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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第995页 > HSCH-5331
梁式引线肖特基二极管
混频器和检测器
(1 - 26千兆赫)
技术参数
HSCH -5300系列
特点
铂金三金属系统
高温度稳定性
氮化硅钝化
稳定,可靠的性能
低噪声系数
保证7.5分贝在26 GHz的
高均匀性
严格控制工艺
确保统一RF
特征
坚固的结构
4克,最小引拔
低电容
0.10 pF的最大值。在0 V
聚酰亚胺划伤保护
07大纲
阴极
130 (5)
100 (4)
镀金导线
135 (5)
90 (3)
135 (5)
90 (3)
225 (9)
200 (8)
310 (12)
250 (10)
225 (9)
170 (7)
12 (.5)
8 (.3)
30 MIN (1)
描述
这些梁式引线二极管
使用金属 - 构建
半导体的肖特基势垒
结。先进的外延
技术和精确的过程
控制保证一致性和
这个平面的可重复性
钝化微波semicon-
导体。氮化物钝化层
提供了从免疫
其中的污染物可能
否则会导致我
R
漂移。
安捷伦束铅工艺
允许大型锚梁垫
为坚固的结构(典型
6克拉力强度)无
有辱人格的电容。
710 (28)
670 (26)
玻璃
60 (2)
40 (1)
尺寸
m
( 1/1000英寸)
最大额定值
脉冲电源事件在T
A
= 25°C .............................................. ............ 1 W
脉冲宽度= 1
s,
杜= 0.001
CW功率消耗在T
A
= 25°C .............................................. .. 150毫瓦
测量线性降额无限的散热器
到零,在最大额定温度
T
OPR
- 工作温度范围...............................- 65 ° C至+175
°C
T
英镑
- 存储温度范围....................................- 65 ° C至+ 200℃
最小引线强度........................................ 4克拉任何铅
二极管安装温度............................... + 350℃ ,持续10秒。最大。
这些二极管是ESD敏感。小心轻放,避免静电
通过二极管放电。
2
应用
梁式引线二极管是理想
适合于使用在带状线或
微带电路。其小
物理尺寸和均匀的维度
sions给它的低寄生效应和
可重复的RF特性
通过K波段。
基本培养基屏障设备
该系列是DC测试
HSCH - 5310 , -5312 ,和-5316 。一
批量匹配的版本可用
作为HSCH - 5317 。等效低
屏障设备HSCH -5330 ,
-5332和-5336 。批量匹配
版本都可以作为
HSCH - 5331和-5333 。
对于需要应用
保证RF测试perform-
ANCE高达26 GHz时, HSCH -5340
选择与搭配一批单位
可作为HSCH - 5341 。该
HSCH - 5318被选择为6.2分贝
最大噪声系数
9.375 GHz的;射频批次比赛
可作为HSCH - 5319单位。
该HSCH - 5314的额定功率为7.2分贝
最大噪声系数为16 GHz的
射频一批单位匹配
可作为HSCH - 5315 。
组装技术
热压接合是
推荐使用。焊接或
导电的环氧树脂也可以是
使用。有关其他信息
请参见应用笔记979 “的
处理和梁粘接
导致设备一点通“,或
应用笔记993 , “梁导
设备绑定到软
底物。 “
表IA 。电气规格RF在T测试二极管
A
= 25
°
C
部分
HSCH-
5318
5314
5340
TEST
条件
批*
MATCHED
HSCH-
5319
5315
5341
ΔNF ≤
0.3分贝
Z
IF
25
马克斯。
噪音
科幻gure
NF( dB)的
6.2
9.375 GHz的
7.2以
16 GHz的
7.5以
26 GHz的
150
350
1.5:1
4
I
R
10
A
I
F
阻抗
Z
IF
()
分钟。马克斯。
200
400
马克斯。
SWR
1.5:1
分钟。
突破性
电压
V
BR
(V)
4
马克斯。
动态
电阻
tance
R
D
()
12
16
20
I
F
= 5毫安
马克斯。
电容
tance
C
T
(PF )
0.25
0.15
0.10
V
R
= 0 V
F = 1 MHz的
375
I
F
= 1毫安
400
V
R
= 1 V
马克斯。
前锋
电压
V (MV )
F
500
马克斯。
泄漏
当前
I
R
( nA的)
100
屏障
DC负载电阻 - 0
LO功率为1毫瓦
I
F
= 30 MHz时, 1.5分贝NF
*最小批量20个单位。
注意:
1. C
T
= C
J
+ 0.02 pF的(边盖) 。
3
表IB 。电气规格为DC测试二极管在T
A
= 25
°
C
部分
HSCH-
5316
5312
5310
5336
5332
5330
TEST
条件
批*
MATCHED
HSCH-
5317
最低
击穿
电压
V
BR
(V)
4
最大
动态
阻力
R
D
()
12
16
20
12
16
20
I
F
= 5毫安
最大
电容
C
T
(PF )
0.25
0.15
0.10
0.25
0.15
0.10
V =0V
R
F = 1 MHz的
最大
前锋
电压
V
F
(毫伏)
500
最大
泄漏
当前
I
R
( nA的)
100
屏障
5333
5331
V
F
15毫伏
@ 5毫安
4
375
400
I
R
10
A
I
F
= 1毫安
V
R
= 1 V
*最小批量20个单位。
典型探测器特性在T
A
= 25
°
C
中阻隔,低阻隔( DC偏置)
参数
切向灵敏度
电压灵敏度
视频阻力
符号
TSS
γ
R
V
典型的价值
-54
6.6
1400
单位
DBM
毫伏/ μW
测试条件
20
A
偏置,R
L
= 100 K
视频带宽= 2 MHz的
F = 10 GHz的
低门槛(零偏)
参数
切向灵敏度
电压灵敏度
视频阻力
符号
TSS
γ
R
V
典型的价值
-44
10
1.8
单位
DBM
毫伏/ μW
M
测试条件
零偏置,R
L
= 10 M
视频带宽= 2 MHz的
F = 10 GHz的
SPICE参数
HSCH - 5316 HSCH - 5312
参数单位HSCH - 5318 HSCH - 5314
B
V
C
J0
E
G
I
BV
I
S
N
R
S
P
B
P
T
M
V
pF
eV
A
A
V
5
0.2
0.69
10E - 5
3× 10E - 10
1.08
5
0.65
2
0.5
5
0.13
0.69
10E - 5
3× 10E - 10
1.08
9
0.65
2
0.5
HSCH-5330
HSCH - 5310 HSCH - 5340 HSCH - 5332 HSCH - 5336
5
0.09
0.69
10E - 5
3× 10E - 10
1.08
13
0.65
2
0.5
5
0.09
0.69
10E - 5
4× 10E - 10
1.08
13
0.5
2
0.5
5
0.13
0.69
10E - 5
4× 10E - 8
1.08
9
0.5
2
0.5
5
0.20
0.69
10E-5
4× 10E - 8
1.08
6
0.5
2
0.5
4
典型参数
100
正向电流(mA )
正向电流(mA )
+125°C
+25°C
-55°C
100
+125°C
+25°C
-55°C
7.5
噪声系数(dB )
10
10
7.0
0.1 pF的
6.5
0.15 pF的
6.0
0.25 pF的
5.5
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
5.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
2
4
正向电压( V)
正向电压( V)
8
12
16 20
9.375
频率(GHz )
24
26
28
图1.典型正向
特性中等屏障
梁式引线二极管。 HSCH - 5310系列。
图2.典型正向
特征为低壁垒梁
引线二极管。 HSCH - 5330 , -5340系列。
图3.典型噪声系数对比
频率。
1.0
1.0
0.
2.0
18
10
20
A
50
A
20
10
150
A
26 GHz的
1.0
2.0
2.0
3.
0
5.
.0
10
3.
0
0.2
26 GHz的
5.
0
.0
0.2
0.2
0.5
2
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
10.0
.0
10
0.
5
5
2.0
图4.典型导纳特性与1毫安自
偏见。 HSCH - 5340和-5341 。
1.0
图5.典型导纳特性与外部
偏见。 HSCH - 5340和-5341 。
1.0
2.0
0.
5.
0
3.
0
5.
0
0.2
0.2
10
10.0
.0
3.0
5.0
2
0
3.
0
5
0.
5
5
0.2
1毫安
1.5毫安
3毫安
18 GHz的
10
3.
0
5.
0
.0
0.2
10
0
5.
.0
10
10
0.2
0.5
1.0
2.0
.
10
0.
5
0.
5
2.0
1.0
图6.典型导纳物特性的自偏压。
HSCH - 5314和-5315 。
图7.典型特征准入与外部
偏见。 HSCH - 5314和-5315 。
0.2
12 GHz的
1毫安
1.5毫安
3毫安
0
3.
0
5.
0.2
6
5.
0
.0
10
2
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
.0
10
2
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
0
10.0
3.
.
10
0
2.0
20
A
50
A
150
A
12 GHz的
1.0
1.0
2.0
1.0
2.0
2.0
0.
5
1.0
2.0
0.
5
图8.典型的准入特性的自偏压。
HSCH - 5318和-5319 。
图9.典型导纳特性与外部
偏见。 HSCH - 5318和-5319 。
模型的每一个梁式引线肖特基二极管
HSCH - 5340 , -5341
1毫安自偏压
0.03 pF的
0.1 nH的
11
0.04 nH的
267
0.11 pF的
1.0
5.
0
3.
0
5.
0
0.2
0.2
.
10
0
10.0
5.
0
3.
0
5.
0
0.2
0.2
10
10.0
.0
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
0
10.0
3.0
3.
3.
0
5.0
5.0
2
2
3.
0
20
A
50
A
150
A
18 GHz的
1.0
1.0
5
0.
2.0
2.0
0
0.
5
0.
5
0.
5
梁式引线肖特基二极管
混频器和检测器
(1 - 26千兆赫)
技术参数
HSCH -5300系列
特点
铂金三金属系统
高温度稳定性
氮化硅钝化
稳定,可靠的性能
低噪声系数
保证7.5分贝在26 GHz的
高均匀性
严格控制工艺
确保统一RF
特征
坚固的结构
4克,最小引拔
低电容
0.10 pF的最大值。在0 V
聚酰亚胺划伤保护
07大纲
阴极
130 (5)
100 (4)
镀金导线
135 (5)
90 (3)
135 (5)
90 (3)
225 (9)
200 (8)
310 (12)
250 (10)
225 (9)
170 (7)
12 (.5)
8 (.3)
30 MIN (1)
描述
这些梁式引线二极管
使用金属 - 构建
半导体的肖特基势垒
结。先进的外延
技术和精确的过程
控制保证一致性和
这个平面的可重复性
钝化微波semicon-
导体。氮化物钝化层
提供了从免疫
其中的污染物可能
否则会导致我
R
漂移。
安捷伦束铅工艺
允许大型锚梁垫
为坚固的结构(典型
6克拉力强度)无
有辱人格的电容。
710 (28)
670 (26)
玻璃
60 (2)
40 (1)
尺寸
m
( 1/1000英寸)
最大额定值
脉冲电源事件在T
A
= 25°C .............................................. ............ 1 W
脉冲宽度= 1
s,
杜= 0.001
CW功率消耗在T
A
= 25°C .............................................. .. 150毫瓦
测量线性降额无限的散热器
到零,在最大额定温度
T
OPR
- 工作温度范围...............................- 65 ° C至+175
°C
T
英镑
- 存储温度范围....................................- 65 ° C至+ 200℃
最小引线强度........................................ 4克拉任何铅
二极管安装温度............................... + 350℃ ,持续10秒。最大。
这些二极管是ESD敏感。小心轻放,避免静电
通过二极管放电。
2
应用
梁式引线二极管是理想
适合于使用在带状线或
微带电路。其小
物理尺寸和均匀的维度
sions给它的低寄生效应和
可重复的RF特性
通过K波段。
基本培养基屏障设备
该系列是DC测试
HSCH - 5310 , -5312 ,和-5316 。一
批量匹配的版本可用
作为HSCH - 5317 。等效低
屏障设备HSCH -5330 ,
-5332和-5336 。批量匹配
版本都可以作为
HSCH - 5331和-5333 。
对于需要应用
保证RF测试perform-
ANCE高达26 GHz时, HSCH -5340
选择与搭配一批单位
可作为HSCH - 5341 。该
HSCH - 5318被选择为6.2分贝
最大噪声系数
9.375 GHz的;射频批次比赛
可作为HSCH - 5319单位。
该HSCH - 5314的额定功率为7.2分贝
最大噪声系数为16 GHz的
射频一批单位匹配
可作为HSCH - 5315 。
组装技术
热压接合是
推荐使用。焊接或
导电的环氧树脂也可以是
使用。有关其他信息
请参见应用笔记979 “的
处理和梁粘接
导致设备一点通“,或
应用笔记993 , “梁导
设备绑定到软
底物。 “
表IA 。电气规格RF在T测试二极管
A
= 25
°
C
部分
HSCH-
5318
5314
5340
TEST
条件
批*
MATCHED
HSCH-
5319
5315
5341
ΔNF ≤
0.3分贝
Z
IF
25
马克斯。
噪音
科幻gure
NF( dB)的
6.2
9.375 GHz的
7.2以
16 GHz的
7.5以
26 GHz的
150
350
1.5:1
4
I
R
10
A
I
F
阻抗
Z
IF
()
分钟。马克斯。
200
400
马克斯。
SWR
1.5:1
分钟。
突破性
电压
V
BR
(V)
4
马克斯。
动态
电阻
tance
R
D
()
12
16
20
I
F
= 5毫安
马克斯。
电容
tance
C
T
(PF )
0.25
0.15
0.10
V
R
= 0 V
F = 1 MHz的
375
I
F
= 1毫安
400
V
R
= 1 V
马克斯。
前锋
电压
V (MV )
F
500
马克斯。
泄漏
当前
I
R
( nA的)
100
屏障
DC负载电阻 - 0
LO功率为1毫瓦
I
F
= 30 MHz时, 1.5分贝NF
*最小批量20个单位。
注意:
1. C
T
= C
J
+ 0.02 pF的(边盖) 。
3
表IB 。电气规格为DC测试二极管在T
A
= 25
°
C
部分
HSCH-
5316
5312
5310
5336
5332
5330
TEST
条件
批*
MATCHED
HSCH-
5317
最低
击穿
电压
V
BR
(V)
4
最大
动态
阻力
R
D
()
12
16
20
12
16
20
I
F
= 5毫安
最大
电容
C
T
(PF )
0.25
0.15
0.10
0.25
0.15
0.10
V =0V
R
F = 1 MHz的
最大
前锋
电压
V
F
(毫伏)
500
最大
泄漏
当前
I
R
( nA的)
100
屏障
5333
5331
V
F
15毫伏
@ 5毫安
4
375
400
I
R
10
A
I
F
= 1毫安
V
R
= 1 V
*最小批量20个单位。
典型探测器特性在T
A
= 25
°
C
中阻隔,低阻隔( DC偏置)
参数
切向灵敏度
电压灵敏度
视频阻力
符号
TSS
γ
R
V
典型的价值
-54
6.6
1400
单位
DBM
毫伏/ μW
测试条件
20
A
偏置,R
L
= 100 K
视频带宽= 2 MHz的
F = 10 GHz的
低门槛(零偏)
参数
切向灵敏度
电压灵敏度
视频阻力
符号
TSS
γ
R
V
典型的价值
-44
10
1.8
单位
DBM
毫伏/ μW
M
测试条件
零偏置,R
L
= 10 M
视频带宽= 2 MHz的
F = 10 GHz的
SPICE参数
HSCH - 5316 HSCH - 5312
参数单位HSCH - 5318 HSCH - 5314
B
V
C
J0
E
G
I
BV
I
S
N
R
S
P
B
P
T
M
V
pF
eV
A
A
V
5
0.2
0.69
10E - 5
3× 10E - 10
1.08
5
0.65
2
0.5
5
0.13
0.69
10E - 5
3× 10E - 10
1.08
9
0.65
2
0.5
HSCH-5330
HSCH - 5310 HSCH - 5340 HSCH - 5332 HSCH - 5336
5
0.09
0.69
10E - 5
3× 10E - 10
1.08
13
0.65
2
0.5
5
0.09
0.69
10E - 5
4× 10E - 10
1.08
13
0.5
2
0.5
5
0.13
0.69
10E - 5
4× 10E - 8
1.08
9
0.5
2
0.5
5
0.20
0.69
10E-5
4× 10E - 8
1.08
6
0.5
2
0.5
4
典型参数
100
正向电流(mA )
正向电流(mA )
+125°C
+25°C
-55°C
100
+125°C
+25°C
-55°C
7.5
噪声系数(dB )
10
10
7.0
0.1 pF的
6.5
0.15 pF的
6.0
0.25 pF的
5.5
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
5.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
2
4
正向电压( V)
正向电压( V)
8
12
16 20
9.375
频率(GHz )
24
26
28
图1.典型正向
特性中等屏障
梁式引线二极管。 HSCH - 5310系列。
图2.典型正向
特征为低壁垒梁
引线二极管。 HSCH - 5330 , -5340系列。
图3.典型噪声系数对比
频率。
1.0
1.0
0.
2.0
18
10
20
A
50
A
20
10
150
A
26 GHz的
1.0
2.0
2.0
3.
0
5.
.0
10
3.
0
0.2
26 GHz的
5.
0
.0
0.2
0.2
0.5
2
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
10.0
.0
10
0.
5
5
2.0
图4.典型导纳特性与1毫安自
偏见。 HSCH - 5340和-5341 。
1.0
图5.典型导纳特性与外部
偏见。 HSCH - 5340和-5341 。
1.0
2.0
0.
5.
0
3.
0
5.
0
0.2
0.2
10
10.0
.0
3.0
5.0
2
0
3.
0
5
0.
5
5
0.2
1毫安
1.5毫安
3毫安
18 GHz的
10
3.
0
5.
0
.0
0.2
10
0
5.
.0
10
10
0.2
0.5
1.0
2.0
.
10
0.
5
0.
5
2.0
1.0
图6.典型导纳物特性的自偏压。
HSCH - 5314和-5315 。
图7.典型特征准入与外部
偏见。 HSCH - 5314和-5315 。
0.2
12 GHz的
1毫安
1.5毫安
3毫安
0
3.
0
5.
0.2
6
5.
0
.0
10
2
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
.0
10
2
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
0
10.0
3.
.
10
0
2.0
20
A
50
A
150
A
12 GHz的
1.0
1.0
2.0
1.0
2.0
2.0
0.
5
1.0
2.0
0.
5
图8.典型的准入特性的自偏压。
HSCH - 5318和-5319 。
图9.典型导纳特性与外部
偏见。 HSCH - 5318和-5319 。
模型的每一个梁式引线肖特基二极管
HSCH - 5340 , -5341
1毫安自偏压
0.03 pF的
0.1 nH的
11
0.04 nH的
267
0.11 pF的
1.0
5.
0
3.
0
5.
0
0.2
0.2
.
10
0
10.0
5.
0
3.
0
5.
0
0.2
0.2
10
10.0
.0
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
0
10.0
3.0
3.
3.
0
5.0
5.0
2
2
3.
0
20
A
50
A
150
A
18 GHz的
1.0
1.0
5
0.
2.0
2.0
0
0.
5
0.
5
0.
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