVS系列（用于
双向见图6）
瞬态抑制高达500瓦峰值脉冲
功率@ 10/1000微秒
在30 pF的低电容性能改进
经济型小塑料表面贴装强劲
轴组件包
按照MIL- PRF-筛选选项
19500为JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS是
也可以通过添加MQ ， MX ， MV ，或MSP
前缀分别零件编号，例如
MXSAC5.0 ， MVSAC18等。
也可在表面SMAJ前缀安装
部件编号（例如， SMAJSAC5.0 ）
UL94V- 0可燃性分类
应用/优势
低电容数据线保护，以70兆赫
保护每架飞机选择快速数据传输速率线
在RTCA /电平波形DO- 160D & ARINC 429
每IEC61000-4-2 ESD和EFT保护
分别IEC61000-4-4
每IEC61000-4-5次级雷击保护，
42欧姆源阻抗：
第1类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC50
第2类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC45
第3类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC22
第四类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC10
每IEC61000-4-5次级雷击保护，
12欧姆阻抗源
第1类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC26
第2类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC15
第3类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC7.0
最大额定值
在25℃时的峰值脉冲功率耗散： 500瓦@
10/1000
s
为0.01 ％或更少的重复率*
o
稳态功耗*在T
L
= +75 C: 2.5
瓦。
锁模速度（ 0伏特至V
（ BR ）
分钟）不到5
纳秒。
工作和存储温度： -65℃至+ 150 ℃。
o
o
o
机械及包装
案例：虚空自由转会成型热固性塑料
（见DO - 214AA尺寸和注释）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和
引线焊
极性：负极（ TVS）标有带
标记：无HSMBJ前缀的部件号（即SAC5.0 ）
重量： 0.1克（约）
HSMBJSAC5.0通
HSMBJSAC50
* TVS器件通常不用于对直流功率耗散，并且代替操作< V
WM
（额定断态电压） ，除了瞬变
这短暂驱动设备进入雪崩击穿（V
BR
到V
C
TVS的元件的区域） 。还参见图5和6为进一步
保护细节额定峰值脉冲功率分别为单向和双向配置。
版权
2002
2003年11月24日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
HSMBJSAC5.0通HSMBJSAC50
500 WATT低电容
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
电气特性@ 25
o
C
Microsemi的
产品型号
反向
对峙
电压
（注1 ）
V
WM
伏
5.0
6.0
7.0
8.0
8.5
10
12
15
18
22
26
36
45
50
击穿
电压
@ I
（ BR ）
1.0mA
V
（ BR ）
伏
分钟。
7.60
7.90
8.33
8.89
9.44
11.10
13.30
16.70
20.00
24.40
28.90
40.0
50.00
55.50
最大最大
STANDBY钳位
电流电压
@V
WM
I
P
= 5.0A*
I
D
V
C
A
300
300
300
100
50
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
伏
10.0
11.2
12.6
13.4
14.0
16.3
19.0
23.6
28.8
35.4
42.3
60.0
77.0
88.0
最大
峰值脉冲
目前*
等级
I
PP
安培
44
41
38
36
34
29
25
20
15
14
11.1
8.6
6.8
5.8
电容
@ 伏
工作
逆
闭塞
电压
V
WIB
伏
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
150
150
逆
闭塞
泄漏
当前
@ V
WIB
I
IB
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
PEAK
逆
闭塞
电压
V
PIB
伏
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
200
200
HSMBJSAC5.0
HSMBJSAC6.0
HSMBJSAC7.0
HSMBJSAC8.0
HSMBJSAC8.5
HSMBJSAC10
HSMBJSAC12
HSMBJSAC15
HSMBJSAC18
HSMBJSAC22
HSMBJSAC26
HSMBJSAC36
HSMBJSAC45
HSMBJSAC50
pF
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
*请参阅图3
夹紧因素：
Ⅴ的数值的比率
C
到V
（ BR ）
通常是1.4 @全额定功率， 1.20 @ 50 ％额定功率。另请参阅MicroNote 108 。
注1 ：
瞬态电压抑制器，根据电压通常选择（Ⅴ
WM
） ，这应该是等于或大于直流或连续
峰值工作电压电平。
注2 ：
当脉冲测试，测试TVS雪崩方向。不要脉中的“前进”的方向发展。见节“原理应用”于此。
.
图的
HSMBJSAC5.0通
HSMBJSAC50
t
w
=脉冲宽度
s
图1
版权
2002
2003年11月24日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
HSMBJSAC5.0通HSMBJSAC50
500 WATT低电容
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
平均
动力
T
L
- 焊接温度 - C
o
I
PP
- 峰值脉冲电流 - ％I
PP
峰值功率
（单脉冲）
％额定功率
吨 - 时间 - 毫秒
图2
引线长度= 3/8
”
科幻gure 3
应用原理图
TVS的低电容装置结构示于图4中作为另外的选项为单向应用，一个额外的低
电容的整流二极管可以并联使用以相同的极性方向与TVS所示在图5中的应用，其中
随机的高电压瞬变发生，这样会防止反向瞬态损坏内部的低电容二极管整流，也
提供一种低电压导通的方向。所添加的整流二极管应该是相似的低电容，并且还具有更高的反向电压
等级比TVS钳位电压V
C
。请咨询厂家推荐整流部件号。如果使用两个（2）低电容TVS器件
在反并联于双向应用，这一附加的保护功能，在两个方向上（包括各整流二极管的反向）也是
提供的。在图5和图6的单向和双向配置都将结果在图4中的电容的两倍。
包
尺寸
图4
TVS内部低
容二极管
图5
可选单向
配置（ TVS和
独立的整流二极管）
并行）
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
HSMBJSAC5.0通
HSMBJSAC50
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.073
.160
.130
.205
.075
.030
.006
.087
.180
.155
.220
.130
.060
.016
1.85
4.06
3.30
5.21
1.91
.76
.15
2.21
4.57
3.94
5.59
3.30
1.52
.41
图6
可选双向
在配置（两台电视设备
反平行）
版权
2002
2003年11月24日REV A
注：尺寸E超过
高度JEDEC外形如图所示
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
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500 WATT低电容
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
描述
该HSMBJSAC吨
ransient电压抑制器（ TVS）系列的额定功率为500
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
瓦提供了一个额外的整流元件，如图4以实现
在数据或信号线应用的低电容。低电容
小于30 pF的评级可被用于保护更高频率
在电感式开关的环境或电气系统中的应用
涉及每IEC61000-4-5二次雷电影响以及
RTCA / DO- 160D或ARINC- 429机载航空电子设备。如果双向
需要保护， 2 HSMBJSAC器件反并联配置
需要如图6由于其非常快的响应时间，它们
还提供了对于每IEC61000-4-2和IEC61000-4-4 ESD和EFT保护
分别。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
DO-214AA
见包笔记
特点
单向低电容TVS系列（用于
双向见图6）
瞬态抑制高达500瓦峰值脉冲
功率@ 10/1000微秒
在30 pF的低电容性能改进
经济型小塑料表面贴装强劲
轴组件包
按照MIL- PRF-筛选选项
19500为JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS是
也可以通过添加MQ ， MX ， MV ，或MSP
前缀分别零件编号，例如
MXSAC5.0 ， MVSAC18等。
也可在表面SMAJ前缀安装
部件编号（例如， SMAJSAC5.0 ）
UL94V- 0可燃性分类
应用/优势
低电容数据线保护，以70兆赫
保护每架飞机选择快速数据传输速率线
在RTCA /电平波形DO- 160D & ARINC 429
每IEC61000-4-2 ESD和EFT保护
分别IEC61000-4-4
每IEC61000-4-5次级雷击保护，
42欧姆源阻抗：
第1类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC50
第2类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC45
第3类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC22
第四类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC10
每IEC61000-4-5次级雷击保护，
12欧姆阻抗源
第1类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC26
第2类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC15
第3类： HSMBJSAC5.0到HSMBJSAC7.0
最大额定值
在25℃时的峰值脉冲功率耗散： 500瓦@
10/1000
s
为0.01 ％或更少的重复率*
o
稳态功耗*在T
L
= +75 C: 2.5
瓦。
锁模速度（ 0伏特至V
（ BR ）
分钟）不到5
纳秒。
工作和存储温度： -65℃至+ 150 ℃。
o
o
o
机械及包装
案例：虚空自由转会成型热固性塑料
（见DO - 214AA尺寸和注释）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和
引线焊
极性：负极（ TVS）标有带
标记：无HSMBJ前缀的部件号（即SAC5.0 ）
重量： 0.1克（约）
HSMBJSAC5.0通
HSMBJSAC50
* TVS器件通常不用于对直流功率耗散，并且代替操作< V
WM
（额定断态电压） ，除了瞬变
这短暂驱动设备进入雪崩击穿（V
BR
到V
C
TVS的元件的区域） 。还参见图5和6为进一步
保护细节额定峰值脉冲功率分别为单向和双向配置。
版权
2002
2003年11月24日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
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500 WATT低电容
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
电气特性@ 25
o
C
Microsemi的
产品型号
反向
对峙
电压
（注1 ）
V
WM
伏
5.0
6.0
7.0
8.0
8.5
10
12
15
18
22
26
36
45
50
击穿
电压
@ I
（ BR ）
1.0mA
V
（ BR ）
伏
分钟。
7.60
7.90
8.33
8.89
9.44
11.10
13.30
16.70
20.00
24.40
28.90
40.0
50.00
55.50
最大最大
STANDBY钳位
电流电压
@V
WM
I
P
= 5.0A*
I
D
V
C
A
300
300
300
100
50
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
伏
10.0
11.2
12.6
13.4
14.0
16.3
19.0
23.6
28.8
35.4
42.3
60.0
77.0
88.0
最大
峰值脉冲
目前*
等级
I
PP
安培
44
41
38
36
34
29
25
20
15
14
11.1
8.6
6.8
5.8
电容
@ 伏
工作
逆
闭塞
电压
V
WIB
伏
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
150
150
逆
闭塞
泄漏
当前
@ V
WIB
I
IB
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
PEAK
逆
闭塞
电压
V
PIB
伏
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
200
200
HSMBJSAC5.0
HSMBJSAC6.0
HSMBJSAC7.0
HSMBJSAC8.0
HSMBJSAC8.5
HSMBJSAC10
HSMBJSAC12
HSMBJSAC15
HSMBJSAC18
HSMBJSAC22
HSMBJSAC26
HSMBJSAC36
HSMBJSAC45
HSMBJSAC50
pF
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
*请参阅图3
夹紧因素：
Ⅴ的数值的比率
C
到V
（ BR ）
通常是1.4 @全额定功率， 1.20 @ 50 ％额定功率。另请参阅MicroNote 108 。
注1 ：
瞬态电压抑制器，根据电压通常选择（Ⅴ
WM
） ，这应该是等于或大于直流或连续
峰值工作电压电平。
注2 ：
当脉冲测试，测试TVS雪崩方向。不要脉中的“前进”的方向发展。见节“原理应用”于此。
.
图的
HSMBJSAC5.0通
HSMBJSAC50
t
w
=脉冲宽度
s
图1
版权
2002
2003年11月24日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
HSMBJSAC5.0通HSMBJSAC50
500 WATT低电容
瞬态电压抑制器
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
平均
动力
T
L
- 焊接温度 - C
o
I
PP
- 峰值脉冲电流 - ％I
PP
峰值功率
（单脉冲）
％额定功率
吨 - 时间 - 毫秒
图2
引线长度= 3/8
”
科幻gure 3
应用原理图
TVS的低电容装置结构示于图4中作为另外的选项为单向应用，一个额外的低
电容的整流二极管可以并联使用以相同的极性方向与TVS所示在图5中的应用，其中
随机的高电压瞬变发生，这样会防止反向瞬态损坏内部的低电容二极管整流，也
提供一种低电压导通的方向。所添加的整流二极管应该是相似的低电容，并且还具有更高的反向电压
等级比TVS钳位电压V
C
。请咨询厂家推荐整流部件号。如果使用两个（2）低电容TVS器件
在反并联于双向应用，这一附加的保护功能，在两个方向上（包括各整流二极管的反向）也是
提供的。在图5和图6的单向和双向配置都将结果在图4中的电容的两倍。
包
尺寸
图4
TVS内部低
容二极管
图5
可选单向
配置（ TVS和
独立的整流二极管）
并行）
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
HSMBJSAC5.0通
HSMBJSAC50
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.073
.160
.130
.205
.075
.030
.006
.087
.180
.155
.220
.130
.060
.016
1.85
4.06
3.30
5.21
1.91
.76
.15
2.21
4.57
3.94
5.59
3.30
1.52
.41
图6
可选双向
在配置（两台电视设备
反平行）
版权
2002
2003年11月24日REV A
注：尺寸E超过
高度JEDEC外形如图所示
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
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