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a
特点
指定V
DD
2.7 V至5.25 V
1.75 MSPS AD7470为( 10位)
1.5 MSPS的AD7472 ( 12位)
低功耗
AD7470 : 3.34 mW的典型值在1.5 MSPS ,3 V电源
7.97 mW的典型值在1.75 MSPS ,5 V电源
AD7472 : 3.54 mW的典型值在1.2 MSPS ,3 V电源
8.7 mW的典型值在1.5 MSPS ,5 V电源
宽输入带宽
70分贝典型SNR为500 kHz输入频率
灵活的功耗/呑吐量管理
无流水线延迟
高速并行接口
睡眠模式: 50 nA的典型值
24引脚SOIC和TSSOP封装
概述
V
IN
1.75 MSPS , 4 mW的
10位/ 12位并行ADC
AD7470/AD7472
功能框图
AV
DD
DV
DD
在REF
V
DRIVE
T / H
10-/12-BIT
连续
近似
ADC
DB9 ( DB11 )
产量
DRIVERS
DB0
CLK IN
CONVST
控制
逻辑
CS
RD
AD7470/AD7472
AGND
DGND
在AD7470 / AD7472是10位/ 12位高速,低功耗,
逐次逼近型ADC 。该部分从操作
采用2.7 V至5.25 V电源供电,吞吐速率
高达1.5 MSPS的12位AD7472和高达1.75 MSPS为
10位AD7470 。该器件内置一个低噪声,宽带频带 -
宽采样/保持放大器,可处理的输入频率
超过1MHz 。
转换过程和数据采集控制
使用标准控制输入,可轻松连接
微处理器或DSP 。所述输入信号进行采样的
的下降沿
CONVST
并且也开始在转换
这一点。在BUSY变为高电平时转换的开始和
变低531.66纳秒后的下降沿
CONVST
( AD7472与
26兆赫)的时钟频率,以指示在转换
完整的。有该器件无流水线延迟。
转换结果通过标准浏览
CS
RD
的NAL超过一个高速并行接口。
在AD7470 / AD7472采用先进的设计技术
实现在高吞吐量的极低的功耗。同
3 V电源, 1.5 MSPS吞吐速率, AD7470的典型
美云占用,平均只有1.1毫安。采用5 V电源和
1.75 MSPS,平均电流消耗典型地是
1.6毫安。该器件还提供灵活的功耗/吞吐速率
管理。操作AD7470采用3 V电源和
500 kSPS的吞吐降低电流消耗713
A.
在5 V电源, 500 kSPS时,功耗为944
A.
AD7470 IS WITH DB0至DB9为输出一个10位的部分。
AD7472 IS WITH DB0 TO DB11为输出12位的部分。
另外,也可以以操作部件在自动睡眠模式,
其中一部分醒来做了转换,并自动
进入睡眠模式的转变的结束。使用这种方法
可以极低的功耗数字在较低吞吐量
率。在这种模式下, AD7472可以采用3 V支持操作
层数为100 kSPS ,并且消耗的只是124的平均电流
A.
在5 V电源, 100 kSPS时,平均电流消耗
是171
A.
模拟输入范围为部分是0至REF IN 。在+ 2.5V
外部基准电压通过REF IN引脚。该转换
锡永速率由外部施加的时钟来确定。
产品亮点
1.高吞吐量,低功耗。该
AD7470提供1.75 MSPS吞吐量和AD7472
提供1.5 MSPS吞吐量4毫瓦功率利率
消费。
2.灵活的功耗/呑吐量管理。该转换
锡永速率通过一个外部施加的时钟确定的允许 -
荷兰国际集团的功率被减小,转化率降低。
该器件还具有自动休眠模式,以最大限度地提高电源
效率较低的吞吐速率。
3.无流水线延迟。该器件具有一个标准逐次
逼近型ADC,采样的精确控制
通过瞬间
CONVST
输入和一次性转换
控制权。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 2000
AD7470/AD7472
AD7470–SPECIFICATIONS
参数
动态性能
信号与噪声+失真比(SINAD )
信号 - 噪声比( SNR)的
总谐波失真( THD )
峰值谐波或杂散噪声( SFDR )
互调失真( IMD )
二阶条款
三阶条款
孔径延迟
孔径抖动
全功率带宽
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
模拟量输入
输入电压范围
直流漏电流
输入电容
参考输入
REF IN输入电压范围
直流漏电流
输入电容
逻辑输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
IN
输入电容,C
IN4
逻辑输出
输出高电压,V
OH
输出低电压,V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
输出编码
转化率
转换时间
采样/保持捕获时间
吞吐率
电源要求
V
DD
I
DD5
普通模式
静态电流
普通模式
静态电流
睡眠模式
功耗
5
普通模式
睡眠模式
5V
60
60
60
60
–83
–75
–85
–75
–79
–75
–77
–75
5
15
20
10
±
1
±
0.9
±
2.5
±
1
1
(V
DD
= +2.7 V至
3
+5.25 V
2
, REF IN = 2.5 V,F
CLK IN
= 30兆赫@ 5 V和24兆赫,3 V ;
T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
单位
3V
60
60
60
60
–83
–75
–85
–75
–75
–75
–75
–75
5
15
20
10
±
1
±
0.9
±
2.5
±
1
0至REF IN
±
1
33
2.5
±
1
10/20
2.4
0.4
±
1
10
分贝分钟
分贝分钟
dB典型值
最大分贝
dB典型值
最大分贝
dB典型值
最大分贝
dB典型值
最大分贝
纳秒(典型值)
ps的典型值
兆赫(典型值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
V
A
最大
pF的典型值
V
A
最大
pF的典型值
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
±
对于指定的性能1 %
采样/保持模式
测试条件/评论
f
S
= 1.75 MSPS @ 5 V,F
S
= 1.5 MSPS ,3 V
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
A版
1
f
S
= 1.75 MSPS @ 5 V ; F
S
= 1.5 MSPS ,3 V
保证无漏码为10位
0至REF IN
±
1
33
2.5
±
1
10/20
2.4
0.4
±
1
10
通常情况下10 nA的,V
IN
= 0 V或V
DD
I
来源
= 200
A
I
SINK
= 200
A
V
DD
= 2.7 V至5.25 V
V
DRIVE
– 0.2
V
DRIVE
– 0.2
0.4
0.4
±
10
±
10
10
10
直(自然科学)二进制
12
135
1.75
12
135
1.5
CLK IN周期(最大)
ns(最小值)
MSPS最高
转换时间+采集时间
30 MHz的CLK IN @ 5 V和24兆赫,3 V
+2.7/+5.25
2.4
900
1.5
800
1
12
4.5
5
3
V最小/最大
最大mA
A
最大
最大mA
A
最大
A
最大
毫瓦MAX
毫瓦MAX
W
最大
W
最大
数字I / PS = 0 V或DV
DD
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ; F
S
= 1.75 MSPS ;典型2毫安
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ; F
S
= 1.75 MSPS
V
DD
= 2.7 V至3.3 V ; F
S
= 1.5 MSPS ;典型1.3毫安
V
DD
= 2.7 V至3.3 V ; F
S
= 1.5 MSPS
CLK IN = 0 V或DV
DD
数字I / PS = 0 V或DV
DD
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V ; CLK IN = 0 V或DV
DD
V
DD
= 3 V ; CLK IN = 0 V或DV
DD
笔记
1
温度范围如下:A版本: -40 ° C至+ 85°C 。
2
AD7470的功能工作在2.35 V.典型规格@ + 25°C的SNR ( 100千赫) = 59分贝; THD ( 100千赫) = -84分贝; INL
±
0.8 LSB 。
3
在AD7470通常保持A级性能高达+ 125°C ,具有20 MHz的减少CLK @ 5 V和16兆赫@ 3 V时典型休眠模式电流@ + 125°C为700 nA的。
4
样品测试@ + 25°C ,以确保合规性。
5
请参阅电源与吞吐率部分。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
REV 。一
AD7470/AD7472
AD7472–SPECIFICATIONS
参数
A版
1
3V
69
68
70
68
–78
–84
–75
–81
–86
–76
–77
–86
–77
–86
5
15
20
12
±
2
±
1.8
±
10
±
2
动态性能
5V
信号与噪声+失真比(SINAD ) 69
68
信号 - 噪声比( SNR)的
70
68
总谐波失真( THD ) -83
–83
–75
峰值谐波或杂散噪声
( SFDR )
–86
–86
–76
互调失真( IMD )
二阶条款
–77
–86
三阶条款
–77
–86
孔径延迟
5
孔径抖动
15
全功率带宽
20
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
模拟量输入
输入电压范围
直流漏电流
输入电容
参考输入
REF IN输入电压范围
直流漏电流
输入电容
逻辑输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
IN
输入电容,C
IN4
逻辑输出
输出高电压,V
OH
输出低电压,V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
输出编码
转化率
转换时间
采样/保持捕获时间
吞吐率
电源要求
V
DD
I
DD5
普通模式
静态电流
普通模式
静态电流
睡眠模式
功耗
5
普通模式
睡眠模式
12
±
2
±
1.8
±
10
±
2
1
(V
DD
= +2.7 V至5.25 V
2
, REF IN = 2.5 V,F
CLK IN
= 26 MHz的@ 5 V和20 MHz的3 V ;
T
A
= T
给T
MAX3
除非另有说明)。
B版本
1
5V
69
68
70
68
–83
–83
–75
–86
–86
–76
–77
–86
–77
–86
5
15
20
12
±
1
±
0.9
±
10
±
2
3V
69
68
70
68
–78
–84
–75
–81
–86
–76
–77
–86
–77
–86
5
15
20
12
±
1
±
0.9
±
10
±
2
单位
dB典型值
分贝分钟
dB典型值
分贝分钟
dB典型值
dB典型值
最大分贝
dB典型值
dB典型值
最大分贝
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
纳秒(典型值)
ps的典型值
兆赫(典型值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
V
A
最大
pF的典型值
V
A
最大
pF的典型值
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
±1%
对于指定的性能
采样/保持模式
测试条件/评论
f
S
= 1.5 MSPS @ 5 V,F
S
= 1.2 MSPS ,3 V
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
S
= 1.5 MSPS @ 5 V ; F
S
= 1.2 MSPS ,3 V
保证无漏码为11位
( A版)
保证无漏码至12位
(B版)
0至REF IN 0至REF IN
±
1
±
1
33
33
2.5
±1
10/20
2.4
0.4
±1
10
2.5
±1
10/20
2.4
0.4
±1
10
0至REF IN 0至REF IN
±
1
±
1
33
33
2.5
±1
10/20
2.4
0.4
±1
10
2.5
±1
10/20
2.4
0.4
±1
10
通常情况下10 nA的,V
IN
= 0 V或V
DD
I
来源
= 200
A
I
SINK
= 200
A
V
DD
= 2.7 V至5.25 V
V
DRIVE
– 0.2 V
DRIVE
– 0.2
0.4
0.4
±
10
±
10
10
10
直(自然科学)二进制
14
135
1.5
14
135
1.2
V
DRIVE
– 0.2 V
DRIVE
– 0.2
0.4
0.4
±
10
±
10
10
10
直(自然科学)二进制
14
135
1.5
14
135
1.2
CLK IN
周期(最大)
ns(最小值)
MSPS最高
转换时间+采集时间
CLK IN为26兆赫@ 5 V和20兆赫(3 V)
+2.7/+5.25
2.4
900
1.5
800
1
12
4.5
5
3
+2.7/+5.25
2.4
900
1.5
800
1
12
4.5
5
3
V最小/最大
最大mA
A
最大
最大mA
A
A
最大
毫瓦MAX
毫瓦MAX
W
最大
W
最大
数字I / PS = 0 V或DV
DD
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ; F
S
= 1.5 MSPS ;典型2毫安
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ; F
S
= 1.5 MSPS
V
DD
= 2.7 V至3.3 V ; F
S
= 1.2 MSPS ;典型1.3毫安
V
DD
= 2.7 V至3.3 V ; F
S
= 1.2 MSPS
CLK IN = 0 V或DV
DD
数字I / PS = 0 V或DV
DD
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V ; CLK IN = 0 V或DV
DD
V
DD
= 3 V ; CLK IN = 0 V或DV
DD
笔记
1
温度范围如下: A和B版本: -40 ° C至+ 85°C 。
2
在AD7472功能工作在2.35 V.典型规格@ + 25°C的SNR ( 100千赫) = 68分贝; THD ( 100千赫) = -84分贝; INL
±
0.8 LSB 。
3
在AD7472通常保持A级性能高达+ 125°C ,具有18 MHz的降低CLK @ 5 V和14兆赫@ 3 V时典型休眠模式电流@ + 125°C为700 nA的。
4
样品测试@ + 25°C ,以确保合规性。
5
请参阅电源与吞吐率部分。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
–3–
AD7470/AD7472
时序特定网络阳离子
1
(V
参数
f
CLK 2
t
兑换
t
唤醒
t
1
t
2 3
t
3
t
4 4
t
5
t
6 4
t
7 5
t
8
t
9
t
10
10
30
436.42
1
10
10
30
0
0
20
15
8
0
135
100
DD
= +2.7 V至5.25 V, REF IN = 2.5 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
单位
千赫分钟
兆赫最大
ns(最小值)
s
最大
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
描述
在T限制
, T
最大
AD7470
AD7472
10
26
531.66
1
10
10
30
0
0
20
15
8
0
135
100
t
CLK
= 1/f
CLK IN
唤醒时间
CONVST
脉宽
CONVST
繁忙的延迟,V
DD
= 5 V
CONVST
繁忙的延迟,V
DD
= 3 V
CS
建立时间
CS
to
RD
建立时间
RD
脉宽
数据访问时间的下降沿后
RD
总线释放时间的上升沿之后
RD
CS
to
RD
保持时间
采集时间
安静的时间
笔记
1
在+ 25 ° C样品测试,以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10%的规定( 90 %V的
DD
),并定时从1.6V见的电压电平
图1 。
2
马克/空间比CLK输入为40/60至60/40 。第一CLK的脉冲应在10 ns的最小距离的下降沿
CONVST 。
3
t
2
为35 ns(最大值) @ + 125°C 。
4
测定图1和德音响的定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.0V。负载电路
5
t
7
从采取的数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图1中的电路测量的数目,然后外推
背面去除的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t
7
在时序特性所是真正的总线释放
的部分和的时间是独立的总线负载的。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
200 A
I
OL
输出
+1.6V
C
L
50pF
200 A
I
OH
图1.负载电路的数字输出时序规范
–4–
REV 。一
AD7470/AD7472
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
销刀豆网络gurations
AV
DD
到AGND / DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
DV
DD
到AGND / DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
DRIVE
到AGND / DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
AV
DD
以DV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
V
DRIVE
以DV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至DVDD + 0.3 V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
模拟输入电压至AGND 。 。 。 0.3 V至AVDD + 0.3 V
数字输入电压至DGND 。 。 。 0.3 V至DVDD + 0.3 V
REF IN至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至AVDD + 0.3 V
输入电流到任何引脚除外用品
2
. . . . . . . .
±
10毫安
工作温度范围
商业( A和B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
SOIC , TSSOP封装散热。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 ℃/ W( SOIC )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.115 ℃/ W( TSSOP )
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 ℃/ W( SOIC )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.35 ℃/ W( TSSOP )
焊接温度,焊接
气相( 60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
高达100 mA的瞬态电流不会造成SCR闩锁。
DB7
1
DB8
2
(MSB)的DB9
3
AV
DD 4
在REF
5
24
DB6
23
DB5
22
DB4
21
V
DRIVE
AD7470
20
DV
DD
V
在6
顶视图
19
DGND
AGND
7
(不按比例)
18
DB3
CS
8
RD
9
CONVST
10
CLKIN
11
12
17
DB2
16
DB1
15
DB0 ( LSB )
14
NC
13
NC
NC =无连接
DB9
1
DB10
2
(MSB) DB11
3
24
DB8
23
DB7
22
DB6
21
V
DRIVE
AV
DD 4
在REF
5
V
在6
CS
8
RD
9
AD7472
20
DV
DD
顶视图
19
DGND
(不按比例)
18
DB5
AGND
7
17
DB4
16
DB3
15
DB2
14
DB1
13
DB0 ( LSB )
CONVST
10
CLKIN
11
12
订购指南
模型
AD7470ARU
AD7472AR
AD7472BR
AD7472ARU
AD7472BRU
EVAL-AD7470CB
2
EVAL-AD7472CB
2
EVAL -CONTROL BOARD
3
HSC接口板
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
决议
(比特)
10
12
12
12
12
选项
1
RU-24
R-24
R-24
RU-24
RU-24
评估板
评估板
控制器板
评价高速接口板
笔记
1
R = SOIC ; RU = TSSOP封装。
2
这可以作为一个独立的评估板,或与EVAL -控制板配合用于评估/演示。
3
该板是一个完整的单元,允许一台PC来控制,并与CB标志后缀的ADI评估板进行通信。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD7470 / AD7472具有专用ESD保护电路,永久性损坏
年龄可能会发生在遇到高能量静电放电设备。因此,适当的
ESD预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
REV 。一
–5–
查看更多HSC-INTERFACEBOARDPDF信息
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