HS-26CLV31RH
数据表
2009年5月28日
FN4898.2
抗辐射3.3V四路差动
线路驱动器
[ /标题
（ HS-
26C31
RH ）
/ Subje
ct
（的Radia
化
Harde
NED
四
各色
微分方程边值问题
LINE
驱动程序）
/ Autho
r ()
/ KEYW
ords
（半成品
il
CORPO
比，
SEMIC
onduc
器，
Radiat
离子
Harde
斯内德，
RH ，
拉德
硬，
QML ，
卫星颗
e,
SMD ，
类
V,
数据
Intersil的HS- 26CLV31RH是一种抗辐射3.3V
四路差分线路驱动器，设计用于数字数据
传输过平衡线路，在低电压，RS-422
协议的应用。 CMOS工艺保证了低功耗
消耗量，高速，并在最可靠的操作
严重的辐射环境。
该HS- 26CLV31RH接受CMOS电平输入和转换
这些差分输出。使能引脚允许多个器件
被连接到相同的数据源和处理
独立。该设备具有独特的输出，成为
当驱动程序被禁用或高阻抗断电，
保持在多驱动器应用的信号完整性。
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-96663
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
1.2微米抗辐射CMOS
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300拉德（SI ）（最大）
- 单粒子翻转LET 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100MeV /毫克/平方厘米
2
)
- 单粒子闩锁免疫性
极低的待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 .100μA （最大）
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0V至3.6V
CMOS电平输入。 。 .V
IH
> （ 0.7 ） （V
DD
); V
IL
< （ 0.3 ） （V
DD
)
差分输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
OH
> 1.8V ; V
OL
＆ LT ; 0.5V
高阻抗输出时禁用或供电
下
低输出阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10Ω或以下
-55 ° C至+ 125°C军用温度范围
无铅（符合RoHS ）
特定网络阳离子
规格为抗辐射QML装置通过控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时这里列出的数字必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-96663 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/military/
应用
为MIL -STD- 1553串行数据总线发送器
订购信息
订购数量
（注）
5962F9666302QEC
5962F9666302QXC
5962F9666302VEC
5962F9666302VXC
HS1-26CLV31RH/PROTO
HS9-26CLV31RH/PROTO
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-26CLV31RH-8
HS9-26CLV31RH-8
HS1-26CLV31RH-Q
HS9-26CLV31RH-Q
HS1-26CLV31RH/PROTO
HS9-26CLV31RH/PROTO
最热
Q 5962F96 66302QEC
Q 5962F96 66302QXC
Q 5962F96 66302VEC
Q 5962F96 66302VXC
HS1- 26CLV31RH / PROTO
HS9- 26CLV31RH / PROTO
TEMP 。 RANGE
(°C)
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
包
（无铅）
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
PKG 。
DWG 。 ＃
D16.3
K16.A
D16.3
K16.A
D16.3
K16.A
注意：这些Intersil无铅密封包装的产品采用100％的金盘 - E4终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2000 ， 2008 ， 2009版权所有
卫星应用流量 （ SAF ）是Intersil公司的商标。提及的所有其他商标均为财产的
HS-26CLV31RH
引脚配置
HS1-26CLV31RH
（ 16 LD SBDIP ）
CDIP2-T16
顶视图
AIN 1
AO 2
AO 3
ENABLE 4
BO 5
BO 6
7 BIN
GND 8
16 VDD
15 DIN
14 DO
13 DO
12 ENABLE
11 CO
10 CO
9 CIN
艾因
AO
AO
启用
BO
BO
箱子
GND
HS9-26CLV31RH
（ 16 LD FLATPACK ）
CDFP4-F16
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
DIN
DO
DO
启用
CO
CO
CIN
逻辑图
启用
启用
DIN
CIN
箱子
艾因
DO
DO
CO
CO
BO
BO
AO
AO
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计，软件和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅www.intersil.com
2
FN4898.2
2009年5月28日
HS-26CLV31RH
TM
数据表
2000年8月
网络文件编号
4898
抗辐射3.3V四路差动
线路驱动器
Intersil的HS- 26CLV31RH是一种抗辐射3.3V
四路差分线路驱动器，设计用于数字数据
传输过平衡线路，在低电压，RS-422
协议的应用。 CMOS工艺保证了低功耗
消耗量，高速，并在最可靠的操作
严重的辐射环境。
该HS- 26CLV31RH接受CMOS电平输入和转换
这些差分输出。使能引脚允许多个器件
被连接到相同的数据源和处理
独立。该设备具有独特的输出，成为
当驱动程序被禁用或高阻抗断电，
保持在多驱动器应用的信号完整性。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-96663 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/space.htm
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-96663
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
1.2微米抗辐射CMOS
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300拉德（SI ）（最大）
- 单粒子翻转LET 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .100MeV /毫克/平方厘米
2
)
- 单粒子闩锁免疫性
极低的待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 100μA （最大值）
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0V至3.6V
CMOS电平输入。 。 。 。 V
IH
> （ 0.7 ） （V
DD
); V
IL
< （ 0.3 ） （V
DD
)
差分输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
OH
> 1.8V ; V
OL
＆ LT ; 0.5V
高阻抗输出时禁用或供电
下
低输出阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10Ω或以下
全-55
o
C至125
o
军用温度范围
引脚配置
HS1-26CLV31RH （ SBDIP ）
CDIP2-T16
顶视图
AIN 1
AO 2
AO 3
ENABLE 4
BO 5
BO 6
7 BIN
GND 8
16 V
DD
15 DIN
14 DO
13 DO
12 ENABLE
11 CO
10 CO
9 CIN
订购信息
订购数量
5962F9666302QEC
5962F9666302QXC
5962F9666302V9A
5962F9666302VEC
5962F9666302VXC
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-26CLV31RH-8
HS9-26CLV31RH-8
HS0-26CLV31RH-Q
HS1-26CLV31RH-Q
HS9-26CLV31RH-Q
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
25
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
HS1-26CLV31RH / PROTO HS1-26CLV31RH / PROTO
HS9-26CLV31RH / PROTO HS9-26CLV31RH / PROTO
逻辑图
启用
启用
DIN
CIN
箱子
艾因
HS9-26CLV31RH （ FLATPACK ）
CDFP4-F16
顶视图
艾因
AO
AO
启用
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
DIN
DO
DO
启用
CO
CO
CIN
DO DO
CO CO
BO BO
AO AO
BO
BO
箱子
GND
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权所有 Intersil公司2000
HS-26CLV31RH
模具特点
DIE尺寸：
96.5密耳X 195密耳×21密耳
(2450 x 4950)
界面材料：
玻璃钝化：
类型： PSG （磷硅玻璃）
厚度： 8K
±
1k
金属化：
下图：莫/钨化钛
厚度： 5800
±
1k
上图： AlSiCu （上）
厚度： 10K
±
1k
基材：
AVLSI1RA
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位（电） ：
V
DD
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
焊垫尺寸：
110μm X 100μm的
金属掩模布局
HS-26CLV31RH
(16) V
DD
(16) V
DD
（15）， DIN
（ 14 ） DO
（ 13 ） DO
（ 12 ）启用
（ 11 ） CO
（ 10 ） CO
CIN （9）
（1）氮化铝
AO （ 2 ）
AO （ 3 ）
ENABLE （ 4 ）
BO （ 5 ）
BO （ 6 ）
BIN （ 7 ）
ND （ 8 ）
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
www.intersil.com
2
ND （ 8 ）
QQ：2880707522 复制
