HS-139RH
数据表
2004年12月22日
FN3573.3
抗辐射四路电压
比较
该抗辐射HS- 139RH由四个
在一个独立的单电源或双电源电压比较器
单片基板。共模输入
电压范围包括地面，从一个操作，即使
单电源，低电源电流使这些
比较器适用于低功耗应用。这些
类型被设计为与TTL直接连接和
CMOS 。
在HS- 139RH制造在我们的介质隔离
抗辐射硅栅（ RSG）的过程中，它提供了一个
免疫单事件闭锁和能力
表现在任何辐射环境非常可靠。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时下列SMD号码必须使用。
详细的电气连接特定的阳离子为HS- 139RH是
载于SMD 5962-98613 。 “热链接”提供
在我们的主页与下载说明。
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp
特点
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
辐射环境
- 闭锁免费在任何条件
- 总剂量（最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3×10
5
Rad公司（SI ）
- SEU LET阈值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20MeV /厘米
2
/毫克
- 低剂量率影响免疫
100V输出电压耐受能力
ESD保护>3000V
差分输入电压范围等于电源
电压
输入失调电压（V
IO
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为2mV （最大值）
静态电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2毫安（最大）
应用
脉冲发生器
定时电路
电平转换
模拟到数字的转换
订购信息
订购
数
5962F9861301VCC
5962F9861301QCC
HS1-139RH/Proto
5962F9861301VXC
5962F9861301QXC
HS9-139RH/Proto
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-139RH-Q
HS1-139RH-8
HS1-139RH/Proto
HS9-139RH-Q
HS9-139RH-8
HS9-139RH/Proto
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
引脚配置
s
HS- 139RH （ SBDIP CDIP2 - T14 ）
顶视图
OUT 2 1
OUT 1 2
V+ 3
- 在1 4
+ IN 1 5
- 在2 6
+ IN 2 7
14 OUT 3
13个4
12 GND
11 + 4 IN
10 - 在4
9 + 3中的
8条 - 3
HS- 139RH （ FLATPACK CDFP3 - F14 ）
顶视图
输出2
出1
V+
- IN 1
+ IN 1
- IN 2
+ IN 2
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
OUT 3
出4
GND
+ IN 4
- 在4
+ IN 3
- 在3
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1999年， 2004年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HS-139RH
模具特点
DIE尺寸：
3750μm X 2820μm （ 148密耳X 111密耳）
483m
±
25.4μm （ 19密耳
±
1密耳）
界面材料：
玻璃钝化：
类型： SILOX （SIO
2
)
厚度： 8.0k
±
1.0k
顶级金属化：
类型： AlSiCu
厚度： 16.0k
±
2k
基材：
抗辐射硅栅，介质隔离
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位：
无偏（ DI ）
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
49
金属掩模布局
HS-139RH
GND
(12)
+IN4
(11)
-IN4
(10)
OUT4
(13)
+IN3
(9)
OUT3
(14)
-IN3
(8)
+IN2
(7)
OUT2
(1)
-IN2
(6)
OUT1
(2)
V+
(3)
-IN1
(4)
+IN1
(5)
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计，软件和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅www.intersil.com
2
FN3573.3
2004年12月22日
HS-139RH
数据表
2009年5月19日
FN3573.4
抗辐射四路电压
比较
该抗辐射HS- 139RH由四个
在一个独立的单电源或双电源电压比较器
单片基板。的共模输入电压
范围包括地面，从单一的操作，即使
供应，低电源电流使这些比较
适用于低功耗应用。这些类型的人
旨在与TTL和CMOS直接连接。
在HS- 139RH制造在我们的介质隔离
抗辐射硅栅（ RSG）的过程中，它提供了一个
免疫单事件闭锁和能力
表现在任何辐射环境非常可靠。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时下列SMD号码必须使用。
详细的电气连接特定的阳离子为HS- 139RH是
载于SMD 5962-98613 。 “热链接”提供
在我们的主页与下载说明。
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp
特点
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
辐射环境
- 闭锁免费在任何条件
- 总剂量（最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3×10
5
Rad公司（SI ）
- SEU LET阈值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20MeV /厘米
2
/毫克
- 低剂量率影响免疫
100V输出电压耐受能力
ESD保护>3000V
差分输入电压范围等于电源
电压
输入失调电压（V
IO
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为2mV （最大值）
静态电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2毫安（最大）
无铅（符合RoHS ）
应用
脉冲发生器
定时电路
电平转换
模拟到数字的转换
订购信息
订购数量
（注）
5962F9861301VCC
5962F9861301QCC
HS1-139RH/PROTO
5962F9861301VXC
5962F9861301QXC
HS9-139RH/PROTO
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-139RH-Q
HS1-139RH-8
HS1-139RH/PROTO
HS9-139RH-Q
HS9-139RH-8
HS9-139RH/PROTO
部分
记号
Q 5962F98 61301VCC
Q 5962F98 61301QCC
HS1-139RH / PROTO
Q 5962F98 61301VXC
Q 5962F98 61301QXC
HS9-139RH / PROTO
TEMP 。 RANGE
(°C)
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
包
（无铅）
14 Ld的SBDIP
14 Ld的SBDIP
14 Ld的SBDIP
14 Ld的扁平
14 Ld的扁平
14 Ld的扁平
包
图号
D14.3
D14.3
D14.3
K14.A
K14.A
K14.A
注意：这些Intersil无铅密封包装的产品采用100％的金盘 - E4终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1999年， 2004年， 2008年， 2009年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产
HS-139RH
引脚配置
s
HS-139RH
（ SBDIP CDIP2 - T14 ）
顶视图
OUT 2 1
OUT 1 2
V+ 3
- 在1 4
+ IN 1 5
- 在2 6
+ IN 2 7
14 OUT 3
13个4
12 GND
11 + 4 IN
10 - 在4
9 + 3中的
8条 - 3
输出2
出1
V+
- IN 1
+ IN 1
- IN 2
+ IN 2
HS-139RH
（ FLATPACK CDFP3 - F14 ）
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
OUT 3
出4
GND
+ IN 4
- 在4
+ IN 3
- 在3
模具特点
DIE尺寸：
3750μm X 2820μm （ 148密耳X 111密耳）
483m
±25.4m
（ 19密耳
±1
MIL ）
界面材料：
玻璃钝化：
类型： SILOX （SIO
2
)
厚度： 8.0k
±1.0k
顶级金属化：
类型： AlSiCu
厚度： 16.0k
±2k
基材：
抗辐射硅栅，介质隔离
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位：
无偏（ DI ）
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
49
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计，软件和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅www.intersil.com
2
FN3573.4
2009年5月19日
QQ：2880707522 复制
