HS7541A
12位CMOS乘法DAC
s
±0.5
LSB DNL和INL
s
高稳定性，分段架构
（ 3 MSB公司）
s
专有的低TCR薄膜
电阻器技术
s
低灵敏度输出放大器
OFFSET
s
2KV ESD保护上的所有数字
输入
s
工作在+ 5V至+ 15V电源
耗材
s
AD7541 / 7541A更换
s
低成本
说明
该
HS7541A
是一种低成本，高稳定性的单片12位CMOS四象限乘法DAC 。
它使用一个专有的低的TCR的薄膜的过程，需要构建无激光微调
实现12位性能。该
HS7541A
是一个卓越的引脚兼容的替代产品
行业标准的7541和AD7541A 。这是在商业和工业用
温度范围。它工作在+ 5V至+ 15V的电源电压。它可在18-
引脚塑料DIP和SOIC封装，以及20引脚PLCC封装。
V
REF
[17]
D
11
（ MSB）， [4]
D
10
[5]
D
9
[6]
D
8
[7]
D
7
[8]
D
6
[9]
D
5
[10]
D
4
[11]
D
3
[12]
D
2
[13]
D
1
[14]
D
0
（ LSB）， [15]
20K
20K
20K
20K
20K
20K
20K
20K
20K
20K
20K
20K
10K
10K
10K
10K
10K
10K
10K
10K
10K
10K
10K 20K
I
O2
[2]
I
O1
[1]
10K
V
DD
[16] GND [3]
R
FB
[18]
HS7541A
12位CMOS乘法DAC
版权所有2000 Sipex的公司
1
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
这些压力额定值只，设备的功能操作
在上述的那些操作指示的这些或任何其他
规格部分下面是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
V
DD
到GND ................................................ .................. -0.3V ， + 17V
数字输入电压至GND ................................. -0.3V ，V
DD
+0.3V
V
REF
或V
RFB
到GND ................................................ ................
±25V
输出电压（引脚1 ，引脚2 ） ................................ -0.3V ，V
DD
+0.3V
功率耗散（任何包到+ 75 ° C） ........................为450mW
额定值下降75℃以上由............................................ ..........为6mW /°C的
骰子结温............................................... .. + 150°C
存储温度............................................ -65℃至+ 150°C
引线温度（焊接， 60秒） ........................ + 300℃
注意事项：
ESD （静电放电）敏感
装置。可能会出现永久性损坏
受高耗能设备无关
静电场。未使用的设备必须是
存储在导电泡棉或分流。
工作人员应事先妥善接地
要处理这个设备。保护泡沫
应排出到目的地
设备之前，插座被删除。
特定网络阳离子
(T
A
= 25°C ; V
DD
=+15V, V
REF
= + 10V ;我
O1
= I
O2
= GND = 0V ;单极，除非另有说明）。
参数
静态性能
决议
积分非线性
-AJ ， -AA
-ak ， -AB
微分非线性
-AJ ， -AA
-ak ， -AB
增益误差
-AJ ， -AA
-ak ， -AB
输出漏电流
分钟。
12
典型值。
马克斯。
单位
位
条件
±1.0
±0.5
±1.0
±0.5
±6
±8
±3
±5
±5
±10
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
nA
nA
注6
注5 ; 11位的相对精度
注5 ; 12位相对精度
注7：
注5 ;单调至12位
注5 ;单调至12位
注17
注5
注5
在我
O1
（引脚1 ） ;注18
注5
输出放大器HOS- 050 ;
注8
注9
满量程转换;注10
注5 ;数据输入V
IH
注5 ;数据输入V
IH
注5 ;数据输入V
IL
注5 ;数据输入V
IL
注11
测量输出I
O1
;
注12
测量输出I
O1
;
注13
AC性能特点
传播延迟
目前的稳定时间
输出电容
CI
O1
（引脚16 ）
CI
O2
（引脚15 ）
CI
O1
（引脚16 ）
CI
O2
（引脚15 ）
毛刺能量
倍增馈通误差
100
0.6
200
70
70
200
1,000
1.0
0.1
ns
s
pF
pF
pF
pF
NVS
mV
P-P
mV
P-P
稳定性
增益误差TC
INL TC
DNL TC
电源抑制比
参考输入
输入阻抗
输入电阻TC
电压范围
±1.0
±0.1
±0.1
±0.02
15
±25
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
%/%
K
PPM /°C的
伏
V
DD
= 14 16V
引脚19为GND
注5和14
7
10
±150
HS7541A
12位CMOS乘法DAC
版权所有2000 Sipex的公司
2
特定网络阳离子
（续）
(T
A
= 25°C ; V
DD
=+15V, V
REF
= + 10V ;我
O1
= I
O2
= GND = 0V ;单极，除非另有说明）。
参数
数字输入
逻辑电平
V
IH
V
IL
输入电流
输入电容
1-12位
编码
单极
双极
电源要求
电压范围
电源电流
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
2.4
-0.3
V
DD
2.4
0.8
0.8
±1.0
±10
8
二进制
偏移二进制码
伏
伏
伏
伏
A
A
pF
注5
注5
V
IN
= 0V或V
DD
注5和15
V
IN
= 0;注5和14
注5
+5
2.0
0.2
+15
+16
2.5
2.5
0.5
1.0
伏
伏
mA
mA
mA
mA
注16
注5
所有数字输入V
IL
或V
IH
注5 ;所有数字输入V
IL
or
V
IH
所有数字输入0V或5V至
V
DD
注5 ;所有数字输入0V或
5V到V
DD
环境和机械
工作温度
-ak ， -AJ
0
+70
°C
-AB ， -AA
-40
+85
°C
储存温度
-65
+150
°C
包
-ak ， -AJ
18引脚塑料DIP ， 20引脚PLCC ， 18引脚SOIC
说明和注意事项：
1.
不要在比V任何终端等应用的电压超过VDD或低于GND电位高
REF
或V
RFB
.
2.
数字输入二极管钳位保护，防止静电损坏。然而，可能会出现永久性损坏
来自高能量静电场未保护单元。保持单位导电泡棉在任何时候，直到
准备使用。
3.
使用适当的防静电处理程序。
4.
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个值仅为运行在以上这些规格是不是暗示。
置身于上述最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
5.
从T
民
给T
最大
.
6.
的非线性度被测量为算术平均的最大正的程度的值
偏差，并从任何给定的输入组合的理论值的最大负偏差。
7.
差分非线性距离的1 LSB的理论值对于任何两个输出步骤的偏差
相邻的数字输入代码。
8.
AC性能特点包括仅供设计参考，并有可能只是抽样化验。
9.
R
L
= 100, C
EXT
= 13pF ;所有数据输入0V至V
DD
或V
DD
为0V ;从50％的数字输入变化到90％的最终
模拟输出。
10.
要解决
±0.01%
FSR （选通） ;所有数据输入0V至V
DD
或V
DD
到0V。
11.
V
REF
= 0V ， DAC寄存器交替装载了全0和全1 。
12.
V
REF
= 20V
P-P
; F = 10kHz的正弦波。
13.
V
REF
= 20V
P-P
; F = 1kHz的正弦波。
14.
通过设计保证，但未经生产测试。
15.
逻辑输入MOS盖茨。我
IN
一般小于1nA的25°C 。
16.
精度保证在V
DD
= + 15V只。
17.
使用内部反馈电阻与DAC加载全1测量。
18.
所有数字输入= 0V 。
HS7541A
12位CMOS乘法DAC
版权所有2000 Sipex的公司
3
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