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HS-54C138RH
1996年2月
抗辐射
3线至8线译码器/多路解复用器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16
顶视图
A 1
B 2
C 3
G2A 4
G2B 5
G1 6
Y7 7
GND 8
16 VDD
15 Y0
14 Y1
13 Y2
12 Y3
11 Y4
10 Y5
9 Y6
特点
依照设备QML QUALI网络版
MIL-PRF-38535
详细的电气和筛选要求是
包含在SMD # 5962-95825和Intersil公司的质量管理计划
抗辐射EPI -CMOS
- 总剂量1 ×10
5
RAD (SI )
- 闭锁免疫> 1 ×10
12
RAD (SI ) / S
多输入使能很容易地扩展
单电源+ 5V
输出低电平
低待机功率( 0.5MW最大为+ 5V )
高噪声抗扰度
相当于桑迪亚SA2995
总线兼容Intersil的抗辐射80C85RH
整个军用温度范围-55
o
C至+ 125
o
C
描述
Intersil的HS- 54C138RH是硬化的3-8线的放射线
采用硬化EPI -CMOS辐射解码器制造亲
塞斯。它具有低功耗,高抗干扰,
和高速。同时展出的还有引脚和功能兼容
与54LS138行业标准的一部分。该HS- 54C138RH是
非常适用于高速内存片选地址
解码。其目的是为与Intersil的HS- 80C85RH使用
辐射硬化的微处理器,但它也可以被用来作为
解复用器在任何低功耗抗辐射应用。
在HS- 54C138RH包含一个八个二进制解码器。
的三比特二进制输入用于选择和激活的每一个
8个输出,提供的三个芯片使能输入是
也存在(见真值表) 。
该HS- 54C138RH具有一个片上启用门。活跃
高( G1)和两个低电平有效( G2A , G2B )输入是与运算
在一起,以提供一个单一的使能输入到设备中。该
利用两种活性高,低电平有效投入最小化
无需外部栅极扩展系统时。
16引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 -F16
顶视图
A
B
C
G2A
G2B
G1
Y7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
Y0
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
订购信息
产品型号
5962R9582501QEC
5962R9582501QXC
5962R9582501VEC
5962R9582501VXC
HS1-54C138RH/SAMPLE
HS9-54C138RH/SAMPLE
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
MIL -PRF- 38535级Q
MIL -PRF- 38535级Q
MIL -PRF - 38535等级V
MIL -PRF - 38535等级V
样品
样品
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
规格编号
网络文件编号
1
518053
3037.2
特定网络阳离子HS- 54C138RH
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
I / O电压的应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V至VDD + 0.3V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W 29
o
C / W
在125的最大封装功耗
o
C环境
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.75V至+ 5.25V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至1.0V
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VDD - 1.0V至VDD
表1. DC电性能等特点
A组
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
7,图8A ,8B
范围
温度
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-
-1
4.25
0.5
-
-
最大
1
-
-
-
100
-
单位
A
A
V
V
A
-
参数
输入漏电流
输入漏电流
高电平输出
电压
低电平输出
电压
静态电流
功能测试
符号
IIH
IIL
VOH
VOL
经济自立灌排区
FT
条件
VDD = 5.25V , VIN = 0V ,
被测= VDD引脚
VDD = 5.25V , VIN = 5.25V ,
被测= 0V引脚
VDD = 4.75V , IIN = -2mA
VDD = 5.25V , IIN = 2毫安
VDD = 5.25V , VIN = GND
VDD = 5.25V和4.75V ,
VIH = VDD - 1.0V , VIL = 1.0V
注:所有设备都保证在最坏的情况下,限制和条件。
表2. AC电性能等特点
范围
参数
符号
集团的子
群体
温度
最大
单位
选择要输出的传播延迟时间
从低到高层次的输入,以高
低电平输出
从低到高电平输入,低
高电平输出
高低电平输入,低
高电平输出
高低电平输入,高
低电平输出
TPHL11
9, 10, 11
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-
110
ns
TPLH11
9, 10, 11
-
65
ns
TPLH12
9, 10, 11
-
75
ns
TPHL12
9, 10, 11
-
90
ns
使能到输出的传播延迟时间
从低到高电平输入,低
高电平输出
TPLH21
9, 10, 11
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-
70
ns
规格编号
2
518053
HS-54C138RH
表2. AC电气性能特性(续)
范围
参数
从低到高层次的输入,以高
低电平输出
高低电平输入,低
高电平输出
高低电平输入,高
低电平输出
符号
TPHL21
集团的子
群体
9, 10, 11
温度
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-
最大
105
单位
ns
TPLH22
9, 10, 11
-
70
ns
TPHL22
9, 10, 11
-
105
ns
注:输出时序与容性负载, CL = 100pF的, VIH = 3.75V测量, VIL = 1.0V 。
表3.电气性能特性
范围
参数
输入电容
符号
CIN
条件
VDD =开, F = 1MHz时,所有的测量
参考接地装置
VDD =开, F = 1MHz时,所有的测量
参考接地装置
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
最大
10
单位
pF
输出电容
COUT
-
10
pF
注:在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制的,并且不直接测试。这些参数是
其特征在初始设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
表4. POST 100K RAD电性能等特点
注意:
邮政辐照试验条件和限制是相同于表1和表2中列出。
表5. BURN -IN DELTA参数( +25
o
℃;建立符合SMD )
规格编号
3
518053
HS-54C138RH
金属化拓扑
DIE尺寸:
76密耳X 63密耳×14密耳
±1
米尔
金属化:
类型:铝硅
厚度: 11K
±2k
玻璃钝化:
类型:二氧化硅
厚度: 8K
±1k
金属掩模布局
HS-54C138RH
( 8 ) GND
Y5 (10)
(6) G1
(9) Y6
(7) Y7
( 5 ) G2B
Y4 (11)
(4) G2A
Y3 (12)
(3) C
Y2 (13)
Y1 (14)
VDD (16)
A (1)
Y0 (15)
B (2)
规格编号
4
518053
HS-54C138RH
典型的应用包括需要多个系统
输入/输出端口和存储器。当HS- 54C138RH
已启用的八个输出1将变低。此输出
可以用于选择一个特定的设备或一组
设备。在HS- 54C138RH也可以级联到
提供更大的系统的一个有效的办法,并允许
一个解码器,以控制其他8解码器,在图1中。
图2示出了CON组fi guration可用于启用
多个I / O端口或存储设备。高达24个内存
设备或I / O端口可以使用该电路进行控制。
对于多路分解器操作,这三个中的一个使能输入的
作为数据输入的,而其他两个输入使能。
所发送的数据被分配到的适当的输出
由3-线选择输入来确定。参见图3 。
选择
选择B
启用
HS-54C138RH
Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0
其他
器件
“1” “0”
启用
“1” “0”
启用
“1” “0”
启用
HS-54C138RH
Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0
HS-54C138RH
Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0
HS-54C138RH
Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0
图1
EN
EN
EN A4
A3
A2 A1 A0
G1 G2A G2B
C
B
A
G1 G2A G2B
C
B
A
G1 G2A G2B
C
B
A
Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0
Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0
Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0
端口号或芯片选择
图2
数据
输入
EN
EN
G1 G2A G2B
C
SELECT
B
A
Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0
科幻gure 3
规格编号
5
518053
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HS9-54C138RH
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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