HS-2600RH
数据表
1999年8月
网络文件编号
3650.1
抗辐射宽带，高
阻抗运算放大器器
HS- 2600RH是强化内部补偿辐射
双极运算放大器呃，具有非常高的输入
阻抗再加上宽带的AC性能。该
输入级的高电阻的补充低
失调电压（ 4mV的
最大
在25
o
下的HS- 2600RH ）和低
偏置和失调电流（ 10nA的最大25
o
下HS- 2600RH ）
方便准确的信号处理。偏移电压可
通过外部调零的装置，进一步降低
电位器。其4V /μs的最小转换速率为25
o
C和
为100kV / V在25最小开环增益
o
C开启的
HS- 2600RH进行快速高增益放大器阳离子，
宽带信号。这些动态特性，耦合
与快速建立时间，使这些放大器器非常适合
脉冲放大器阳离子设计，以及高频或
视频应用。该放大器ER的频率响应
可以根据通过的一个手段，以精确的设计要求
外部带宽控制电容。其他高
性能设计，如高增益，低失真的音频
放大器器，高Q值和宽带有源滤池和高
高速比较器，此部分优秀的用途。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-95671 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/space.asp
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-95671
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
高输入阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100MΩ （最小值）
500MΩ （典型值）
高转换率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3V / μs的（最小）
7V / μs（典型值）
低输入偏置电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在10nA （最大）
为1nA （典型值）
低输入失调电流（ HS- 2600RH ） 。 。 。 。 。 。 4mV的（最大）
宽带单位增益带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .12MHz （典型值）
输出短路保护
总伽马剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10kRAD （SI ）
应用
视频放大器器
脉冲放大器器
高Q值有源滤波器
高速比较器
低失真振荡器
引脚
HS7-2600RH （ CERDIP ） GDIP1 -T8
OR
HS7B - 2600RH （ SBDIP ） CDIP2 -T8
顶视图
订购信息
订购数量
5962D9567101VPA
5962D9567101VPC
国内
MKT 。 NUMBER
HS7-2600RH-Q
HS7B-2600RH-Q
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
BAL
-IN
+ IN
V-
1
2
3
4
8
COMP
V+
OUT
BAL
–
+
7
6
5
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
HS-2600RH
测试电路
+V
CC
0.1
100K
1打开
2 S3A
S1
OPEN 2
S2
OPEN 2
100K 2
1
开放
S3B
V
AC
2
1
1
1
2
S5A
DUT
1 S6
+
开放
1
S5B 1
S8
2
10K
x2
E
OUT
5K
2
1 S4
50K
所有电阻=
±1%
()
所有的电容=
±10%
(F)
开放
3
1
S9
2
V2
1
S7
3
BAL 2
ADJ
2
500K
- 1
+
+
卜FF器
开放
1
2K
100pF
FOR环路稳定性，
使用MIN值电容
为了防止振荡
50K
包括杂散
电容
-1/10
AC
OUT
V1
2K
0.1
1
-V
EE
100
100
注：有关详细信息，请参阅HS- 2600RH测试技术简介。
测试波形
简化测试电路
V
AC
+
-
2k
V
OUT
100pF
压摆率波形
+5.0V
输入
-5.0V
+ SL
-SL
+5.0V
+5.0V
75%
25%
-5.0V
V
产量
V
+5.0V
75%
25%
-5.0V
-5.0V
T
SR =
V
T
T
过冲，上升和下降时间波形
V
最终科幻
= + 200mV的
0V
10%
产量
-200mV
t
r
， + OS
t
f
， -OS
t
r
t
f
10%
0V
90%
V
PEAK
-200mV
+200mV
输入
0V
0V
V
PEAK
90%
注意：
测量正反两方面的转变。电容补偿引脚应最小。
2
HS-2600RH
老化电路
HS- 2600RH CERDIP
1
2
R
1
3
V-
D
2
4
C
2
+
8
7
6
5
C
3
C
1
V+
D
1
注意事项：
1. R
1
= 1M,
±5%,
1 / 4W （最小值）
2. C
1
= C
2
= 0.01μF /插座（最小值）或0.1μF /行（最小值）
3. C
3
= 0.01μF /插座（ 10 ％ ）
4. D
1
= D
2
= IN4002或等效/板
5. | (V+) - (V-) | = 30V
辐照电路
C
1
2
R
3
V
2
C
4
6
5
8
C
7
V
1
GND
注意事项：
6. V
1
= +15V
±10%
7. V
2
= -15V
±10%
8. R = 1MΩ
±5%
9. C = 0.1μF
±10%
3
HS-2600RH
模具特点
DIE尺寸：
69密耳X 56密耳×19密耳
±1
密尔
1750μm X 1420μm X 483μm
±25.4m
界面材料：
玻璃钝化：
类型：氮化物（ SI3N4 ）在二氧化硅层（ SIO2 ， 5 ％磷酸）。
二氧化硅层厚度： 12K
±2k
氮化物厚度： 3.5K
±1.5k
顶级金属化：
牌号的Al ， 1 ％的Cu
厚度： 16K
±2k
基材：
线性双极DI
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位
（电） ：
持平
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
140
金属掩模布局
+ IN
-IN
HS-2600RH
BAL
V-
COMP
BAL
V+
OUT
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