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HS-26C32RH
TM
数据表
2000年8月
网络文件编号
3402.3
抗辐射四路差分线路
接收器
Intersil的HS- 26C32RH是一个差分线路接收器
设计用于在平衡线路的数字数据传输
和符合EIA标准RS- 422的要求。
抗辐射CMOS工艺保证了低功耗
消耗量，高速，并在最可靠的操作
严重的辐射环境。
该HS- 26C32RH具有典型的200mV的输入灵敏度
以上的共模输入电压范围
±7V.
该
接收器还配备了输入故障安全电路，
这会导致输出变为逻辑“1”的输入时
是开放的。启用和禁用功能，适用于所有
四个接收器。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-95689 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/space.asp
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-95689
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
1.2微米抗辐射CMOS
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300拉德（SI ）（最大）
闭锁免费
EIA RS - 422兼容输入
CMOS兼容输出
输入故障安全电路
高阻抗输入时，禁用或断电
低功耗138mW待机（最大）
单5V电源
全-55
o
C至125
o
军用温度范围
引脚配置
HS1-26C32RH 16引脚陶瓷DIP SIDEBRAZE
MIL- STD- 1835 ： CDIP2 -T16
顶视图
AIN 1
16 VDD
15 BIN
14 BIN
13 BOUT
12 ENABLE
11 DOUT
10 DIN
9 DIN
订购信息
订购号
5962F9568901QEC
5962F9568901QXC
5962F9568901V9A
5962F9568901VEC
5962F9568901VXC
内部MKT 。 NO 。
HS1-26C32RH-8
HS9-26C32RH-8
HS0-26C32RH-Q
HS1-26C32RH-Q
HS9-26C32RH-Q
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
25
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
艾因
AIN 2
AOUT 3
ENABLE 4
COUT 5
CIN 6
CIN 7
GND 8
HS1-26C32RH / PROTO HS1-26C32RH / PROTO
HS9-26C32RH / PROTO HS9-26C32RH / PROTO
HS9-26C32RH 16 LEAD FLATPACK
MIL- STD- 1835 ： CDFP4 -F16
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
箱子
箱子
布特
启用
DOUT
DIN
DIN
逻辑图
启用
ENABLE DIN DIN
CIN CIN
彬彬
AIN AIN
艾因
AOUT
启用
COUT
CIN
CIN
+
-
+
-
+
-
+
-
GND
DOUT
COUT
布特
AOUT
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权所有 Intersil公司2000
HS-26C32RH
传播延迟时序图
传播延迟负载电路
TEST
点
DUT
-V
IN
输入
+V
IN
= 0V
t
PLH
V
OH
V
S
= 50%
V
OL
产量
C
L
= 50pF的
R
L
= 1000
t
PHL
0V
-2.5V
C
L
R
L
+2.5V
三态低时序图
V
IH
V
S
V
SS
T
PZL
V
OZ
V
T
V
OL
产量
V
W
T
PLZ
输入
三态高时序图
V
IH
V
S
V
SS
t
PZH
V
OH
V
T
V
OZ
产量
V
W
t
PHZ
输入
三态低电压电平
参数
V
DD
V
IH
V
S
V
T
V
W
GND
HS-26C32RH
4.50
4.50
2.25
50
V
OL
+ 0.5
0
单位
V
V
V
%
V
V
三态高电压下
参数
V
DD
V
IH
V
S
V
T
V
W
GND
HS-26C32RH
4.50
4.50
2.25
50
V
OH
- 0.5
0
单位
V
V
V
%
V
V
三态低负载电路
V
DD
三态高负载电路
TEST
点
DUT
R
L
DUT
C
L
C
L
= 50pF的
C
L
= 50pF的
R
L
= 1000
R
L
= 1000
TEST
点
C
L
R
L
2
HS-26C32RH
模具特点
DIE尺寸：
84密耳X 130密耳
（ 2140μm X 3290μm ）
界面材料：
玻璃钝化：
类型：二氧化硅
2
厚度： 10K
±
1k
顶级金属化：
M1 ：莫/ TIW
厚度： 5800
M2 ：铝/硅/铜
厚度： 5800
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
焊垫尺寸：
110μm X 100μm的
金属掩模布局
HS-26C32RH
艾因
(1)
V
DD
(16)
箱子
(15)
AIN（ 2）
(14) B
IN
A
OUT
(3)
(13) B
OUT
ENAB （4）
（ 12 ） ENAB
C
OUT
(5)
(11) D
OUT
C
IN
(6)
(10) D
IN
(7)
CIN
(8)
GND
(9)
DIN
3
HS-26C32RH
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
www.intersil.com
网络连接CE总部销售
北美
Intersil公司
邮政信箱883 ，邮件停止53-204
墨尔本， FL 32902
电话： （ 321 ） 724-7000
传真： （ 321 ） 724-7240
欧洲
Intersil的SA
美居中心
100街德拉引信
1130布鲁塞尔，比利时
TEL ： （ 32 ） 2.724.2111
FAX ： （ 32 ） 2.724.22.05
亚洲
Intersil公司有限公司
8F -2， 96秒。 1 ，建北郭，
台北，台湾104
中华民国
电话： 886-2-2515-8508
传真： 886-2-2515-8369
4
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HDSP-A411-AM000
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