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HS-4080ARH
数据表
Febuary 2000
网络文件编号
4563.3
抗辐射全桥
N沟道FET驱动器
在HS- 4080ARH是单片,高频率,介质
电压全桥N沟道FET驱动器IC 。该装置
包括一个TTL电平输入比较器,它可以用来
方便的“滞后”与PWM工作模式。其
HEN (高电平使能)铅可以强制电流在空转
底部的两个外部功率MOSFET ,保持上
功率MOSFET关闭。在HS- 4080ARH非常适合于使用
在分布式直流电源和DC到DC转换器,
因为它可以进行高频切换。
这些设备还可以驱动中压电机和
2 HS- 4080ARHs可用于驱动高性能
步进电机中,由于短最小“导通时间”可
提供网络连接NE微步进功能。
短传播延迟,最大限度地控制环路交叉
频率和死区时间,可以调节到接近
零,以减少失真,产生的精确控制
驱动负载。
构建了Intersil的介质隔离抗辐射
硅栅(RSG )的过程中,这些设备是免疫的
单粒子闩锁,并已具体来说设计
以提供在严酷的辐射性能高度可靠
环境。完成设计与辐射
硬化的MOSFET Intersil公司。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布( DSCC ) 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-99617 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
http://www.intersil.com/spacedefense/space.htm
特点
电筛选,以SMD # 5962-99617
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
辐射环境
- 伽马剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300kRAD (SI )(最大)
- 闩锁免疫性RSG DI流程
驱动N沟道场效应管全桥包括高边
印章能力
自举电源电压最大为95V
DC
TTL比较器输入电平
驱动1000pF的负载上升和下降为50ns的时间
用户可编程死区时间
电荷泵和Bootstrap维持偏上
耗材
DIS (禁用)引脚上拉盖茨低
工作在单电源供电。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V至18V
低功耗
欠压保护
应用
全桥电源
PWM运动控制
订购信息
订购数量
5962F9961701VSC
5962F9961701QSC
HS9-4080ARH/Proto
国内
MKT 。 NUMBER
HS9-4080ARH-Q
HS9-4080ARH-8
HS9-4080ARH/Proto
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
引脚
HS- 4080ARH ( FLATPACK , CDFP3 -F20 )
顶视图
BHB
HEN
DIS
VSS
OUT
IN +
IN-
HDEL
LDEL
AHB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
BHO
BHS
BLO
BLS
VDD
VCC
ALS
ALO
AHS
AHO
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
HS-4080ARH
HS- 4080ARH初步引脚说明
1
符号
BHB
描述
B高端自举电源。外部自举二极管和电容是必需的。连接自举的阴极
二极管和自举电容的积极一面此引脚。内部电荷泵提供50μA从这个引脚保持
自举电源。内部电路钳位自举电源为15V左右。
高边使能输入。逻辑电平输入,当低覆盖+ / IN- (引脚6,7)把AHO和BHO司机
(引脚11和20)在低输出状态。当HEN高AHO和BHO是通过IN + / IN-输入端进行控制。该引脚
由0V的信号电平驱动到18V (不大于Vout
DD
) 。内部100μA拉至V
DD
将举行HEN高,所以
如果高侧和低侧输出要由IN + / IN -inputs控制不需要的连接。
禁止输入。逻辑电平输入,当采取高集中的所有四个输出低电平。 DIS高覆盖所有其他投入。当
DIS被拉低的输出由其他输入控制。该引脚可通过0V至18V (信号电平来驱动无
大于V
DD
) 。内部100μA拉至V
DD
将于DIS高,如果这个引脚没有驱动。
片上负电源,一般是地面。
输出输入控制比较。此轨至轨输出信号,可用于反馈和滞后。
控制比较器的同相输入端。该引脚只能由0V的信号电平,以5.5V驱动。如果IN +大
比─(引脚7 )然后ALO和BHO是低电平输出, BLO和AHO为高电平输出。如果IN +是小于
IN-然后ALO和BHO是高层次输出和BLO和AHO是低电平输出。 DIS (引脚3 )较高的水平
覆盖IN + / IN-控制所有输出。 HEN (引脚2 )低的水平将覆盖AHO和BHO的+ / IN-控制。当
在四个象限模式切换时,死区时间在半电桥臂是由HDEL和LDEL控制(管脚8和9)。
反相控制比较器的输入端。该引脚只能由0V的信号电平,以5.5V驱动。见+ (引脚6 )
说明。
高边导通延迟。从这个引脚到V连接电阻
SS
设置定时电流德网络网元的导通延迟
高边驱动器。低侧驱动器关断无延时可调,所以HDEL电阻无担保
直通通过延迟高边驱动器的导通。 HDEL参考电压大约为5.1V 。
低边导通延迟。从这个引脚到V连接电阻
SS
设置定时电流德网络网元的导通延迟
低边驱动器。高侧驱动器关断无延时可调,所以LDEL电阻,保证不拍摄开启
通过延迟所述低端驱动器的导通。 LDEL参考电压大约为5.1V 。
高边自举电源。外部自举二极管和电容是必需的。连接自举的阴极
二极管和自举电容的积极一面此引脚。内部电荷泵提供30μA从这个引脚保持
自举电源。内部电路钳位自举电源为15V左右。
高侧输出。连接到高侧功率MOSFET的栅极。
高边源的连接。连接到高侧功率MOSFET的源极。连接引导的负面
电容此引脚。
低侧输出。连接至低侧功率MOSFET的栅极。
低边源的连接。连接至低侧功率MOSFET的源极。
正电源栅极驱动器。必须是相同的电势为V
DD
(引脚16 ) 。连接到两个自举二极管的阳极。
正电源,以更低的栅极驱动器。必须是相同的电势为V
CC
(引脚15 ) 。德夫妇此引脚到V
SS
( 4针) 。
B低端源连接。连接到B低侧功率MOSFET的源极。
B低端输出。连接到B低侧功率MOSFET的栅极。
B高边源的连接。连接到B的高侧功率MOSFET的源极。连接引导的负面
电容此引脚。
B高侧输出。连接到B的高侧功率MOSFET的栅极。
2
HEN
3
DIS
4
5
6
V
SS
OUT
IN +
7
IN-
8
HDEL
9
LDEL
10
AHB
11
12
AHO
AHS
13
14
15
16
17
18
19
ALO
ALS
V
CC
V
DD
BLS
BLO
BHS
20
BHO
2
HS-4080ARH
应用框图
80V
12V
BHO
BHS
HEN
DIS
HS-4080ARH
IN +
IN-
ALO
AHS
AHO
BLO
负载
GND
GND
典型应用(迟滞模式切换)
80V
1 BHB
12V
DIS
2 HEN
3 DIS
HS-4080ARH
4 V
SS
5 OUT
6V
IN
6 IN +
7 IN-
8 HDEL
9 LDEL
10 AHB
BHO 20
BHS 19
BLO 18
BLS 17
V
DD
16
V
CC
15
ALS 14
ALO 13
AHS 12
AHO 11
12V
负载
GND
-
+
6V
GND
3
HS-4080ARH
模具特点
DIE尺寸:
4760μm X 5660μm ( 188密耳X 223密耳)
厚度: 483μm
±25.4m
( 19密耳
±1
MIL )
界面材料:
玻璃钝化:
类型:磷硅玻璃
厚度: 8.0k
±1.0k
顶级金属化:
类型: AlSiCu
厚度: 16.0k
±2k
基材:
抗辐射硅栅,
介质隔离
背面表面处理:
大会相关信息:
衬底电位:
无偏( DI )
附加信息:
最坏情况下的电流密度:
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量:
432
金属掩模布局
HS-4080ARH
16
17
18
15
14
13
19
20
1
12
11
10
9
2
8
3
7
4
5
6
Intersil所有半导体产品的制造,组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此,告诫读者,以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而,承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯,可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息,请参阅网站
www.intersil.com
4
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