特定网络阳离子HS- 82C55ARH
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VSS - 0.3V至VDD + 0.3V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
6
在125的最大封装功耗
o
C环境
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.25W
如果设备功率超过封装散热能力，提供热
下沉或线性降额从以下速率：
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .25.0mW / C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至+ 0.8V
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VDD -1.5V到VDD
表1. DC电性能等特点
范围
参数
TTL输出高电压
符号
VOH1
条件
VDD = 4.5V ， IO = -2.5mA ，
VIN = 0V ， 4.5V
VDD = 4.5V ， IO = -100μA ，
VIN = 0V ， 4.5V
VDD = 4.5V ， IO = 2.5毫安，
VIN = 0V ， 4.5V
VDD = 5.5V ， VIN = 0V ， 5.5V
A组
小组
1, 2, 3
温度
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
民
3.0
最大
-
单位
V
CMOS输出高电压
AGE
输出低电压
VOH2
1, 2, 3
VDD-
0.4
-
-
V
VOL
1, 2, 3
0.4
V
输入漏电流
IIL和IIH
1, 2, 3
-1.0
1.0
A
A
A
输出漏电流
IOZL或
IOZH
IBHH
VDD = 5.5V ， VIN = 0V ， 5.5V
1, 2, 3
-10
10
输入电流总线保持
高
VDD = 4.5V或5.5V ，
VIN = 3.0V （见注1 ）
端口A，B ，C
VDD = 4.5V或5.5V ，
VIN = 1.0V （见注2 ）
端口A
VDD = 5.5V ， IO = 0毫安，
VIN = GND或VDD
VDD = 4.5V ， IO = -2.0mA ，
VIN = GND或VDD
VDD = 4.5V和5.5V ，
VIN = GND或VDD ，
F = 1MHz的
VDD = 5.5V ， VIN = GND或
VDD - 1.5V和
VDD = 4.5V ， VIN = 0.8V或
VDD
1, 2, 3
-800
-60
输入电流总线保持
低
IBHL
1, 2, 3
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
60
800
A
备用电源
当前
达林顿驱动电压
IDDSB
1, 2, 3
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-
20
A
VDAR
1, 2, 3
3.9
-
V
功能测试
FT
7，图8A ，8B
-
-
-
噪声免疫功能
测试（注4 ）
FN
7，图8A ，8B
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-
-
-
注意事项：
1. IBHH应提高VIN ，然后降低到3.0V后，再测量。
2. IBHL应VIN降低到VSS ，然后提高到0.8V后，再测量。
3.无内部电流限制存在于端口输出。一种电阻器，必须从外部加入到限制电流。
4.对于VIH（ VDD = 5.5V）和VIL （VDD = 4.5V ）以下每个组都使用VIH = 2.6V所有其它输入分别进行测试，
VIL = 0.4V ： PA ， PB ，PC ，控制引脚（引脚5 ， 6 ， 8 ， 9 ， 35 ， 36 ） 。
规格编号
972
518060
QQ：2880707522 复制
