添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第865页 > HSK2474I
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号:初步数据
发行日期: 1999年11月1日
修订日期: 2000年11月1日
页页次: 1/5
HSK2474I
N - 沟道MOSFET
描述
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
表面贴装
Straigh铅
可在Tape&Reel
快速开关
易于并联的
特点
低漏源导通电阻 - R的
DS ( ON)
= 1.2Ω (典型值) @ V
DS
= 10V ,我
D
=1.3A
高正向转移导纳-|Yfs|=1.2S@V
DS
= 50V ,我
D
=1.3A
低漏电流 - 我
DSS
=为100uA (最大值) @ V
DS
=200V
增强模式 - V
th
= 2.0~4.0V@V
DS
= 4V ,我
D
=250uA
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 + 150
°C
结温................................................ .................................................. .. 150
°C
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................ 25瓦
最大电压和电流
漏极至源极击穿电压............................................. .................................... 250 V
漏极至栅极击穿电压............................................. ........................................ 250 V
门源Voltage....................................................................................................
±
20 V
漏电流(续) ......................................................................................................... 2.2
漏电流(Pluse.)........................................................................................................ 8.8
热特性
特征
结到外壳
结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
马克斯。
5
50
单位
° C / W
° C / W
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
电气特性
(Ta=25°C)
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
排水截止电流
栅极漏电流
正向跨导
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极电荷(米勒)
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
T
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
分钟。
250
2.0
-
-
0.80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
1.2
1.2
280
30
42
45
30
45
135
-
-
-
马克斯。
-
4.0
25
±100
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
8.2
1.8
4.5
单位
V
V
uA
uA
pF
pF
pF
nS
规格。编号:初步数据
发行日期: 1999年11月1日
修订日期: 2000年11月1日
页页次: 2/5
测试条件
I
D
=250uA
V
DS
= 4V ,我
D
=250uA
V
DS
=200V
V
GS
=±20V
V
DS
=50V,I
D
=1.3A
V
GS
= 10V ,我
D
=1.3A
V
DS
=10V, V
GS
=0V
f=1.0MHz
V
DD
= 100V ,我
D
=1.0A
R
G
=24, R
D
=45
nC
nC
nC
I
D
= 2.7A ,V
DS
=200V
V
GS
=10V
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
特性曲线
在区域特征
7
V
GS
=10V
6
ID ,漏源电流(A )
5
V
GS
=6V
4
3
2
V
GS
=4V
1
V
GS
=2V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
VDS ,漏源电压( V)
8
9
10
0.95
20
40
V
GS
=8V
BVDSS ,归漏源
击穿电压
1.13
1.11
1.09
1.07
1.05
1.03
1.01
0.99
0.97
1.15
规格。编号:初步数据
发行日期: 1999年11月1日
修订日期: 2000年11月1日
页页次: 3/5
击穿电压随温度的变化
60
80
TC ,外壳温度( ° C)
100
导通电阻随温度的变化
2.5
V
GS
=10V
RDS ( ON) ,漏源导通电阻
(欧姆)
RDS ( ON) ,漏源导通电阻
(欧姆)
2.3
2.1
1.9
I
D
=1.3A
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
25
35
45
55
65
75
85
95
TC ,外壳温度( ° C)
105
115
125
2.0
1.8
典型导通电阻&漏电流
V
GS
=6V
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
ID ,漏源电流(A )
8
9
10
V
GS
=10V
跨导变化与漏电流
&温度
5
V
DS
=10V
政府飞行服务队,跨导( S)
ID ,漏源电流(A )
4
Tc=25°C
3
Tc=100°C
2
4
5
漏电流的变化与栅极电压&
温度
V
DS
=10V
TC=100°C
3
Tc=25°C
2
1
1
0
0
1
2
3
4
5
6
ID ,漏源电流(A )
7
8
0
0
1
2
3
4
5
6
VGS ,门源Votltage ( V)
7
8
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号:初步数据
发行日期: 1999年11月1日
修订日期: 2000年11月1日
页页次: 4/5
导通电阻(温度)
2.5
V
GS
=10V
RDS ( ON) ,归漏源导
阻抗(欧姆)
2.0
正,反转漏电流( A)
Tc=100°C
1.5
Tc=25
°
C
1.0
10
9
体二极管正向电压的变化与
当前&温度
Tc=100
°
C
8
7
6
5
4
3
2
1
Tc=25
°
C
0.5
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
ID ,漏源电流(A )
8
9
10
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
室间隔缺损,体二极管正向电压( V)
电容特征的比较
1000
西塞
电容(pF)
100
科斯
CRSS
10
1
0.1
1
10
VDS ,漏极 - 源极电压( V)
100
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
TO- 251外形尺寸
标记:
HSMC标志
规格。编号:初步数据
发行日期: 1999年11月1日
修订日期: 2000年11月1日
页页次: 5/5
A
B
C
D
产品系列
产品型号
日期代码
墨迹
F
3
I
E
K
2
1
G
类型:Pin 1.Gate 2.Drain 3.Source
H
J
3引脚TO- 251塑料包装
HSMC包装代码:我
* :典型
暗淡
A
B
C
D
E
F
英寸
分钟。
马克斯。
0.0177 0.0217
0.0354 0.0591
0.0177 0.0236
0.0866 0.0945
0.2520 0.2677
0.2677 0.2835
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.45
0.55
0.90
1.50
0.45
0.60
2.20
2.40
6.40
6.80
6.80
7.20
暗淡
G
H
I
J
K
英寸
分钟。
马克斯。
0.2559
-
-
*0.1811
-
0.0354
-
0.0315
0.2047 0.2165
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
6.50
-
-
*4.60
-
0.90
-
0.80
5.20
5.50
注意事项:
1.Dimension和容忍的基础上我们的规格。 2003年5月。 24,1995 。
2.Controlling尺寸:毫米。
3.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
4.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问,请联系您当地的HSMC销售办事处。
材质:
导语: 42合金;镀锡
模塑料:环氧树脂系列,可燃性固体燃烧等级: UL94V- 0
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不HSMC的事先书面批准。
HSMC保留随时修改其产品,恕不另行通知。
HSMC半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
HSMC自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
总公司
(高诚微电子公司) : 10F ,没有。 61 ,秒。 2 ,中山北路。台北台湾中华民国
联系电话: 886-2-25212056传真: 886-2-25632712 , 25368454
工厂1 :
38号,光复南路,福寇新竹工业园区新竹台。 R.O.C
电话: 886-3-5983621 5传真: 886-3-5982931
工厂2 :
17-1号,大安洞路,福寇新竹工业园区新竹台。 R.O.C
电话: 886-3-5977061传真: 886-3-5979220
HSMC产品规格
查看更多HSK2474IPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HSK2474I
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HSK2474I
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8840
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多HSK2474I供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!