HS- 4424RH ， HS- 4424BRH
数据表
1999年6月
网络文件编号
4739.1
抗辐射双通道，非反相
功率MOSFET驱动器
该抗辐射HS- 4424RH和HS- 4424BRH是
非反相，双通道，单片高速MOSFET驱动器
设计转换TTL电平信号转换成高电流
在电压高达18V的输出。
这些设备的输入是TTL兼容的，并且可以是
我们的HS- 1825ARH PWM装置或直接驱动我们
ACS / ACTS和HCS / HCTS型逻辑器件。快速上升
时间和高电流输出允许非常快速的控制
高栅极电容的功率MOSFET ，像我们的抗辐射
FS055 ，在高频应用。
高电流输出减少功率损耗
的MOSFET通过快速充电和放电的栅极
电容。输出级包括一个低电压
锁定了电路，使输出为三态模式
当电源电压降至10V的
HS- 4424RH和7.5V的HS- 4424BRH 。
构建了Intersil的介质隔离抗辐射
硅栅（RSG ） BiCMOS工艺，这些设备是
免疫单粒子闩锁，并已具体来说
旨在提供在苛刻的性能高度可靠
辐射环境。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-99560 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/space.asp
特点
电筛选， DESC SMD ＃ 5962-99560
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
辐射环境
- 总剂量（最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3×10
5
Rad公司（SI ）
- 闭锁免疫
- 低剂量率免疫
I
PEAK
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2A （最小值）
匹配的上升和下降时间（C
L
= 4300pF ） 。 。 。 75ns （最大值）
低电压锁定功能
- HS- 4424RH 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 < 10.0V
- HS- 4424BRH 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 < 7.5V
宽电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V至18V
传播延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为250ns （最大值）
一致的延迟时间与V
CC
变化
低功耗
- 40mW功率与输入高
- 具有20mW的低投入
低等效输入电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 .3.2pF （典型值）
ESD保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >4000V
应用
开关电源
DC / DC转换
电机控制器
订购信息
订购数量
5962F9956001VXC
5962F9956001QXC
HS9-4424RH/Proto
5962F9956002VXC
5962F9956002QXC
HS9-4424BRH/Proto
国内
MKT 。 NUMBER
HS9-4424RH-Q
HS9-4424RH-8
HS9-4424RH/Proto
HS9-4424BRH-Q
HS9-4424BRH-8
HS9-4424BRH/Proto
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
引脚
HS- 4424RH ， HS- 4424BRH （ FLATPACK CDFP4 - F16 ）
顶视图
NC
IN A
NC
GND之间的
GND B
NC
IN B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
NC
OUT A
OUT A
V
CC
V
CC
OUT B
OUT B
NC
注：引脚4和5,10和11,12和13 ， 14和15是双
键合到管芯的相同电点。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司1999
QQ：2880707522 复制
