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关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
HSB88WA
硅肖特基二极管，高速开关
ADE - 208-965 （ Z）
Rev.0
2000年8月
特点
低反向电流，低电容。
CMPAK包是适合于高密度的表面安装和高速装配。
订购信息
型号
HSB88WA
激光标记
C7
封装代码
CMPAK
管脚配置
3
2
1
（ TOP VIEW ）
1阴极
2阴极
3阳极
HSB88WA
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
反向电压
平均整流电流
结温
储存温度
注：每一个设备。
符号
V
R
I
O
*
Tj
TSTG
价值
10
15
125
55
+125
单位
V
mA
°C
°C
电气特性
（ TA = 25 ° C） *
项
正向电压
反向电流
电容
电容偏差
正向电压偏差
防静电能力*
2
1
符号最小值
V
F1
V
F2
I
R1
I
R2
C
C
V
F
典型值
最大
单位
测试条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
V
R
= 2 V
V
R
= 10 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= 10毫安
C = 200 pF的， R = 0
,
正向和
反向1脉冲。
0.350
0.500
30
0.420 V
0.580
0.2
10
0.80
0.10
10
pF
pF
mV
V
A
注：1。每一个设备。
2.破坏准则;我
R
> 0.4 μA
在V
R
= 2 V
Rev.0 ， 2000年8月， 5个2页
HSB88WA
主要特点
10
-2
10
-5
反向电流I R（ A）
正向电流I
F
(A)
10
-3
10
-6
Ta=75°C
10
-7
10
-4
Ta=75°C
Ta=25°C
10
-5
10
-8
Ta=25°C
10
-6
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
正向电压V
F
(V)
-9
0
5
10
15
反向电压V R （V ）
图2反向电流与反向电压
图1正向电流与正向电压
f=1MHz
10
（PF ）
电容C
1.0
0.1
0.1
1.0
反向电压V R （V ）
图3电容与反向电压
10
Rev.0 ， 2000年8月， 5个3页
HSB88WA
硅肖特基二极管，高速开关
ADE - 208-965 （ Z）
Rev.0
2000年8月
特点
低反向电流，低电容。
CMPAK包是适合于高密度的表面安装和高速装配。
订购信息
型号
HSB88WA
激光标记
C7
封装代码
CMPAK
管脚配置
3
2
1
（ TOP VIEW ）
1阴极
2阴极
3阳极
HSB88WA
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
反向电压
平均整流电流
结温
储存温度
注：每一个设备。
符号
V
R
I
O
*
Tj
TSTG
价值
10
15
125
55
+125
单位
V
mA
°C
°C
电气特性
（ TA = 25 ° C） *
1
项
正向电压
符号最小值
V
F1
V
F2
反向电流
I
R1
I
R2
电容
电容偏差
正向电压偏差
防静电能力*
2
C
C
V
F
典型值
最大
单位
测试条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
A
V
R
= 2 V
V
R
= 10 V
pF
pF
mV
V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= 10毫安
C = 200 pF的， R = 0
,
正向和
反向1脉冲。
0.350
0.500
30
0.420 V
0.580
0.2
10
0.80
0.10
10
注：1。每一个设备。
2.破坏准则;我
R
> 0.4 μA
在V
R
= 2 V
2
HSB88WA
主要特点
10
-2
10
-5
反向电流I R（ A）
正向电流I
F
(A)
10
-3
10
-6
Ta=75°C
10
-7
10
-4
Ta=75°C
Ta=25°C
10
-5
10
-8
Ta=25°C
10
-6
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
正向电压V
F
(V)
-9
0
5
10
15
反向电压V R （V ）
图2反向电流与反向电压
图1正向电流与正向电压
f=1MHz
10
电容C
（PF ）
1.0
0.1
0.1
1.0
反向电压V R （V ）
图3电容与反向电压
10
3
HSB88WA
包装尺寸
单位：mm
2.0
±
0.2
0.1
0.3
+ 0.05
(0.425)
0.16
0.06
2.1
±
0.3
+ 0.1
1.25
±
0.1
0
0.1
1.3
±
0.2
0.2
0.9
±
0.1
(0.65) (0.65)
(0.425)
0.1
0.3
+ 0.05
0.1
0.3
+ 0.05
日立代码
JEDEC
EIAJ
质谱（参考值）
CMPAK
符合
0.006 g
4
HSB88WA
注意事项
1.日立公司并不保证或日立或任何权利，任何第三方的专利授权许可，
本文档中包含的信息，版权，商标或其他知识产权。
日立公司承担着可能出现的第三方的权利问题，包括不承担任何责任
知识产权与使用本文档中包含的信息连接。
2.产品和产品规格可能会随时更改，恕不另行通知。确认您拥有
收到最终的设计，购买或使用前的最新产品标准或规范。
3.日立一切努力，以确保其产品的高品质和可靠性。不过，
使用该产品，要求特别高的应用程序之前，请联系日立的销售办事处
质量和可靠性或者它的失效或故障可能直接威胁人的生命或造成危险
人身伤害，如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，
交通，安全设备，或用于生命支持医疗器械。
4.设计你的应用程序，使产品由日立公司保证范围内使用特别
对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射等特性，安装
条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时
超越了保障范围。即使在保障范围内，考虑通常预期
失败率或半导体器件的失效模式，并采用系统性的措施，如故障 -
保险柜，使结合日立产品的设备不会造成人身伤害，火灾或其它
间接损失是由于日立产品的操作。
5，本产品不设计成抗辐射。
6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分，而不
书面批准日立。
7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi半导体任何问题
产品。
株式会社日立制作所
半导体&集成电路。
立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本
联系电话：东京（ 03 ） 3270-2111传真： （ 03 ） 3270-5109
网址
北美洲
欧洲
亚洲
日本
:
:
:
:
http://semiconductor.hitachi.com/
http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg
http://www.hitachi.com.sg/grp3/sicd
http://www.hitachi.co.jp/Sicd/index.htm
欲了解更多信息，写信至：
日立半导体
（美国）有限公司
179东塔斯曼驱动器，
圣何塞， CA 95134
联系电话： <1> （ 408 ） 433-1990
传真： <1> （ 408 ） 433-0223
日立欧洲公司
电子元件组
Dornacher大街3
D- 85622克恩，慕尼黑
德国
联系电话： <49> （ 89 ） 9 9180-0
传真： <49> （ 89 ） 9 29 30 00
日立欧洲公司
电子元件组。
Whitebrook公园
较低的Cookham路
梅登黑德
伯克希尔SL6 8YA ，英国
联系电话： <44> （ 1628 ） 585000
传真： <44> （ 1628 ） 585160
日立亚洲有限公司
16哥烈码头20-00 ＃
日立塔
新加坡049318
联系电话： 535-2100
传真： 535-1533
日立亚洲有限公司
台北分公司
3日进行Flr ，洪郭栋167号，
敦化北路，台北（ 105 ）
台湾
联系电话： <886> （ 2 ） 2718-3666
传真： <886> （ 2 ） 2718-8180
电传： 23222 HAS -TP
日立亚洲（香港）有限公司
第三组（电子元器件）
7日进行Flr ，北塔，世界金融中心，
海港城，广东道，尖沙咀，
香港九龙
联系电话： <852> （ 2 ） 735 9218
传真： <852> （ 2 ） 730 0281
电传： 40815国际展贸中心HX
版权
株式会社日立制作所，2000。保留所有权利。日本印刷。
后记1.0
5
SMD型
硅肖特基二极管
HSB88WA
二极管
特点
低反向电流，低电容。
CMPAK包是适合于高密度的表面安装和高速装配。
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
V è RS电子V LTA克é
A V ê RA克えれ tifie D C ④此吨
加利 TIO N TE米P·Eラ恩重
S到RA克éて米P·Eラ恩重
S YM BOL
V
R
I
O
T
j
T
s TG
伏鲁é
10
15
125
-5 5 + 1 2 5
加利IT
V
mA
电气特性TA = 25
参数
正向电压
符号
V
F
条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
反向电流
电容
电容偏差
正向电压偏差
防静电能力（注1 ）
记
1.破坏准则;我
R
0.4
一个在V
R
=2 V
I
R
C
C
V
F
V
R
=2 V
V
R
=10 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0V中，f = 1 MHz的
I
F
= 10毫安
C = 200 pF的， R = 0
正向和
30
民
0.35
0.50
典型值
最大
0.42
0.58
0.2
10
0.80
0.10
10
A
pF
pF
mV
V
单位
V
反向1脉冲。
记号
记号
C7
www.kexin.com.cn
1
HSB88WA
硅肖特基二极管，高速开关
REJ03G0587-0100
（上一个： ADE- 208-965 ）
Rev.1.00
2005年3月31日
特点
低反向电流，低电容。
CMPAK包是适合于高密度的表面安装和高速装配。
订购信息
型号
HSB88WA
激光标记
C7
包名称
CMPAK
封装代码
（以前的代码）
PTSP0003ZB-A
（ CMPAK ）
管脚配置
3
2
1
（ TOP VIEW ）
1.阴极
2.阴极
3.阳极
Rev.1.00 2005年3月31日第1页4
HSB88WA
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
反向电压
平均整流电流
结温
储存温度
注： 1。每一个设备。
V
R
I
O
*
Tj
1
符号
价值
10
15
125
55
+125
单位
V
mA
°C
°C
TSTG
电气特性*
1
（ TA = 25°C ）
项
正向电压
反向电流
电容
电容偏差
正向电压偏差
2
防静电Capabilityme *
符号
V
F1
V
F2
I
R1
I
R2
C
C
V
F
—
民
0.350
0.500
—
—
—
—
—
30
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
0.420
0.580
0.2
10
0.80
0.10
10
—
单位
V
A
pF
pF
mV
V
测试条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
V
R
= 2 V
V
R
= 10 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= 10毫安
C = 200 pF的， R = 0
,
向前
和反向1脉冲。
注：1。每一个设备。
2.破坏准则;我
R
＆ GT ;
0.4
A
在V
R
= 2V
Rev.1.00 2005年3月31日第2页4
HSB88WA
主要特点
10
-2
10
-5
反向电流I R（ A）
正向电流I
F
(A)
10
-3
10
-6
TA = 75℃
10
-7
10
-4
TA = 75
°
C
TA = 25
°
C
10
-5
10
-8
TA = 25°C
10
-6
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
(V)
0.6
正向电压V
F
10
-9
0
5
10
(V)
15
反向电压V
R
图1正向电流与正向电压
图2反向电流与反向电压
f=1MHz
10
电容C
（PF ）
1.0
0.1
0.1
1.0
反向电压V
R
(V)
图3电容与反向电压
10
Rev.1.00 2005年3月31日第3页4
HSB88WA
包装尺寸
JEITA封装代码
SC-70
瑞萨代码
PTSP0003ZB-A
以前的代码
CMPAK / CMPAKV
质量[典型值]
0.006g
D
e
Q
c
E
H
E
L
A
A
b
e
参考
尺寸以毫米为单位
A
2
A
符号
A
1
e
1
b
l
1
c
A - A组
b
2
终端位置的区域格局
A
A
1
A
2
b
c
D
E
e
H
E
L
b
2
e
1
l
1
Q
民
0.8
0
0.8
0.25
0.1
1.8
1.15
-
1.8
-
-
-
-
-
喃
-
-
0.9
0.3
0.16
2.0
1.25
0.65
2.1
0.425
-
1.5
-
0.2
最大
1.1
0.1
1.0
0.4
0.26
2.2
1.35
-
2.4
-
0.45
-
0.9
-
Rev.1.00 2005年3月31日第4页4
销售战略规划事业部。
保持安全第一在你的电路设计！
立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本
1.瑞萨科技投入的最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，但总是有可能的麻烦
他们可能会发生。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或财产损失。
还记得让你的电路设计时，适当的措施，如替代性，辅助电路（一）配售充分考虑到安全性给予，
（ⅱ）利用针对任何故障或事故不燃材料或（iii）预防。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨科技产品的选择最适合客户的
应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于瑞萨科技公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何损害任何第三方的权利，或者侵犯在使用任何产品的数据概不负责，始发，
图，表，程序，算法或电路的应用中包含这些材料的例子。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和算法的所有信息表示在时间上的产品信息
公布这些材料，并受到了瑞萨科技公司，恕不另行通知更改，由于产品改进或其他原因。这是
因此，建议客户联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商最新产品
购买此列出产品之前的信息。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失，这些不准确或错误上涨不承担任何责任。
另请注意公布的瑞萨科技公司通过各种方式的信息，包括瑞萨科技半导体
主页（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和算法的部分或全部信息，请您务必
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定之前评估的所有信息作为一个整体系统。瑞萨科技公司承担
对于任何损害，责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。
5.瑞萨科技半导体没有设计或制造用于在设备或系统中使用的是根据情况使用在人类生活
是潜在的威胁。考虑到使用的时候请联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商
本文所包含的任何具体目的，诸如装置或系统的交通，车辆，医疗，航空航天，核，或海底中继器产品
使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或部分这些材料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制限制，所以一定要根据许可由日本政府和出口
不能导入超过核定目的地之外的国家。
禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
瑞萨销售办事处
请参阅"http ： //www.renesas.com/en/network"最新的信息和详细信息。
瑞萨科技美国公司
霍尔格450路，圣何塞，加利福尼亚95134-1368 ，U.S.A
联系电话： <1> （ 408 ） 382-7500 ，传真： <1> （ 408 ） 382-7501
瑞萨科技欧洲公司
郡王草地，压榨板路，伯恩结束，白金汉郡， SL8 5FH ，英国
联系电话： <44> （ 1628 ） 585-100 ，传真： <44> （ 1628 ） 585-900
瑞萨科技
（香港）有限公司
7楼，北塔，世界金融中心，海港城，广东道1 ，尖沙咀，九龙，香港
联系电话： <852> 2265-6688 ，传真： <852> 2730-6071
瑞萨科技台湾有限公司
有限公司
10楼， 99号， Fushing北路，台北，台湾
联系电话： <886> （ 2 ） 2715年至2888年，传真： <886> （ 2 ） 2713年至2999年
瑞萨科技（上海）有限公司
有限公司
Unit2607瑞景大厦205号茂名路（S ） ，上海200020 ，中国
联系电话： <86> （ 21 ） 6472-1001 ，传真： <86> （ 21 ） 6415-2952
瑞萨科技（新加坡） 。有限公司
1港前大道， ＃ 06-10 ，吉宝湾大厦，新加坡098632
联系电话： <65> 6213-0200 ，传真： <65> 6278-8001
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2005年瑞萨科技公司，保留所有权利。日本印刷。
后记2.0
HSB88WA
硅肖特基二极管，高速开关
ADE - 208-965 （ Z）
Rev.0
2000年8月
特点
低反向电流，低电容。
CMPAK包是适合于高密度的表面安装和高速装配。
订购信息
型号
HSB88WA
激光标记
C7
封装代码
CMPAK
管脚配置
3
2
1
（ TOP VIEW ）
1阴极
2阴极
3阳极
HSB88WA
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
反向电压
平均整流电流
结温
储存温度
注：每一个设备。
符号
V
R
I
O
*
Tj
TSTG
价值
10
15
125
55
+125
单位
V
mA
°C
°C
电气特性
（ TA = 25 ° C） *
1
项
正向电压
符号最小值
V
F1
V
F2
反向电流
I
R1
I
R2
电容
电容偏差
正向电压偏差
防静电能力*
2
C
C
V
F
典型值
最大
单位
测试条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
A
V
R
= 2 V
V
R
= 10 V
pF
pF
mV
V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= 10毫安
C = 200 pF的， R = 0
,
正向和
反向1脉冲。
0.350
0.500
30
0.420 V
0.580
0.2
10
0.80
0.10
10
注：1。每一个设备。
2.破坏准则;我
R
> 0.4 μA
在V
R
= 2 V
2
HSB88WA
主要特点
10
-2
10
-5
反向电流I R（ A）
正向电流I
F
(A)
10
-3
10
-6
Ta=75°C
10
-7
10
-4
Ta=75°C
Ta=25°C
10
-5
10
-8
Ta=25°C
10
-6
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
正向电压V
F
(V)
-9
0
5
10
15
反向电压V R （V ）
图2反向电流与反向电压
图1正向电流与正向电压
f=1MHz
10
电容C
（PF ）
1.0
0.1
0.1
1.0
反向电压V R （V ）
图3电容与反向电压
10
3
HSB88WA
包装尺寸
单位：mm
2.0
±
0.2
0.1
0.3
+ 0.05
(0.425)
0.16
0.06
2.1
±
0.3
+ 0.1
1.25
±
0.1
0
0.1
1.3
±
0.2
0.2
0.9
±
0.1
(0.65) (0.65)
(0.425)
0.1
0.3
+ 0.05
0.1
0.3
+ 0.05
日立代码
JEDEC
EIAJ
质谱（参考值）
CMPAK
符合
0.006 g
4
HSB88WA
注意事项
1.日立公司并不保证或日立或任何权利，任何第三方的专利授权许可，
本文档中包含的信息，版权，商标或其他知识产权。
日立公司承担着可能出现的第三方的权利问题，包括不承担任何责任
知识产权与使用本文档中包含的信息连接。
2.产品和产品规格可能会随时更改，恕不另行通知。确认您拥有
收到最终的设计，购买或使用前的最新产品标准或规范。
3.日立一切努力，以确保其产品的高品质和可靠性。不过，
使用该产品，要求特别高的应用程序之前，请联系日立的销售办事处
质量和可靠性或者它的失效或故障可能直接威胁人的生命或造成危险
人身伤害，如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，
交通，安全设备，或用于生命支持医疗器械。
4.设计你的应用程序，使产品由日立公司保证范围内使用特别
对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射等特性，安装
条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时
超越了保障范围。即使在保障范围内，考虑通常预期
失败率或半导体器件的失效模式，并采用系统性的措施，如故障 -
保险柜，使结合日立产品的设备不会造成人身伤害，火灾或其它
间接损失是由于日立产品的操作。
5，本产品不设计成抗辐射。
6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分，而不
书面批准日立。
7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi半导体任何问题
产品。
株式会社日立制作所
半导体&集成电路。
立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本
联系电话：东京（ 03 ） 3270-2111传真： （ 03 ） 3270-5109
网址
北美洲
欧洲
亚洲
日本
:
:
:
:
http://semiconductor.hitachi.com/
http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg
http://www.hitachi.com.sg/grp3/sicd
http://www.hitachi.co.jp/Sicd/index.htm
欲了解更多信息，写信至：
日立半导体
（美国）有限公司
179东塔斯曼驱动器，
圣何塞， CA 95134
联系电话： <1> （ 408 ） 433-1990
传真： <1> （ 408 ） 433-0223
日立欧洲公司
电子元件组
Dornacher大街3
D- 85622克恩，慕尼黑
德国
联系电话： <49> （ 89 ） 9 9180-0
传真： <49> （ 89 ） 9 29 30 00
日立欧洲公司
电子元件组。
Whitebrook公园
较低的Cookham路
梅登黑德
伯克希尔SL6 8YA ，英国
联系电话： <44> （ 1628 ） 585000
传真： <44> （ 1628 ） 585160
日立亚洲有限公司
16哥烈码头20-00 ＃
日立塔
新加坡049318
联系电话： 535-2100
传真： 535-1533
日立亚洲有限公司
台北分公司
3日进行Flr ，洪郭栋167号，
敦化北路，台北（ 105 ）
台湾
联系电话： <886> （ 2 ） 2718-3666
传真： <886> （ 2 ） 2718-8180
电传： 23222 HAS -TP
日立亚洲（香港）有限公司
第三组（电子元器件）
7日进行Flr ，北塔，世界金融中心，
海港城，广东道，尖沙咀，
香港九龙
联系电话： <852> （ 2 ） 735 9218
传真： <852> （ 2 ） 730 0281
电传： 40815国际展贸中心HX
版权
株式会社日立制作所，2000。保留所有权利。日本印刷。
后记1.0
5
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
HSB88WA
硅肖特基二极管，高速开关
ADE - 208-965 （ Z）
Rev.0
2000年8月
特点
低反向电流，低电容。
CMPAK包是适合于高密度的表面安装和高速装配。
订购信息
型号
HSB88WA
激光标记
C7
封装代码
CMPAK
管脚配置
3
2
1
（ TOP VIEW ）
1阴极
2阴极
3阳极
HSB88WA
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
反向电压
平均整流电流
结温
储存温度
注：每一个设备。
符号
V
R
I
O
*
Tj
TSTG
价值
10
15
125
55
+125
单位
V
mA
°C
°C
电气特性
（ TA = 25 ° C） *
项
正向电压
反向电流
电容
电容偏差
正向电压偏差
防静电能力*
2
1
符号最小值
V
F1
V
F2
I
R1
I
R2
C
C
V
F
典型值
最大
单位
测试条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
V
R
= 2 V
V
R
= 10 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= 10毫安
C = 200 pF的， R = 0
,
正向和
反向1脉冲。
0.350
0.500
30
0.420 V
0.580
0.2
10
0.80
0.10
10
pF
pF
mV
V
A
注：1。每一个设备。
2.破坏准则;我
R
> 0.4 μA
在V
R
= 2 V
Rev.0 ， 2000年8月， 5个2页
HSB88WA
主要特点
10
-2
10
-5
反向电流I R（ A）
正向电流I
F
(A)
10
-3
10
-6
Ta=75°C
10
-7
10
-4
Ta=75°C
Ta=25°C
10
-5
10
-8
Ta=25°C
10
-6
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
正向电压V
F
(V)
-9
0
5
10
15
反向电压V R （V ）
图2反向电流与反向电压
图1正向电流与正向电压
f=1MHz
10
（PF ）
电容C
1.0
0.1
0.1
1.0
反向电压V R （V ）
图3电容与反向电压
10
Rev.0 ， 2000年8月， 5个3页
HSB88WA
硅肖特基二极管，高速开关
ADE - 208-965 （ Z）
Rev.0
2000年8月
特点
低反向电流，低电容。
CMPAK包是适合于高密度的表面安装和高速装配。
订购信息
型号
HSB88WA
激光标记
C7
封装代码
CMPAK
管脚配置
3
2
1
（ TOP VIEW ）
1阴极
2阴极
3阳极
HSB88WA
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
反向电压
平均整流电流
结温
储存温度
注：每一个设备。
符号
V
R
I
O
*
Tj
TSTG
价值
10
15
125
55
+125
单位
V
mA
°C
°C
电气特性
（ TA = 25 ° C） *
1
项
正向电压
符号最小值
V
F1
V
F2
反向电流
I
R1
I
R2
电容
电容偏差
正向电压偏差
防静电能力*
2
C
C
V
F
典型值
最大
单位
测试条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
A
V
R
= 2 V
V
R
= 10 V
pF
pF
mV
V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= 10毫安
C = 200 pF的， R = 0
,
正向和
反向1脉冲。
0.350
0.500
30
0.420 V
0.580
0.2
10
0.80
0.10
10
注：1。每一个设备。
2.破坏准则;我
R
> 0.4 μA
在V
R
= 2 V
2
HSB88WA
主要特点
10
-2
10
-5
反向电流I R（ A）
正向电流I
F
(A)
10
-3
10
-6
Ta=75°C
10
-7
10
-4
Ta=75°C
Ta=25°C
10
-5
10
-8
Ta=25°C
10
-6
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
正向电压V
F
(V)
-9
0
5
10
15
反向电压V R （V ）
图2反向电流与反向电压
图1正向电流与正向电压
f=1MHz
10
电容C
（PF ）
1.0
0.1
0.1
1.0
反向电压V R （V ）
图3电容与反向电压
10
3
HSB88WA
包装尺寸
单位：mm
2.0
±
0.2
0.1
0.3
+ 0.05
(0.425)
0.16
0.06
2.1
±
0.3
+ 0.1
1.25
±
0.1
0
0.1
1.3
±
0.2
0.2
0.9
±
0.1
(0.65) (0.65)
(0.425)
0.1
0.3
+ 0.05
0.1
0.3
+ 0.05
日立代码
JEDEC
EIAJ
质谱（参考值）
CMPAK
符合
0.006 g
4
HSB88WA
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1.日立公司并不保证或日立或任何权利，任何第三方的专利授权许可，
本文档中包含的信息，版权，商标或其他知识产权。
日立公司承担着可能出现的第三方的权利问题，包括不承担任何责任
知识产权与使用本文档中包含的信息连接。
2.产品和产品规格可能会随时更改，恕不另行通知。确认您拥有
收到最终的设计，购买或使用前的最新产品标准或规范。
3.日立一切努力，以确保其产品的高品质和可靠性。不过，
使用该产品，要求特别高的应用程序之前，请联系日立的销售办事处
质量和可靠性或者它的失效或故障可能直接威胁人的生命或造成危险
人身伤害，如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，
交通，安全设备，或用于生命支持医疗器械。
4.设计你的应用程序，使产品由日立公司保证范围内使用特别
对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射等特性，安装
条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时
超越了保障范围。即使在保障范围内，考虑通常预期
失败率或半导体器件的失效模式，并采用系统性的措施，如故障 -
保险柜，使结合日立产品的设备不会造成人身伤害，火灾或其它
间接损失是由于日立产品的操作。
5，本产品不设计成抗辐射。
6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分，而不
书面批准日立。
7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi半导体任何问题
产品。
株式会社日立制作所
半导体&集成电路。
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联系电话：东京（ 03 ） 3270-2111传真： （ 03 ） 3270-5109
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北美洲
欧洲
亚洲
日本
:
:
:
:
http://semiconductor.hitachi.com/
http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg
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日立半导体
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179东塔斯曼驱动器，
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日立欧洲公司
电子元件组
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D- 85622克恩，慕尼黑
德国
联系电话： <49> （ 89 ） 9 9180-0
传真： <49> （ 89 ） 9 29 30 00
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电子元件组。
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较低的Cookham路
梅登黑德
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台北分公司
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台湾
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传真： <886> （ 2 ） 2718-8180
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日立亚洲（香港）有限公司
第三组（电子元器件）
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海港城，广东道，尖沙咀，
香港九龙
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传真： <852> （ 2 ） 730 0281
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株式会社日立制作所，2000。保留所有权利。日本印刷。
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5
产品speci fi cation
HSB88WA
特点
低反向电流，低电容。
CMPAK包是适合于高密度的表面安装和高速装配。
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
V è RS电子V LTA克é
A V ê RA克えれ tifie D C ④此吨
加利 TIO N TE米P·Eラ恩重
S到RA克éて米P·Eラ恩重
S YM BOL
V
R
I
O
T
j
T
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伏鲁é
10
15
125
-5 5 + 1 2 5
加利IT
V
mA
电气特性TA = 25
参数
正向电压
符号
V
F
条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
反向电流
电容
电容偏差
正向电压偏差
防静电能力（注1 ）
记
1.破坏准则;我
R
0.4
一个在V
R
=2 V
I
R
C
C
V
F
V
R
=2 V
V
R
=10 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
R
= 0V中，f = 1 MHz的
I
F
= 10毫安
C = 200 pF的， R = 0
正向和
30
民
0.35
0.50
典型值
最大
0.42
0.58
0.2
10
0.80
0.10
10
A
pF
pF
mV
V
单位
V
反向1脉冲。
记号
记号
C7
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4008-318-123
1 1
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HM5212325FBP-B60
HD15-6-AG
HDSP-K513-FG500
H/MSA3106A18-10PZ-D
HDSP-4603-II200
HVC363
HMC392LH5
HD74AC138FP
HY5S6B6DSFP-BE
HS635-64.9MHZ
HD74ALVC1G06
HAL508SF-A
HN624416NFB-12
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