HS-5104ARH
TM
数据表
2001年8月
网络文件编号
3025.4
抗辐射的低噪声四
运算放大器连接器
TLE
-
4A
-
IA-
d-
该HS- 5104ARH是抗辐射的，单芯片4通道
运算放大器，可提供高度可靠
表现在恶劣的辐射环境。其优异的
再加上一个独特的阵列噪声特性
动态参数使该放大器非常适合于一
各种卫星系统的应用程序。介电
孤立的，双极性处理使得该器件免疫
单粒子闩锁。
在HS- 5104ARH表示偏移电压几乎没有变化
暴露于100kRAD （Si）的γ射线，只有一个后
轻微的电流增加。除了这些规格
是超过40K的辐射后的开环增益。
这四通道运算放大器儿可在一个行业
标准引脚，允许直接互换
与大多数其他四通道运算放大器器。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-95690 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
http://www.intersil.com
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-95690
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
辐射环境
- 剂量伽玛（γ ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1× 10
5
Rad公司（SI ）
- 低噪声
- 在1kHz 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.3nV / √Hz的（典型值）
- 在1kHz 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6pA / √Hz的（典型值）
低失调电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .3.0mV （最大）
高转换率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0V / μs（典型值）
增益带宽积。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.0MHz （典型值）
se
d
岭
al
pli-
寿
-
ds
r-
宝
n,
i-
或者，
IA-
d-
,
应用
高Q，有源滤波器
稳压器
集成
信号发生器
电压参考
空间环境
订购信息
订购数量
5962R9569001V9A
5962R9569001VCC
5962R9569001VXC
国内
MKT 。 NUMBER
HS0-5104ARH-Q
HS1-5104ARH-Q
HS9-5104ARH-Q
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
25
-55至125
-55至125
-55至125
HS1-5104ARH / PROTO HS1-5104ARH / PROTO
引脚配置
HS- 5104ARH （ SBDIP ） CDIP2 - T14
顶视图
出1
-IN1
+IN1
V+
+IN2
-IN2
输出2
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
出4
-IN4
+IN4
V-
+IN3
-IN3
OUT 3
出1
-IN1
HS- 5104ARH （ FLATPACK ） CDFP3 - F14
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
出4
-IN4
+IN4
V-
+IN3
-IN3
OUT 3
d,
L,
+IN1
V+
+IN2
-IN2
输出2
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil美洲公司的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2001，保留所有权利
HS-5104ARH
老化电路
1
2
R1
3
+V
C1
4
D1
R2
5
6
7
+
2
3
+
1
4
+
14
辐照电路
+15V
R4
12
11
R3
10
D2
C2
-V
-
+
-
13
+
-
-15V
（作者四分之一）
-
-
9
8
注意事项：
5. +V = 15V
6. -V = -15V
7. E组样本量= 4模具每片晶圆
注意事项：
1. R 1 = R 2 = R 3 = R 4 = 1MW ，5％， 1 / 4W （最小值）
2. C1 = C2 = 0.01μF /插座（最小值）或0.1μF /行（最小值）
3， D1 = D2 = IN4002或等效/板
4. |(V+) - (V-)| = 31V
±1V
2
HS-5104ARH
模具特点
DIE尺寸：
95密耳X 99密耳×19密耳
±1
密尔
（ 2420μm X 2530μm X 483μm
±25.4m)
界面材料：
玻璃钝化：
类型：氮化物（ SI3N4 ）在二氧化硅层（ SIO2 ， 5 ％磷酸）。
二氧化硅层厚度： 12K
±2k
氮化物厚度： 3.5K
±1.5k
顶级金属化：
牌号的Al ， 1 ％的Cu
厚度： 16K
±2k
基材：
双极电介质隔离
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位
（电） ：
持平
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
175
金属掩模布局
HS-5104ARH
+IN2
V+
+IN1
-IN2
-IN1
OUT2
OUT3
OUT1
OUT4
-IN3
-IN4
+IN3
V-
+IN4
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
http://www.intersil.com
3
HS-5104ARH
数据表
1999年8月
网络文件编号
3025.3
抗辐射的低噪声四
运算放大器连接器
该HS- 5104ARH是抗辐射的，单芯片4通道
运算放大器连接器，提供高可靠性
表现在恶劣的辐射环境。其优异的
再加上一个独特的阵列噪声特性
动态连接特定的阳离子使这个放大器呃非常适合于一个
各种卫星系统的应用程序。介电
孤立的，双极性处理使得该器件免疫
单粒子闩锁。
在HS- 5104ARH表示偏移电压几乎没有变化
暴露于100kRAD （Si）的γ射线，只有一个后
轻微的电流增加。除了这些规格
是超过40K的辐射后的开环增益。
这四通道运算放大器儿可在一个行业
标准引脚，允许直接互换
与大多数其他四通道运算放大器器。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-95690 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
http://www.intersil.com/spacedefense/space.htm
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-95690
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
辐射环境
- 剂量伽玛（γ ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1× 10
5
Rad公司（SI ）
- 低噪声
- 在1kHz 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.3nV / √Hz的（典型值）
- 在1kHz 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6pA / √Hz的（典型值）
低失调电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0mV （最大值）
高转换率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0V / μs（典型值）
增益带宽积。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.0MHz （典型值）
应用
高Q，有源滤波器
稳压器
集成
信号发生器
电压参考
空间环境
订购信息
订购数量
5962R9569001V9A
5962R9569001VCC
5962R9569001VXC
国内
MKT 。 NUMBER
HS0-5104ARH-Q
HS1-5104ARH-Q
HS9-5104ARH-Q
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
25
-55至125
-55至125
-55至125
HS1-5104ARH / PROTO HS1-5104ARH / PROTO
引脚配置
HS- 5104ARH （ SBDIP ） CDIP2 - T14
顶视图
出1
-IN1
+IN1
V+
+IN2
-IN2
输出2
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
出4
-IN4
+IN4
V-
+IN3
-IN3
OUT 3
出1
-IN1
+IN1
V+
+IN2
-IN2
输出2
HS- 5104ARH （ FLATPACK ） CDFP3 - F14
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
出4
-IN4
+IN4
V-
+IN3
-IN3
OUT 3
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
HS-5104ARH
老化电路
1
2
R1
3
+V
C1
4
D1
R2
5
6
7
+
2
3
+
1
4
+
14
辐照电路
+15V
R4
12
11
R3
10
9
8
D2
C2
-V
-
+
-
13
+
-15V
（作者四分之一）
-
-
-
注意事项：
5. +V = 15V
6. -V = -15V
7. E组样本量= 4模具每片晶圆
注意事项：
1. R 1 = R 2 = R 3 = R 4 = 1MW ，5％， 1 / 4W （最小值）
2. C1 = C2 = 0.01μF /插座（最小值）或0.1μF /行（最小值）
3， D1 = D2 = IN4002或等效/板
4. |(V+) - (V-)| = 31V
±1V
2
HS-5104ARH
模具特点
DIE尺寸：
95密耳X 99密耳×19密耳
±1
密尔
（ 2420μm X 2530μm X 483μm
±25.4m)
界面材料：
玻璃钝化：
类型：氮化物（ SI3N4 ）在二氧化硅层（ SIO2 ， 5 ％磷酸）。
二氧化硅层厚度： 12K
±2k
氮化物厚度： 3.5K
±1.5k
顶级金属化：
牌号的Al ， 1 ％的Cu
厚度： 16K
±2k
基材：
双极电介质隔离
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位
（电） ：
持平
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
175
金属掩模布局
HS-5104ARH
+IN2
V+
+IN1
-IN2
-IN1
OUT2
OUT3
OUT1
OUT4
-IN3
-IN4
+IN3
V-
+IN4
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
http://www.intersil.com
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