HSG2001
硅锗NPN外延
高频中等功率放大器
REJ03G0168-0200Z
Rev.2.00
Apr.20.2004
特点
高转换频率
f
T
= 20 GHz的典型值。
低失真和卓越的线性度
IP3在输出= +30 dBm的典型值，在的P1dB输出= +19 dBm的典型值。 F = 1.8 GHz的
高集电极到发射极电压
V
首席执行官
= 5 V
非常适用于2 GHz频带应用。例如2.4GHz的WLAN ，数字无绳电话。
概要
CMPAK-4
2
3
1
4
1.发射器
2.收集
3.辐射源
4.基地
注意：
标记为“ VF- ” 。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
Tj
TSTG
评级
13
5
1.5
100
450
记
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注：数值上板（ FR-4 ： 20 ×20× 1.0毫米双面）
Rev.2.00 ， Apr.20.2004 ，页24 1
HSG2001
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
直流电流传输比
集电极输出电容
反向传输
电容
跃迁频率
跃迁频率
最大可用增益
功率增益
噪声系数
噪声系数
1dB压缩点
产量
1dB压缩点
产量
符号
h
FE
C
ob
C
re
f
T
f
T
MAG
PG
NF
NF
P1dB
P1dB
民
100
15
10
典型值
150
0.95
0.5
21
18
15
12
0.9
1.1
+19
+20
+30
+31
+23
+23
最大
200
1.2
单位
pF
pF
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
测试条件
V
CE
= 2 V，I
C
= 50毫安
V
CB
= 2 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CB
= 2 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
发射极接地
V
CE
= 3 V，I
C
= 60 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 40 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 40 mA时， F = 1.8千兆赫，
V
CE
= 3 V，I
Cq
= 40 mA时， F = 1.8千兆赫，
Pin=+7dBm
V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 1.8 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2.4 GHz的
V
CE
= 3 V，I
Cq
= 40 mA时， F = 1.8 GHz的
V
CE
= 3.6 V，I
Cq
= 40毫安，
F = 2.4 GHz的
V
CE
= 3 V，I
Cq
= 40毫安，
F = 1.8千兆赫，
f
= 1兆赫
V
CE
= 3.6 V，I
Cq
= 40毫安，
F = 2.4千兆赫，
f
= 1兆赫
V
CE
= 3 V，I
Cq
= 40毫安
F = 1.8千兆赫，引脚= +18 dBm的
V
CE
= 3.6 V，I
Cq
= 40毫安
F = 2.4千兆赫，引脚= +18 dBm的
三阶截点OIP3处
产量
三阶截点OIP3处
产量
饱和输出功率
宝（ SAT ）
饱和输出功率
宝（ SAT ）
Rev.2.00 ， Apr.20.2004 ， 24个2页
HSG2001
主要特点
集电极耗散功率曲线
集电极耗散功率电脑* （MW ）
典型的输出特性
100
I
C
（MA ）
500
* FR - 4（2 ×2× 1毫米）
在PCB
400
300
80
60
550
A
450
A
350
A
集电极电流
200
100
40
250
A
150
A
20
I
B
=
50
A
0
50
100
150
200
环境温度T
a
(°C)
典型的传输特性
0
1
2
3
集电极到发射极电压
4
5
V
CE
(V)
50
I
C
（MA ）
250
V
CE
= 2 V
h
FE
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
V
CE
= 2 V
40
集电极电流
30
直流电流传输比
200
150
100
20
10
50
0
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基地发射极电压
V
BE
(V)
10
集电极电流
100
I
C
（MA ）
1.5
I
E
= 0
F = 1 MHz的
反向传输电容C
re
（PF ）
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
集电极输出电容C
ob
（PF ）
反向传输电容主场迎战
集电极 - 基极电压
1.0
I
E
= 0
F = 1 MHz的
0.8
0.6
1.0
0.4
0.5
0.2
0
1
2
3
4
集电极基极电压V
CB
(V)
0
1
2
3
4
集电极基极电压V
CB
(V)
Rev.2.00 ， Apr.20.2004 ， 24 3页
HSG2001
过渡频率对
集电极电流
25
过渡频率f
T
（千兆赫）
F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V
20
2V
1V
S
21
参数，最大可用增益，
最大稳定增益与频率的关系
50
V
CE
= 3 V
I = 40毫安
40
C
G（ dB）的
味精
15
30
收益
10
5
0
1
20
|S
21
|
2
MAG
10
0
0.1
2
5
10
20
50
100
0.2
集电极电流
I
C
（MA ）
0.5
1
2
频率f（ GHz）的
5
10
最大稳定增益MSG（ dB）的
最高可用增益MAG （分贝）
最大可用增益，最大稳定增益
与集电极电流
25
V
CE
= 3 V
F = 1GHz的
NF（ dB）的
噪声系数与集电极电流
2.5
V
CE
= 3 V
2.0
20
1.8 GHz的
15
10
2GHz
2.4GHz
3GHz
4GHz
1.5
F = 2.4 GHz的
1.0
F = 1.8 GHz的
0.5
5
0
0
20
40
60
80
集电极电流I
C
（MA ）
100
噪声系数
0
5
10 15 20 25 30
集电极电流I
C
（MA ）
35
3 。阶截取点（ IP3 ）
30
P
OUT
（ dBm的）
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
-40
V
CE
= 3 V
ICQ = 40毫安
F = 1.8GHz的
基本
(1tone)
输出功率
IMD3
（ 2TONE ： ΔF = 1MHz的）
-30
-20
-10
0
10
20
输入功率
P
in
（ dBm的）
Rev.2.00 ， Apr.20.2004 ， 24第4页
HSG2001
S
11
参数与频率的关系
.8
.6
.4
3
.2
4
5
10
0
.2
.4
.6 .8 1
1.5 2
3 45
10
-10
-.2
-3
-.4
-.6
-.8
-1.5
-2
-120°
-90°
-60°
-1
-5
-4
180°
0°
150°
30°
1
1.5
2
S
21
参数与频率的关系
规模： 12 /格。
90°
120°
60°
-150°
-30°
条件： V
CE
= 3 V，I
C
= 40毫安，Z
O
= 50
100至1000兆赫（100兆赫步骤）
1000 4000兆赫（ 200兆赫工序）
条件： V
CE
= 3 V，I
C
= 40毫安，Z
O
= 50
100至1000兆赫（100兆赫步骤）
1000 4000兆赫（ 200兆赫工序）
S
12
参数与频率的关系
规模： 0.03 / DIV 。
90°
120°
60°
.4
S
22
参数与频率的关系
.8
.6
1
1.5
2
3
150°
30°
.2
4
5
10
180°
0°
0
.2
.4
.6 .8 1
1.5 2
3 45
10
-10
-.2
-150°
-30°
-3
-.4
-120°
-90°
-60°
-.6
-.8
-1.5
-2
-1
-5
-4
条件： V
CE
= 3 V，I
C
= 40毫安，Z
O
= 50
100至1000兆赫（100兆赫步骤）
1000 4000兆赫（ 200兆赫工序）
条件： V
CE
= 3 V，I
C
= 40毫安，Z
O
= 50
100至1000兆赫（100兆赫步骤）
1000 4000兆赫（ 200兆赫工序）
Rev.2.00 ， Apr.20.2004 ， 24个5页
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