HS-1135RH
数据表
1999年8月
网络文件编号
4099.2
抗辐射，高速，低
电源电流反馈放大器与ER
可编程输出限制
在HS- 1135RH是硬化的辐射，高速，低
电源电流反馈放大器呃建成Intersil的
专有的互补双极UHF -1（去离子键合晶片）
流程。他们QML批准并全面处理
符合MIL -PRF- 38535 。该扩增fi er功能
通过V用户可编程的输出限制，
H
和V
L
销。
该HS- 1135RH是高速的理想选择，低
需要输出限制（例如，佛罗里达州灰A / D电源应用
驱动程序） ，特别是那些需要快速过载恢复
次。限制功能允许设计人员设置
最大和最小输出电平，以保护下游
阶段，从损坏或输入饱和。子
纳秒级过载恢复时间，确保尽快恢复
线性操作下超速状态。
分量和复合视频系统也获益科幻吨来自
这款运算放大器的性能，通过增益平坦度指示，
和差分增益和相位特定网络连接的阳离子。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-96767 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
http://www.intersil.com/spacedefense/space.htm
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-96767
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
用户可编程输出电压限制
快速过驱动恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ＆ LT ; 1纳秒（典型值）
低电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6.9毫安（典型值）
宽-3dB带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .360MHz （典型值）
高转换率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1200V / μs（典型值）
高输入阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2MΩ （典型值）
出色的增益平坦度（至50MHz ） 。 。 。 。 。 。
±0.07dB
（典型值）
总伽马剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300kRAD （SI ）
闭锁。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无（ DI技术）
应用
闪存A / D驱动器
视频转换和路由
脉冲和视频放大器器
宽带放大器器
RF / IF信号处理
成像系统
引脚
HS-1135RH
GDIP1 - T8 （ CERDIP ）
或CDIP2 -TI （ SBDIP ）
顶视图
订购信息
订购数量
5962F9676701VPA
5962F9676701VPC
HS7-1135RH/PROTO
国内
MKT 。 NUMBER
HS7-1135RH-Q
HS7B-1135RH-Q
HS7-1135RH/PROTO
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
NC
-IN
+ IN
V-
1
2
3
4
8
V
H
V+
OUT
V
L
-
+
7
6
5
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
HS-1135RH
CLAMP操作
一般
该HS- 1135RH具有用户可编程输出钳位
限制输出电压偏移。获得钳位作用
通过施加电压至V
H
和V
L
端子（引脚8和5）
的扩增fi er 。 V
H
设置上输出限制，而V
L
套
下钳位电平。如果放大器试图以驱动输出
上述V
H
或低于V
L
中，钳位电路限制输出
电压V
H
或V
L
（夹具ACCUR立方码）表示。该
a
钳位引脚低输入偏置电流使他们成为
通过简单的电阻分压器电路或有源元件驱动
如放大器或DAC的。
钳位输入浮动。类似的描述也适用于
对称的低钳位电路由V控制
L
.
当输出被钳位，负输入继续
源一回转电流（I
钳
） ，企图强制
输出由输入所定义的静态电压。 Q
P5
必须
这下沉电流，同时夹紧，因为-IN电流
始终镜像到高阻抗节点。夹紧
电流被计算为（Ⅴ
-IN
- V
OUT
)/R
F
。作为一个例子，一个
采用V单位增益电路
IN
= 2V, V
H
= 1V ，且R
F
= 510Ω会
有我
钳
= （2-1） / 510Ω = 1.96毫安。请注意，我
CC
将
增加我
钳
当输出钳位限制。
夹具精度
夹紧的输出电压不会是完全相等的
电压施加到V
H
或V
L
。偏移误差，主要是由于V
BE
不匹配，必要的夹具精度参数，该参数是
在设备规范中找到。夹紧精度的函数
的夹紧条件。再次参看图1 ，它可以
可以看出，钳准确性一种组分是V
BE
在Q之间不匹配
X6
晶体管，和Q
X5
晶体管。
如果晶体管总是运行在相同的电流电平有
就没有V
BE
失配，并以没有贡献
不准确。在Q
X6
晶体管被偏置在一恒定
电流，但如前面所述，电流通过Q
X5
is
相当于我
钳
. V
BE
随着我
钳
的增加，
使钳位输出电压增加为好。我
钳
是过驱动电平的函数（Ⅴ
-IN
-V
OUTCLAMPED
）和
R
F
，所以夹紧精度降低的超速增长，或
为R
F
减小。作为一个例子，在指定的精度
±60mV
为2X超速带有R
F
= 510Ω降低到
±220mV
对于R
F
= 240Ω在相同的过驱动，或以
±250mV
为3X
超速带有R
F
= 510.
考虑，还必须考虑的事实，即钳
电压对放大器的线性度尔的效果。该
“非线性近钳位电压”曲线数据表
示于线性几个钳位电平的影响。
钳位电路
图1示出了HS- 1135RH的一个简化的示意性
输入级，而高钳（Ⅴ
H
）电路。如同所有的
电流放大器器反馈，有一个单位增益缓冲器（Q
X1
- Q
X2
）的正和负输入端之间。此缓冲区
力-IN跟踪+ IN，并设置了一个回转电流（V
-
IN
- V
OUT
)/R
F
。这个电流被镜像到高
阻抗节点（z）由Q
X3
-Q
X4
，在那里它被转换成一个
电压和馈给经由另一单位增益缓冲器的输出。如果
没有夹紧被利用，高阻抗节点可摆动
极限德网络由Q定义之内
P4
和Q
N4
。注意，当
输出达到它的静态值，当前的超欠佛罗里达州
通过-IN被减少到只有很小的电流（-I
BIAS
)
以保持在网络最终电压输出要求。
V+
Q
P3
Q
P4
50K
(30K
对于V
L
)
Z
+1
V
H
Q
N5
Q
P2
Q
P5
Q
N6
Q
P6
Q
N4
200
Q
N2
Q
P1
+ IN
V-
V+
Q
N1
I
钳
R
1
钳范围
不像一些竞争对手的设备，无论是V
H
和V
L
有可用的
范围跨越0V 。而V
H
必须比V更积极
L
,
既可以是正的或负的范围限制内
在规范中表示。例如，在HS- 1135RH
可以通过设置V限于ECL的输出电平
H
= -0.8V和
V
L
= -1.8V. V
H
和V
L
可被连接到相同的电压
（ GND为实例） ，但结果不会在一个DC输出
电压从交流输入信号。 A 150 - 200mV的交流信号
仍然存在于所述输出。
Q
N3
V-
-IN
R
F
（外部）
V
OUT
图1： HS- 1135RH简化V
H
钳位电路
追踪从V路径
H
到Z所示的效果
夹紧高阻抗节点上的电压。 V
H
降低
由2V
BE
（ QN6和QP6 ）成立于QP5的基极电压。
QP5开始导通时的高阻抗节点
达到相当于QP5的基地+ 2V的电压
BE
（ QP5和
QN5 ） 。因此， QP5夹，只要Z达到V节点Z
H
.
R1可拉网，以确保与功能
恢复从高速
输出电压保持在钳位电平，只要
过载情况依然存在。当输入电压下降
下面的过驱动电平（V
钳
/A
VCL
）的扩增fi er会
返回线性操作。一时间延迟，被称为
过驱动恢复时间，为此需要恢复
线性操作。 “非钳位性能”的情节和
“钳位性能”突出的HS- 1135RH的
2
HS-1135RH
亚纳秒恢复时间。之间的差
松开夹紧和传播延迟是超速
恢复时间。适当的传输延迟4.0ns
为松开脉冲，和4.8ns用于夹紧（2X
超速）脉冲产生的过载恢复时间
800PS 。测量使用的输出的90％点
过渡，以确保线性操作已恢复。注意：
示出的传播延迟是由主导
科幻xturing 。所示的三角形是准确的，但真正的
HS- 1135RH传播延迟为500ps 。
电路板的布局和原理图如下所示：
V
H
1
+ IN
V
L
OUT
V+
V-
GND
使用模具的混合应用
该扩增fi er设计与补偿否定
封装寄生效应，通常会导致不稳定。作为
结果是，在混合用途中的结果的使用模具的
过补偿性能适当降低寄生
电容。减少
F
下面的推荐值
用于包装的单位将解决这个问题。一
V
= 2的
建议的出发点是300Ω ，而单位增益
应用程序应该尽量400Ω 。
图2A 。顶面布置图
PC板布局
该扩增fi er的频率性能取决于一个伟大的
处理上的护理，在设计印刷电路板采取的量。
使用低电感元件，如芯片
电阻和贴片电容，强烈推荐，
而在硬地面上是必须的！
应注意，以去耦的电源。
大值（ 10μF ）钽电容并联一个较小的值
芯片（ 0.1μF ）电容器适用于大多数情况下。
封端的微带信号线被建议在
输入与该设备的输出。输出电容，如
从不当终止传输造成
线会降低扩增fi er的频率响应和
可能引起振荡。在大多数情况下，振荡可以
通过将串联的电阻与输出避免。
护理也必须考虑到的电容最小化，以
地上看到的放大器器的反相输入端。在此大
电容，坏的增益尖峰，导致脉冲
过冲和可能的不稳定。为此目的，它是
建议将接地平面下除去
连接到引脚2的痕迹，并连接到引脚2应
保持尽可能的短。
良好的高频布局的一个例子是
评价板，如图2所示。
500
图2B 。底部视图
500
V
H
1
8
7
50
6
5
GND
-5V
GND
OUT
V
L
0.1F
10F
+5V
50
IN
2
3
4
10F
0.1F
图2C 。原理图
图2.评估板原理图和布局
评估板
评估板可用于HS- 1135RH ，
（ HFA11XXEVAL ） 。请联系您当地的销售网络连接CE的
信息。
3
HS-1135RH
老化电路
HS- 1135RH CERDIP
R
2
R
1
R
1
D
2
V-
D
1
C
1
1
2
3
4
8
D
2
V+
C
1
D
1
+
-
7
6
5
注意事项：
1. R
1
= 1k,
±5%
（每插槽）
2. R
2
= 10k,
±5%
（每插槽）
3. C
1
= 0.01μF （每插槽）或0.1μF （每行）最低
4. D
1
= 1N4002或同等学历（每局）
5. D
2
= 1N4002或同等学历（每插槽）
6. V+ = +5.5V
±0.5V
7. V- = -5.5V
±0.5V
辐照电路
HS- 1135RH CERDIP
R
2
R
1
R
1
V-
C
2
1
2
3
4
8
+
-
7
6
5
C
1
V+
注意事项：
8. R
1
= 1k,
±5%
9. R
2
= 10k,
±5%
10. C
1
= C
2
= 0.01F
11. V+ = +5.0V
±0.5V
12. V- = -5.0V
±0.5V
4
HS-1135RH
模具特点
DIE尺寸：
59密耳X 58.2密耳×19密耳
±1
米尔
1500μm X 1480μm X 483μm
±25.4m
界面材料：
玻璃钝化：
类型：氮化
厚度： 4K
±0.5k
顶级金属化：
类型：金属1： AICu （2％） /的TiW
厚度：金属1 ： 8K
±0.4k
类型：金属2： AICu （2％）
厚度：金属2 ：16开
±0.8k
基材：
UHF - 1 ，键合晶片， DI
大会相关信息：
衬底电位：
漂浮的
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
＆ LT ; 2×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
89
金属掩模布局
HS-1135RH
-IN
V
H
V+
OUT
+ IN
V-
V
L
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ISO9000
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