HS-82C08RH
TM
数据表
2000年8月
网络文件编号
3040.3
抗辐射8位总线收发器
Intersil的HS- 82C08RH是一种抗辐射八路总线
收发器与三态输出。它是利用制造
自对准，结隔离的CMOS工艺，是
设计用于HS- 80C08RH抗辐射应用
微处理器。该HS- 82C08RH允许异步
数据总线之间的双向通信。方向
数据的溢流是通过在所述逻辑电平来确定
发射/接收（T / R ）输入。逻辑高电平的T / R输入
特定网络连接ES数据溢流从端口A的设备的端口B 。
相反，在T / R输入特定网络连接ES数据溢流逻辑低
从端口B到A口输出使能输入禁用这两个
端口通过将它们放置在高阻抗状态。
在HS- 82C08RH非常适合于各种
在抗辐射微电脑缓冲应用
系统。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-95714 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/space.asp
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-95714
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
辐射性能
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100拉德（SI ）（最大）
- 闭锁免疫EPI -CMOS 。 。 。 。 。 >1 ×10
12
RAD （SI ） / S
双向三态输入/输出
低传播延迟时间
低功耗
单电源供电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
电相当于桑迪亚SA2997
军用温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
订购信息
订购数量
5962R9571401QRC
5962R9571401QXC
5962R9571401VRC
5962R9571401VXC
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-82C08RH-8
HS9-82C08RH-8
HS1-82C08RH-Q
HS9-82C08RH-Q
真值表
输入
手术
发送
/接收
0
1
X
端口A
OUT
In
高Z
端口B
In
OUT
高Z
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
工作原理图
A0
B0
产量
启用
0
A1
A2
A3
端口A4
A
A5
A6
A7
B1
B2
B3
B4港
B
B5
B6
B7
0
1
X =无关
T / R
OE
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权所有 Intersil公司2000
HS-82C08RH
引脚配置
20引脚陶瓷双列LINEMETAL ，密封组件
（ SBDIP ） MIL -STD- 1835 ， CDIP2 -T20
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
DD
19 B0
18 B1
17 B2
16 B3
15 B4
14 B5
13 B6
12 B7
11 T / R
20引脚陶瓷金属SEALFLATPACK包装
（ FLATPACK ） MIL -STD- 1835 ， CDFP4 -F20
顶视图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
OE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
DD
B0
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
T / R
GND 10
针
A0-A7
B0-B7
描述
本地总线数据I / O引脚
系统总线数据I / O引脚
针
T / R
OE
描述
发送/接收输入
低电平有效输出使能
逻辑图
A0
1
TSB
TSB
A1
2
TSB
TSB
A2
3
TSB
TSB
A3
4
TSB
TSB
A4
5
TSB
TSB
A5
OE 9
6
B启用
A6
T/R11
A7
8
7
a启用
TSB
TSB
TSB
TSB
12
B7
TSB
TSB
13
B6
14
B5
15
B4
16
B3
17
B2
18
B1
19
B0
注：一个重要的警告是适用于一般的CMOS器件是未使用的输入不应该离开浮动。此规则适用于
输入端连接到一个三态总线。在期间三态总线条件无需外部上拉电阻是由存在淘汰
再生锁存以下HS- 82C08RH引脚。 A0-7和B0-7的功能框图描述了这些引脚与再生1
锁存器。当CMOS驱动器呈高阻抗状态时，锁存器保持在任何逻辑状态（高或低）的总线它是三之前
状态条件。的瞬时驱动电流
±1.5mA
在V
DD
/2
±0.5V
为10ns的要求切换的闩锁。因此， CMOS器件的输入连接到
在三态条件下的公交车不准FL燕麦。
2
HS-82C08RH
模具特点
DIE尺寸：
76.0密耳X 89.4密耳×14密耳
±1
米尔
界面材料：
玻璃钝化：
类型：二氧化硅
2
厚度： 8K
±1k
顶级金属化：
类型：硅 - 铝
厚度： 11K
±2k
金属掩模布局
HS-82C08RH
(20) V
DD
(1) A0
(19) B0
A1 (2)
(18) B1
A2 (3)
(17) B2
A3 (4)
(16) B3
A4 (5)
(15) B4
A5 (6)
(14) B5
A6 (7)
(13) B6
A7 (8)
GND （10）
T / R （ 9 ）
OE （ 9 ）
(12) B7
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ISO9000
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