HS-1145RH
数据表
1999年8月
网络文件编号
4227.1
抗辐射，高速，低
功耗电流反馈视频
运算放大器连接器与输出禁用
在HS- 1145RH是一个高速，低功率电流
反馈放大器呃建成Intersil专有
互补双极UHF -1（去离子键合晶片）的过程。
这些设备的QML批准并进行处理和
筛选完全符合MIL -PRF- 38535 。
该扩增fi er设有TTL / CMOS兼容禁用
控制引脚8 ，这时候拉低，降低了供应
当前和强制输出置于高阻抗状态。
这就可以很容易实现的简单，低功耗视频
交换和路由的系统。分量和复合
视频系统也获益科幻吨，从这个运算放大器的出色的增益
平坦度，以及良好的差分增益和相位特定网络连接的阳离子。
多路A / D的应用也将科幻ND的HS- 1145RH
有用的A / D驱动器/多路转换器。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-96830 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
http://www.intersil.com/spacedefense/space.htm
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-96830
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
低电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.9毫安（典型值）
宽-3dB带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .360MHz （典型值）
高转换率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1000V / μs（典型值）
出色的增益平坦度（至50MHz ） 。 。 。 。 。 。
±0.07dB
（典型值）
出色的差分增益。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.02 ％ （典型值）
卓越的微分相位。 。 。 。 。 。 。 。 0.03度（典型值）
高输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.60毫安（典型值）
输出使能/禁止时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 180ns /为35ns （典型值）
总伽马剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300kRAD （SI ）
闭锁。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无（ DI技术）
应用
复用的Flash A / D驱动器
RGB多路复用器/前置放大器
视频转换和路由
脉冲和视频放大器器
宽带放大器器
RF / IF信号处理
订购信息
订购数量
5962F9683001VPA
5962F9683001VPC
国内
MKT 。 NUMBER
HS7-1145RH-Q
HS7B-1145RH-Q
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
成像系统
引脚
HS-1145RH
GDIP1 - T8 （ CERDIP ）
或CDIP2 - T8 （ SBDIP ）
顶视图
NC
-IN
+ IN
V-
1
2
3
4
8
关闭
V+
OUT
NC
-
+
7
6
5
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
HS-1145RH
应用信息
最佳反馈电阻
虽然电流反馈放大器器的带宽
依赖于闭环增益不那么严重了的
电压反馈放大器呃，有可能是一个明显
减小带宽更高的收益。这种下降可能
通过采用电流反馈的优势最小化
扩增fi er的带宽和R之间的独特关系
F
.
所有的电流反馈放大器器需要一个反馈电阻，
即使是单位增益的应用程序，而R
F
在与结合
内部补偿电容，设置主极点
的频率响应。因此，扩增fi er的带宽
反比于R
F
。该HS- 1145RH设计
对于R优化
F
= 510Ω时的+2的增益。减少
F
稳定性降低，从而导致过多的峰值和
过冲（注：电容反馈将导致相同的
由于在较高的反馈阻抗降低的问题
频率） 。在更高的收益，但是，扩增fi er更
稳定以r
F
可以在一个折衷稳定性的降低
带宽。
下表列出了推荐的
F
各种价值观
收益和预期的带宽。为+1 ，一个增益
电阻（
+
R
S
）串联+ IN需要降低增益
调峰和增加稳定性。
收益
(A
CL
)
-1
+1
+2
+5
+10
带宽
（兆赫）
300
270
330
300
130
可选GND焊盘（模具使用）的TTL
兼容性
在HS- 1145RH的模版为用户提供了一个
GND焊盘用于设置禁用电路的接地参考。
与对称用品GND焊盘可以留
未连接，或者直接连接到GND 。如果不对称
耗材（例如， + 10V ， 0V ）被利用， TTL兼容
希望，模具用户必须GND焊盘连接到GND 。
与外部GND时，禁止输入为TTL兼容
不管电源电压的使用。
冲脉和不对称压摆率
在HS- 1145RH利用准互补输出
阶段，以实现高输出电流，同时最小化
静态电源电流。在这种方法中，复合
装置代替了传统的PNP下拉晶体管。该
复合设备切换模式穿越0V后，
从而增加失真信号低于摆动
地面上，并在负增加的冲
输出波形的一部分（参见图5 ，图8和11）。
这个冲不存在于小双极性信号，或
大积极信号。复合材料的另一个工件
设备是不对称的压摆率输出信号与
负电压分量。压摆率降低为
通过0V输出信号的杂交（参见图5,8和11） ，
导致较慢的总负摆率。只有正
信号具有如图所示的对称的转换速率
大信号正脉冲响应曲线（见图4 ，
7 ，和10）。
R
F
()
425
510 （ + RS = 510Ω ）
510
200
180
PC板布局
该扩增fi er的频率响应在很大程度上取决于
注意对设计的印刷电路板。
使用低
电感元件，如芯片电阻和芯片
电容强烈建议，而实
地平面是必须的！
应注意，以去耦的电源。
大值（ 10μF ）钽电容并联一个较小的值
（ 0.1μF ）片状电容器适用于大多数情况。
封端的微带信号线被建议在
器件的输入和输出连接。电容，
寄生或计划，连接到输出必须是
最小化，或分离在下一节中讨论。
护理也必须考虑到的电容最小化，以
地面上的扩增fi er的反相输入端（ -IN ） ，因为这
电容引起的增益峰值，脉冲过冲，如果
够大，不稳定。为了减少这种电容的
设计师应该删除的痕迹下的地平面
连接到-IN ，并保持连接到-IN短
可能。
良好的高频布局的一个例子是
评价板，如图2所示。
非反相输入信号源阻抗
为获得最佳操作中， DC源阻抗看到的
非反相输入端应
≥50.
这是特别
在反相增益CON连接gurations重要，因为非
反相输入端通常会被直接连接到GND。
禁止输入TTL兼容
该HS- 1145RH导出为一个内部参考GND
数字电路，只要电源是对称
在GND 。对称用品的数字开关
阈值（V
TH
= (V
IH
+ V
IL
）/ 2 = （ 2.0 + 0.8 ）/ 2）为1.4V ，这
确保禁止输入的TTL兼容。如果
不对称的用品（如+ 10V ， 0V ）被利用，
开关阈值变为：
V+
+
V-
V
TH
= ------------------- +
1.4V
2
和V
IH
和V
IL
水平将V
TH
±
0.6V ，分别。
2
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