【HSC276硅肖特基二极管混频器ADE-208-421A(Z)REV 11998年12月特点较高的正】,IC型号HSC276,HSC276 PDF资料,HSC276经销商,ic,电子元器件-51电子网

HSC276

硅肖特基二极管混频器

ADE-208-421A(Z)

REV 1

1998年12月

特点

较高的正向电流，低电容。

超小扁平封装（ UFP ）是适用于表面贴装设计。

订购信息

型号

HSC276

激光标记

封装代码

UFP

概要

阴极标记

标志

1.阴极

2.阳极

HSC276

绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

项

反向电压

平均整流电流

结温

储存温度

符号

TSTG

价值

125

-55到+125

单位

°C

电气特性（Ta = 25 ° C）

项

反向电压

反向电流

正向电流

电容

防静电能力

符号

—

民

—

典型值

—

最大

—

0.85

—

单位

测试条件

= 1毫安

= 0.5V

= 0.5V ， F = 1兆赫

C = 200pF的，正向和反向的方向

1个脉冲。

注1.破坏准则; IR

≥

100μA ，在VR = 0.5 V

HSC276

主要特点

-2

反向电流I R（ A）

正向电流IF

(A)

-3

-4

-5

-6

0.1

0.2

0.3

0.4

-6

正向电压V F （V ）

图1正向电流与正向电压

反向电压V R （V ）

图2反向电流与反向电压

f=1MHz

（PF ）

电容C

1.0

-1

1.0

反向电压V R （V ）

图3电容与反向电压

HSC276

包装尺寸

单位：mm

阴极标记

1.2 ± 0.10

1.6 ± 0.10

0.3 ± 0.05

0.8 ± 0.10

1.阴极

2.阳极

日立代码

JEDECCode

EIAJCode

重量（g ）

0.6 ± 0.10

UFP

—

SC-79

0.0016

注意事项

1.日立公司并不保证或日立或任何权利，任何第三方的专利授权许可，

本文档中包含的信息，版权，商标或其他知识产权。

日立公司承担着可能出现的第三方的权利问题，包括不承担任何责任

知识产权与使用本文档中包含的信息连接。

2.产品和产品规格可能会随时更改，恕不另行通知。确认您拥有

收到最终的设计，购买或使用前的最新产品标准或规范。

3.日立一切努力，以确保其产品的高品质和可靠性。不过，

使用该产品，要求特别高的应用程序之前，请联系日立的销售办事处

质量和可靠性或者它的失效或故障可能直接威胁人的生命或造成危险

人身伤害，如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，

交通，安全设备，或用于生命支持医疗器械。

4.设计你的应用程序，使产品由日立公司保证范围内使用特别

对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射等特性，安装

条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时

超越了保障范围。即使在保障范围内，考虑通常预期

失败率或半导体器件的失效模式，并采用系统性的措施，如故障 -

保险柜，使结合日立产品的设备不会造成人身伤害，火灾或其它

间接损失是由于日立产品的操作。

5，本产品不设计成抗辐射。

6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分，而不

书面批准日立。

7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi半导体任何问题

产品。

株式会社日立制作所

半导体&集成电路。

立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本

联系电话：东京（ 03 ） 3270-2111传真：（ 03 ） 3270-5109

网址

北美洲

： HTTP ： semiconductor.hitachi.com/

欧洲

： http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg

亚洲（新加坡）

： http://www.has.hitachi.com.sg/grp3/sicd/index.htm

亚洲（台湾）

： http://www.hitachi.com.tw/E/Product/SICD_Frame.htm

亚洲（香港）： http://www.hitachi.com.hk/eng/bo/grp3/index.htm

日本

： http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htm

欲了解更多信息，写信至：

日立半导体

（美国）有限公司

179东塔斯曼驱动器，

圣何塞， CA 95134

联系电话： <1> （ 408 ） 433-1990

传真： <1> （ 408 ） 433-0223

日立欧洲公司

电子元件组

Dornacher大街3

D- 85622克恩，慕尼黑

德国

联系电话： <49> （ 89 ） 9 9180-0

传真： <49> （ 89 ） 9 29 30 00

日立欧洲公司

电子元件组。

Whitebrook公园

较低的Cookham路

梅登黑德

伯克希尔SL6 8YA ，英国

联系电话： <44> （ 1628 ） 585000

传真： <44> （ 1628 ） 778322

日立（亚洲）。有限公司

16哥烈码头20-00 ＃

日立塔

新加坡049318

联系电话： 535-2100

传真： 535-1533

日立亚洲有限公司

台北分公司

3F ，洪郭建设。 167号，

敦华北路，台北（ 105 ）

联系电话： <886> （ 2 ） 2718-3666

传真： <886> （ 2 ） 2718-8180

日立亚洲（香港）有限公司

第三组（电子元器件）

7 / F。，北塔，世界金融中心，

海港城，广东道，尖沙咀，

香港九龙

联系电话： <852> （ 2 ） 735 9218

传真： <852> （ 2 ） 730 0281

电传： 40815国际展贸中心HX

HSC276

硅肖特基二极管检测器和混频器

REJ03G0134-0200Z

（上一个： ADE- 208-421A ）

Rev.2.00

Nov.10.2003

特点

较高的正向电流，低电容。

超小扁平封装（ UFP ）是适用于表面贴装设计。

订购信息

型号

HSC276

激光标记

封装代码

UFP

管脚配置

阴极标记

标志

1.阴极

2.阳极

Rev.2.00 ， Nov.10.2003 ，第1页4

HSC276

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

反向电压

平均整流电流

结温

储存温度

符号

TSTG

价值

125

-55到+125

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

反向电压

反向电流

正向电流

电容

防静电能力

注意：

符号

—

民

—

典型值

—

最大

—

0.85

—

单位

测试条件

= 1毫安

= 0.5 V

= 0.5 V ， F = 1兆赫

C = 200 pF的， R = 0

向前和

反向1脉冲。

1.破坏准则;我

≥

100

在V

= 0.5 V

Rev.2.00 ， Nov.10.2003 ， 4个2页

HSC276

主要特点

–1

–2

反向电流I

(A)

正向电流I

(A)

–2

–3

TA = 75℃

–4

TA = 75℃

–4

TA = 25°C

–5

TA = 25°C

–5

0.2

0.4

0.6

0.8

正向电压V

(V)

1.0

–6

1.0

2.0

3.0

4.0

反向电压V

(V)

5.0

图1正向电流与正向电压

图2反向电流与反向电压

f=1MHz

电容

C（ pF）的

1.0

0.1

1.0

反向电压V

(V)

图3电容与反向电压

Rev.2.00 ， Nov.10.2003 ， 4 3页

HSC276

包装尺寸

截至， 2003年1月

单位：mm

1.2 ± 0.10

1.6 ± 0.10

0.13 ± 0.05

0.6 ± 0.10

0.3 ± 0.05

0.8 ± 0.10

封装代码

JEDEC

JEITA

质谱（参考值）

UFP

—

符合

0.0016 g

Rev.2.00 ， Nov.10.2003 ， 4 4页

销售战略规划事业部。

保持安全第一在你的电路设计！

立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本

1.瑞萨科技投入的最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，但总是有可能的麻烦

他们可能会发生。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或财产损失。

记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的措施，如替代，辅助（一）配售

电路，（二）利用针对任何故障或事故不可燃材料，或（iii ）预防。

对于这些材料的注意事项

1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨科技产品的选择最适合客户的

应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于瑞萨科技公司或第三方。

2.瑞萨科技公司不承担任何损害任何第三方的权利，或者侵犯在使用任何产品的数据概不负责，始发，

图，表，程序，算法或电路的应用中包含这些材料的例子。

3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和算法的所有信息表示在时间上的产品信息

公布这些材料，并受到了瑞萨科技公司，恕不另行通知更改，由于产品改进或其他原因。这是

因此，建议客户联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商最新产品

购买此列出产品之前的信息。

这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。

瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失，这些不准确或错误上涨不承担任何责任。

另请注意公布的瑞萨科技公司通过各种方式的信息，包括瑞萨科技半导体

主页（ http://www.renesas.com ）。

4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和算法的部分或全部信息，请您务必

制作上的信息和产品的适用性作出最后决定之前评估的所有信息作为一个整体系统。瑞萨科技公司承担

对于任何损害，责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。

5.瑞萨科技半导体没有设计或制造用于在设备或系统中使用的是根据情况使用在人类生活

是潜在的威胁。考虑到使用的时候请联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商

本文所包含的任何具体目的，诸如装置或系统的交通，车辆，医疗，航空航天，核，或海底中继器产品

使用。

6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或部分这些材料。

7.如果这些产品或技术受日本出口管制限制，所以一定要根据许可由日本政府和出口

不能导入超过核定目的地之外的国家。

禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。

8.请与瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。

瑞萨销售办事处

瑞萨科技美国公司

霍尔格450路，圣何塞，加利福尼亚95134-1368 ，U.S.A

联系电话： <1> （ 408 ） 382-7500传真： <1> （ 408 ） 382-7501

瑞萨科技欧洲公司。

郡王草地，压榨板路，伯恩结束，白金汉郡， SL8 5FH ，英国

联系电话： <44> （ 1628 ） 585 100 ，传真： <44> （ 1628 ） 585 900

瑞萨科技欧洲公司

Dornacher海峡。 3 ， D- 85622克恩，德国

联系电话： <49> （ 89 ） 380 70 0传真： <49> （ 89 ） 929 30 11

瑞萨科技（香港）有限公司

7 / F。，北塔，世界金融中心，海港城，广东道，香港

联系电话： <852> 2265-6688 ，传真： <852> 2375-6836

瑞萨科技台湾有限公司

FL 10 ，＃ 99 ，福星北路，台北，台湾

联系电话： <886> （ 2 ） 2715年至2888年，传真： <886> （ 2 ） 2713年至2999年

瑞萨科技（上海）有限公司

26 / F。，瑞金大厦，茂名205路（ S），上海200020 ，中国

联系电话： <86> （ 21 ） 6472-1001 ，传真： <86> （ 21 ） 6415-2952

瑞萨科技（新加坡）。有限公司

1 ，港前大道，＃ 06-10 ，吉宝湾大厦，新加坡098632

联系电话： <65> 6213-0200 ，传真： <65> 6278-8001

http://www.renesas.com

后记1.0

SMD型

硅肖特基二极管

HSC276

二极管

SOD-523

+0.05

0.3

-0.05

+0.1

1.2

-0.1

单位：mm

+0.1

0.6

-0.1

较高的正向电流，低电容。

超小扁平封装（ UFP ）是适用于表面贴装设计。

+0.05

0.8

-0.05

特点

+0.1

1.6

-0.1

0.77max

0.07max

A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5

P一RA M E TE

V è RS电子V LTA克é

A V ê RA克えれ tifie D C ④此吨

加利 TIO N TE米P·Eラ恩重

S到RA克éて米P·Eラ恩重

S YM BOL

s TG

伏鲁é

125

-5 5 + 1 2 5

加利IT

电气特性TA = 25

PARAM ETER

反向电压

反向电流

正向电压

电容

防静电能力（注1 ）

记

1.破坏准则;我

100米，在VR = 0.5 V

SYM BOL

条件

= 10

米

0.5

0.85

典型值

米斧

单位

= 0.5 V

= 0.5 V，F = 1 M Hz的

C = 200pF的，无论前进，

反向1脉冲。

记号

+0.05

0.1

-0.02

www.kexin.com.cn

产品speci fi cation

HSC276

SOD-523

+0.05

0.3

-0.05

+0.1

1.2

-0.1

单位：mm

+0.1

0.6

-0.1

较高的正向电流，低电容。

超小扁平封装（ UFP ）是适用于表面贴装设计。

+0.05

0.8

-0.05

特点

+0.1

1.6

-0.1

0.77max

0.07max

A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5

P一RA M E TE

V è RS电子V LTA克é

A V ê RA克えれ tifie D C ④此吨

加利 TIO N TE米P·Eラ恩重

S到RA克éて米P·Eラ恩重

S YM BOL

s TG

伏鲁é

125

-5 5 + 1 2 5

加利IT

电气特性TA = 25

PARAM ETER

反向电压

反向电流

正向电压

电容

防静电能力（注1 ）

记

1.破坏准则;我

100米，在VR = 0.5 V

SYM BOL

条件

= 10

米

0.5

0.85

典型值

米斧

单位

= 0.5 V

= 0.5 V，F = 1 M Hz的

C = 200pF的，无论前进，

反向1脉冲。

记号

+0.05

0.1

-0.02

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 1