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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HA200201
发行日期: 2002年1月1日
修订日期: 2005年2月14日
页页次: 1/4
HSB647A
PNP硅外延
描述
低频功率放大器互补配对HSD667A 。
绝对最大额定值
TO-92
最高温度
储存温度........................................................................................................................... -55 + 150
°C
结温..................................................................................................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(T
A
= 25℃) ............................................................................................................... 900毫瓦
最大电压和电流(T
A
=25°C)
V
CBO
集电极 - 基极电压........................................................................................................................ -120 V
V
首席执行官
集电极到发射极电压..................................................................................................................... -100 V
V
EBO
发射器基极电压............................................................................................................................... -5 V
I
C
集电极电流( DC ) ..................................................................................................................................... -1
I
CP
集电极电流(峰值) ................................................................................................................................. -2 A
电气特性
(T
A
=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
*V
CE ( SAT )
V
BE(上)
*h
FE1
*h
FE2
f
T
COB
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
直流电流传输比1
直流电流传输比2
增益带宽积
集电极输出电容
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-120
-100
-5
-
-
-
60
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
140
20
-
-
-
-10
-1
-1.5
200
-
-
-
pF
V
V
V
uA
V
V
测试条件
I
C
= -100uA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,R
BE
=∞
I
E
= -10uA ,我
C
=0
V
CB
= -100V ,我
E
=0
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-150mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-150mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-500mA
兆赫V
CE
= -5V ,我
C
=-150mA
V
CB
= -10V , F = 1MHz时,我
E
=0
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
中hFE1分类
范围
B
60-120
C
100-200
HSB647A
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
特性曲线
电流增益&集电极电流
1000
的hFE @ V
CE
=5V
10000
V
CE( s的)
@ I
C
=10I
B
规格。编号: HA200201
发行日期: 2002年1月1日
修订日期: 2005年2月14日
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饱和电压&集电极电流
125 C
饱和Volltage (毫伏)
o
1000
的hFE
100
25 C
75 C
o
o
100
125 C
o
25 C
o
75 C
o
10
1
10
100
1000
10
1
10
100
1000
集电极电流-I
C
(MA )
集电极电流-I
C
(MA )
电压&集电极电流
1000
75 C
125 C
o
o
截止频率&集电极电流
1000
25 C
o
截止频率(MHz )
..
.
上压(MV )
的fT @ V
CE
=5V
V
BE(上)
@ V
CE
=5V
100
1
10
100
1000
100
0.1
1
10
100
集电极电流-I
C
(MA )
集电极电流-I
C
(MA )
电容&反向偏置电压
100
功率降额
1000
900
功耗- PD (MW )
800
700
600
500
400
300
200
100
电容(pF)
COB
10
1
0.1
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
o
120
140
160
反向偏置电压(V )
环境温度- TA( C)
HSB647A
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
TO-92维
A
B
1
2
3
规格。编号: HA200201
发行日期: 2002年1月1日
修订日期: 2005年2月14日
页页次: 3/4
α
2
标记:
无铅标志
无铅: "
.
& QUOT ;
(注)
普通:无
H
SB
6 4 7 A
控制代码
α
3
日期代码
注:绿色标签用于无铅封装
C
D
插针形式: 1.Emitter 2.Collector 3.Base
材质:
铅焊料镀层:近共晶Sn60 / Pb40软(普通)
SN / 3.0Ag / 0.5Cu的或纯锡(无铅)
模具化合物:环氧树脂系列,
易燃固体燃烧等级: UL94V- 0
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
α1
α2
α3
分钟。
4.33
4.33
12.70
0.36
-
3.36
0.36
-
-
-
-
-
马克斯。
4.83
4.83
-
0.56
*1.27
3.76
0.56
*2.54
*1.27
*5°
*2°
*2°
H
I
E
F
G
* :典型,单位:mm
α
1
3引脚TO- 92塑料包装
HSMC包装代码:一个
TO- 92编带尺寸
暗淡
A
D
D1
D2
F1,F2
H
H1
H2
H2A
H3
H4
L
L1
P
P1
P2
T
T1
T2
W
W1
分钟。
4.33
3.80
0.36
4.33
2.40
15.50
8.50
-
-
-
-
-
2.50
12.50
5.95
50.30
-
-
0.36
17.50
5.00
马克斯。
4.83
4.20
0.53
4.83
2.90
16.50
9.50
1
1
27
21
11
-
12.90
6.75
51.30
0.55
1.42
0.68
19.00
7.00
单位:mm
H2
H2
H2A H2A
D2
A
H3
H4 H
L
L1
H1
F1F2
T2
T
T1
P1
P
P2
D1
D
W1
W
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不HSMC的事先书面批准。
HSMC保留随时修改其产品,恕不另行通知。
HSMC半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
HSMC自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂:
总公司
(高诚微电子公司) : 10F ,没有。 61 ,秒。 2 ,中山北路。台北台湾中华民国
联系电话: 886-2-25212056传真: 886-2-25632712 , 25368454
工厂1 :
38号,光复南路,福寇新竹工业园区新竹台。 R.O.C
电话: 886-3-5983621 5传真: 886-3-5982931
HSB647A
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
焊接方法HSMC的产品
1.存储环境:温度= 10
o
C~35
o
C湿度为65 % ± 15 %
表面贴装器件2.回流焊
图1 :温度曲线
t
P
T
P
斜升
T
L
Ts
最大
温度
t
L
规格。编号: HA200201
发行日期: 2002年1月1日
修订日期: 2005年2月14日
页页次: 4/4
关键区域
T
L
给T
P
Ts
t
S
预热
减速
25
t 25
o
C到峰值
时间
廓特征
平均升温速率(T
L
给T
P
)
预热
- 最低温度( TS
)
- 温度最高( TS
最大
)
- 时间(min到最大) (TS)的
在Tsmax至T
L
- 升温速率
时间保持高于:
- 温度(T
L
)
- 时间(t
L
)
峰值温度(T
P
)
在5个时间
o
实际的峰值了C
温度(T
P
)
下降斜率
25时
o
C到峰值温度
3.流(波)焊接(焊接浸渍)
制品
铅设备。
无铅器件。
的Sn -Pb共晶组件
<3
o
C /秒
100
o
C
150
o
C
60 120秒
<3
o
C /秒
183
o
C
60-150秒
240
o
C +0/-5
o
C
10 30秒
<6
o
C /秒
<6分钟
无铅封装
<3
o
C /秒
150
o
C
200
o
C
60 180秒
<3
o
C /秒
217
o
C
60-150秒
260
o
C +0/-5
o
C
20 40秒
<6
o
C /秒
<8分钟
峰值温度
245
o
C
±5
o
C
260
o
C +0/-5
o
C
浸渍时间
5sec
±1sec
5sec
±1sec
HSB647A
HSMC产品规格
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HSB647A
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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